SIC
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Transistores (6028)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1)
2DA1213Y-13 Diodes Incorporated 2DA1213Y-13 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 2DA1213 1 W SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2.500 50 V 2 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mm, 1a 120 @ 500mA, 2V 160MHz
DMP3036SFVQ-7 Diodes Incorporated DMP3036SFVQ-7 0.2223
RFQ
 ECAD 8272 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMP3036 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (Tipo UX) descascar 31-DMP3036SFVQ-7 EAR99 8541.21.0095 2,000 Canal P 30 V 8.7a (TA), 30A (TC) 5V, 10V 20mohm @ 8a, 10v 2.5V @ 250 µA 16.5 NC @ 10 V ± 25V 1931 pf @ 15 V - 900MW (TA)
DMP4011SK3-13 Diodes Incorporated DMP4011SK3-13 0.5541
RFQ
 ECAD 5032 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMP4011 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados DMP4011SK3-13DI EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 40 V 14a (TA), 74A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 9.8a, 10V 2.5V @ 250 µA 52 NC @ 10 V ± 20V 2747 pf @ 20 V - 1.8W (TA), 4.2W (TC)
BSS138WQ-13-F Diodes Incorporated BSS138WQ-13-F 0.0362
RFQ
 ECAD 1001 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BSS138 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-BSS138WQ-13-FTR EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 50 V 280MA (TA) 10V 3.5ohm @ 220 mm, 10V 1.5V @ 250 µA 1.5 NC @ 10 V ± 20V 48 pf @ 25 V - 400MW (TA)
DMP3056LSSQ-13 Diodes Incorporated DMP3056LSSQ-13 0.5200
RFQ
 ECAD 8875 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMP3056 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 4.9a (TA) 4.5V, 10V 45mohm @ 6a, 10v 2.1V @ 250 µA 17.3 NC @ 10 V ± 20V 969 pf @ 15 V - 1.2W (TA)
DMTH31M7LPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH31M7LPSQ-13 0.5820
RFQ
 ECAD 8036 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMTH31M7LPSQ-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 30A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 90 NC @ 10 V ± 16V 5741 pf @ 15 V - 1.3W (TA), 113W (TC)
DMP4025SFG-13-52 Diodes Incorporated DMP4025SFG-13-52 0.1965
RFQ
 ECAD 6169 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMP4025 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar 31-DMP4025SFG-13-52 EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 40 V 4.65a (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 3a, 10v 1.8V @ 250 µA 33.7 NC @ 10 V ± 20V 1643 pf @ 20 V - 810MW (TA)
DMPH33M8SPSW-13 Diodes Incorporated DMPH33M8SPSW-13 0.8078
RFQ
 ECAD 4637 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMPH33 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 (Tipo Q) - 31-DMPH33M8SPSW-13 EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 100A (TC) 6V, 10V 3.8mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 127 NC @ 10 V ± 20V 3775 pf @ 15 V - 1.7w (TA)
DMN3066L-7 Diodes Incorporated DMN3066L-7 0.0918
RFQ
 ECAD 9654 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3066 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMN3066L-7TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 3.6a (TA) 2.5V, 4.5V 67mohm @ 2.5a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 4.1 NC @ 4.5 V ± 12V 353 pf @ 10 V - 810MW (TA)
DMN3110SQ-7 Diodes Incorporated DMN3110SQ-7 0.1074
RFQ
 ECAD 2153 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3110 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMN3110SQ-7TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 2.5a (TA) 4.5V, 10V 73mohm @ 3.1a, 10v 3V @ 250 µA 8.6 NC @ 10 V ± 20V 305.8 pf @ 15 V - 740MW (TA)
DMT3003LFGQ-13 Diodes Incorporated DMT3003LFGQ-13 0.3660
RFQ
 ECAD 2228 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT3003 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados DMT3003LFGQ-13DI EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 22a (TA), 100a (TC) 4.5V, 10V 3.2mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 44 NC @ 10 V ± 20V 2370 pf @ 15 V - 2.4W (TA), 62W (TC)
DMT6004LPS-13 Diodes Incorporated DMT6004LPS-13 1.5200
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMT6004 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 22a (TA), 90A (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 25A, 10V 3V @ 250 µA 96.3 NC @ 10 V ± 20V 4515 pf @ 30 V - 2.1W (TA), 105W (TC)
DMP6018LPSQ-13 Diodes Incorporated DMP6018LPSQ-13 1.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 60 V 60A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 17a, 10v 2.5V @ 250 µA 13.7 NC @ 10 V ± 20V 3505 pf @ 30 V - 2.6W (TA), 113W (TC)
DMTH45M5LFVWQ-13 Diodes Incorporated DMTH45M5LFVWQ-13 0.3197
RFQ
 ECAD 7031 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 31-DMTH45M5LFVWQ-13TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 18a (TA), 71a (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 25A, 10V 2.3V @ 250 µA 13.9 NC @ 10 V ± 20V 978 pf @ 20 V - 3.5W (TA), 51W (TC)
DMN2710UFBQ-7B Diodes Incorporated DMN2710UFBQ-7B -
RFQ
