SIC
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Transistores (6028)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
DMP2215L-7 Diodes Incorporated DMP2215L-7 0.3700
RFQ
 ECAD 165 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMP2215 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 2.7a (TA) 2.5V, 4.5V 100mohm @ 2.7a, 4.5V 1.25V @ 250 µA 5.3 NC @ 4.5 V ± 12V 250 pf @ 10 V - 1.08W (TA)
DMTH8012LPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH8012LPSQ-13 0.8700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH8012 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 80 V 10a (TA), 72a (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 12a, 10v 3V @ 250 µA 46.8 NC @ 10 V ± 20V 2051 pf @ 40 V - 2.6W (TA), 136W (TC)
DMN61D9U-13 Diodes Incorporated DMN61D9U-13 -
RFQ
 ECAD 1141 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN61 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMN61D9U-13DI EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 60 V 380MA (TA) 1.8V, 5V 2ohm @ 50 mm, 5V 1V @ 250 µA 0.4 NC @ 4.5 V ± 20V 28.5 pf @ 30 V - 370MW (TA)
DMC1028UFDB-7 Diodes Incorporated DMC1028UFDB-7 0.7900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMC1028 Mosfet (Óxido de metal) 1.36W U-DFN2020-6 (TUPO B) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Vecino del canal 12V, 20V 6a, 3.4a 25mohm @ 5.2a, 4.5V 1V @ 250 µA 18.5nc @ 8V 787pf @ 6V -
BC56-16PA-7 Diodes Incorporated BC56-16PA-7 0.3600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-udfn almohadilla exposición BC56 520 MW U-DFN2020-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 80 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 2V 125MHz
ZXMN2AM832TA Diodes Incorporated Zxmn2am832ta 0.5200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000
DMP10H400SK3-13 Diodes Incorporated DMP10H400SK3-13 0.6400
RFQ
 ECAD 97 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMP10 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 100 V 9A (TC) 4.5V, 10V 240mohm @ 5a, 10v 3V @ 250 µA 17.5 NC @ 10 V ± 20V 1239 pf @ 25 V - 42W (TC)
DMP58D0SV-7 Diodes Incorporated DMP58D0SV-7 -
RFQ
 ECAD 3575 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DMP58 Mosfet (Óxido de metal) 400MW SOT-563 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 50V 160 Ma 8ohm @ 100 mapa, 5V 2.1V @ 250 µA - 27pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
BSS138DWQ-7 Diodes Incorporated BSS138DWQ-7 0.4200
RFQ
 ECAD 85 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 BSS138 Mosfet (Óxido de metal) 200MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 50V 200 MMA 3.5ohm @ 220 mm, 10V 1.5V @ 250 µA - 50pf @ 10V -
BSS123W-7 Diodes Incorporated BSS123W-7 -
RFQ
 ECAD 8072 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BSS123 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 100 V 170MA (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 170ma, 10v 2v @ 1 mapa ± 20V 60 pf @ 25 V - 200MW (TA)
DMN3027LFG-13 Diodes Incorporated DMN3027LFG-13 0.2588
RFQ
 ECAD 3943 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMN3027 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMN3027LFG-13DI EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 5.3a (TA) 4.5V, 10V 18.6mohm @ 10a, 10v 1.8V @ 250 µA 11.3 NC @ 10 V ± 25V 580 pf @ 15 V - 1W (TA)
DMN39M1LK3-13 Diodes Incorporated DMN39M1LK3-13 0.6300
RFQ
 ECAD 2061 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMN39 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar 31-DMN39M1LK3-13 EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 17.9a (TA), 89.3a (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA 38.6 NC @ 10 V ± 20V 2253 pf @ 15 V - 1.4W (TA), 65.7W (TC)
DMP4047SSD-13 Diodes Incorporated DMP4047SSD-13 0.6900
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMP4047 Mosfet (Óxido de metal) 1.3w 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 40V 5.1a 45mohm @ 4.4a, 10V 3V @ 250 µA 21.5nc @ 10V 1154pf @ 20V Puerta de Nivel Lógico
2N7002-7-F Diodes Incorporated 2N7002-7-F 0.1900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 115MA (TA) 5V, 10V 7.5ohm @ 50 mm, 5V 2.5V @ 250 µA ± 20V 50 pf @ 25 V - 370MW (TA)
DMMT2907A-7 Diodes Incorporated DMMT2907A-7 0.1238
RFQ
 ECAD 1525 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 Dmmt2907 900MW Sot-26 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 60V 600mA 10NA (ICBO) 2 PNP (dual) 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V 307MHz