 ECAD 8738 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-UFDFN Mosfet (Óxido de metal) X1-DFN1006-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 31-DMN2710UFBQ-7BTR EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 20 V 1.3a (TA) 1.8V, 4.5V 450mohm @ 600mA, 4.5V 1V @ 250 µA 0.6 NC @ 4.5 V ± 6V 42 pf @ 16 V - 720MW (TA)
DXT5551P5Q-13 Diodes Incorporated DXT5551P5Q-13 0.5900
RFQ
 ECAD 4163 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerdi ™ 5 DXT5551 2.25 W Powerdi ™ 5 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 5,000 160 V 600 mA 50NA (ICBO) NPN 200 MV a 5 mm, 50 Ma 80 @ 10mA, 5V 130MHz
DMN4020LFDEQ-13 Diodes Incorporated Dmn4020lfdeq-13 0.1279
RFQ
 ECAD 1808 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-Powerudfn DMN4020 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO E) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMN4020LFDEQ-13TR EAR99 8541.29.0095 10,000 N-canal 40 V 8.6a (TA) 4.5V, 10V 21mohm @ 8a, 10v 2.4V @ 250 µA 25.3 NC @ 10 V ± 20V 1201 pf @ 20 V - 850MW (TA)
DDTC114TKA-7-F Diodes Incorporated Ddtc114tka-7-f -
RFQ
 ECAD 4915 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddtc114 200 MW SC-59-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 100 µA, 1 mA 100 @ 1 mapa, 5v 250 MHz 10 kohms
DMTH4004LPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH4004LPSQ-13 0.6041
RFQ
 ECAD 1198 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH4004 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados DMTH4004LPSQ-13DI EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 100A (TC) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 50A, 10V 3V @ 250 µA 69.6 NC @ 10 V ± 20V 5220 pf @ 20 V - 2.83W (TA), 125W (TC)
DMG4932LSD-13 Diodes Incorporated DMG4932LSD-13 -
RFQ
 ECAD 4035 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Dmg4932lsd Mosfet (Óxido de metal) 1.19W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 30V 9.5a 15mohm @ 9a, 10v 2.4V @ 250 µA 42NC @ 10V 1932pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
DMN5L06VK-7A Diodes Incorporated DMN5L06VK-7A -
RFQ
 ECAD 3605 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DMN5L06 Mosfet (Óxido de metal) 250MW SOT-563 descascar 31-DMN5L06VK-7A EAR99 8541.21.0095 1 2 Canal N (Dual) 50V 280MA (TA) 2ohm @ 50 mm, 5V 1.2V @ 250 µA - 50pf @ 25V -
BC847B-7-F Diodes Incorporated BC847B-7-F 0.2000
RFQ
 ECAD 262 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC847 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 15NA NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
DMT43M8LFV-13 Diodes Incorporated DMT43M8LFV-13 0.3557
RFQ
 ECAD 1507 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT43 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (Tipo UX) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 87a (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA 44.4 NC @ 10 V ± 20V 3213 pf @ 20 V - 2.25W (TA)
DMN3027LFG-7 Diodes Incorporated DMN3027LFG-7 0.6700
RFQ
 ECAD 8308 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMN3027 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 30 V 5.3a (TA) 4.5V, 10V 18.6mohm @ 10a, 10v 1.8V @ 250 µA 11.3 NC @ 10 V ± 25V 580 pf @ 15 V - 1W (TA)
DMP6110SVT-7 Diodes Incorporated DMP6110SVT-7 0.6000
RFQ
 ECAD 93 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 DMP6110 Mosfet (Óxido de metal) TSOT-23-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 60 V 7.3a (TC) 4.5V, 10V 105mohm @ 4.5a, 10V 3V @ 250 µA 17.2 NC @ 10 V ± 20V 969 pf @ 30 V - 1.2W (TA)
DMG2302UKQ-7 Diodes Incorporated DMG2302UKQ-7 0.4300
RFQ
 ECAD 915 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMG2302 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 2.8a (TA) 2.5V, 4.5V 90mohm @ 3.6a, 4.5V 1V @ 250 µA 2.8 NC @ 10 V ± 12V 130 pf @ 10 V - 660MW (TA)
DMN2500UFB4-7B Diodes Incorporated DMN2500UFB4-7B -
RFQ
 ECAD 7480 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn DMN2500 Mosfet (Óxido de metal) X2-DFN1006-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMN2500UFB4-7BDI EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 810MA (TA) 1.8V, 4.5V 400mohm @ 600mA, 4.5V 1V @ 250 µA 0.737 NC @ 4.5 V ± 6V 60.67 pf @ 16 V - 460MW (TA)
BC856A-7-F Diodes Incorporated BC856A-7-F 0.2000
RFQ
 ECAD 188 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 65 V 100 mA 15NA PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 125 @ 2mA, 5V 200MHz
DMT4008LFV-7 Diodes Incorporated DMT4008LFV-7 0.3045
RFQ
 ECAD 4413 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT4008 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (Tipo UX) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 40 V 12.1a (TA), 54.8a (TC) 4.5V, 10V 7.9mohm @ 12a, 10v 3V @ 250 µA 17.1 NC @ 10 V ± 20V 1179 pf @ 20 V - 1.9W (TA), 35.7W (TC)
ZXMHC3A01N8TC Diodes Incorporated ZXMHC3A01N8TC 1.0400
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) ZXMHC3A01 Mosfet (Óxido de metal) 870MW 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2.500 2 N Y 2 Canal P (Medio Puente) 30V 2.17a, 1.64a 125mohm @ 2.5a, 10V 3V @ 250 µA 3.9nc @ 10V 190pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
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    2000+

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    30,000,000

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