DMN6069SFGQ-13 Diodes Incorporated DMN6069SFGQ-13 0.7100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMN6069 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 18a (TC) 4.5V, 10V 50mohm @ 4.5a, 10V 3V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 20V 1480 pf @ 30 V - 2.4w
MMDT2222A-7-F Diodes Incorporated MMDT2222A-7-F 0.3400
RFQ
 ECAD 77 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 MMDT2222 200MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 40V 600mA 10NA (ICBO) 2 NPN (dual) 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V 300MHz
FZT758TC Diodes Incorporated FZT758TC -
RFQ
 ECAD 8920 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA FZT758 2 W SOT-223-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0075 4.000 400 V 500 mA 100na PNP 500mv @ 10 Ma, 100 Ma 40 @ 200Ma, 10V 50MHz
DMN2056U-7 Diodes Incorporated DMN2056U-7 0.3900
RFQ
 ECAD 111 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2056 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 4A (TA) 1.5V, 4.5V 38mohm @ 3.6a, 4.5V 1V @ 250 µA 4.3 NC @ 4.5 V ± 8V 339 pf @ 10 V - 940MW
ZXTN25020DFLTA Diodes Incorporated Zxtn25020dflta 0.4200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 ZXTN25020 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 20 V 2 A 50NA (ICBO) NPN 270mv @ 450 mm, 4.5a 300 @ 10mA, 2V 215MHz
ZXMP10A16KTC Diodes Incorporated Zxmp10a16ktc 0.9400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 ZXMP10 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 100 V 3a (TA) 6V, 10V 235mohm @ 2.1a, 10V 4V @ 250 µA 16.5 NC @ 10 V ± 20V 717 pf @ 50 V - 2.15W (TA)
DMG1012TQ-7 Diodes Incorporated DMG1012TQ-7 0.3500
RFQ
 ECAD 985 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-523 DMG1012 Mosfet (Óxido de metal) SOT-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 630 mA (TA) 1.8V, 4.5V 400mohm @ 600mA, 4.5V 1V @ 250 µA 0.74 NC @ 4.5 V ± 6V 60.67 pf @ 16 V - 280MW (TA)
DMN2005LPK-7 Diodes Incorporated DMN2005LPK-7 0.4700
RFQ
 ECAD 64 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-UFDFN DMN2005 Mosfet (Óxido de metal) X1-DFN1006-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 440MA (TA) 1.5V, 4V 1.5ohm @ 10mA, 4V 1.2V @ 100 µA ± 10V - 450MW (TA)
DMC4029SSDQ-13 Diodes Incorporated DMC4029SDQ-13 0.3502
RFQ
 ECAD 7696 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMC4029 Mosfet (Óxido de metal) 1.8w (TA) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N y p-canal complementario 40V 9a (TA), 6.5a (TA) 24mohm @ 6a, 10v, 45mohm @ 5a, 10v 3V @ 250 µA 8.8nc @ 4.5v, 10.6nc @ 4.5v 1060pf @ 20V, 1154pf @ 20V -
ZVP4424GTA Diodes Incorporated ZVP4424GTA 1.0900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA ZVP4424 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 240 V 480MA (TA) 3.5V, 10V 9ohm @ 200ma, 10v 2v @ 1 mapa ± 40V 200 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
ZXMP6A18DN8TA Diodes Incorporated ZXMP6A18DN8TA 1.5600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) ZXMP6A18 Mosfet (Óxido de metal) 1.8w 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 2 Canal P (Dual) 60V 3.7a 55mohm @ 3.5a, 10v 1V @ 250 µA (min) 44nc @ 10V 1580pf @ 30V Puerta de Nivel Lógico
DMN2040U-7 Diodes Incorporated DMN2040U-7 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2040 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 6a (TA) 2.5V, 4.5V 25mohm @ 8.2a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 7.5 NC @ 4.5 V ± 12V 667 pf @ 10 V - 800MW (TA)
ZVP0120ASTZ Diodes Incorporated Zvp0120astz -
RFQ
 ECAD 8684 0.00000000 Diodos incorporados - Cinta y Caja (TB) Obsoleto - A Través del Aguetero E-Línea-3 Mosfet (Óxido de metal) Línea electálica (compatible con 92) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 Canal P 200 V 110MA (TA) 10V 32ohm @ 125mA, 10V 3.5V @ 1MA ± 20V 100 pf @ 25 V - 700MW (TA)
DMC1017UPD-13 Diodes Incorporated DMC1017UPD-13 -
RFQ
 ECAD 4146 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMC1017 Mosfet (Óxido de metal) 2.3w PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N y p-canal complementario 12V 13a (TA), 9.4a (TA) 17mohm @ 11.8a, 4.5V, 32mohm @ 8.9a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 18.6nc @ 4.5V, 23.7nc @ 4.5V 1787pf @ 6V, 2100pf @ 6V -
ZXMP10A13FQTA Diodes Incorporated Zxmp10a13fqta 0.7600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 ZXMP10 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 100 V 600 mA (TA) 6V, 10V 1ohm @ 600mA, 10V 4V @ 250 µA 1.8 NC @ 5 V ± 20V 141 pf @ 50 V - 625MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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AD9208BBPZ-3000

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