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Transistores (6028)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
ZXTN25100DFHTA-50 Diodes Incorporated ZXTN25100DFHTA-50 0.1287
RFQ
 ECAD 8818 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Zxtn25100 730 MW Sot-23-3 descascar 31-ZXTN25100DFHTA-50 EAR99 8541.21.0075 3.000 100 V 2.5 A 100na NPN 330MV @ 250 Ma, 2.5a 300 @ 10mA, 2V 175MHz
ZXMN3A14FTA-52 Diodes Incorporated ZXMN3A14FTA-52 0.1911
RFQ
 ECAD 8909 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 ZXMN3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar 31-ZXMN3A14FTA-52 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 3.2a (TA) 4.5V, 10V 65mohm @ 3.2a, 10V 2.2V @ 250 µA 8.6 NC @ 10 V ± 20V 448 pf @ 15 V - 1W (TA)
DMTH6016LPDQ-13-52 Diodes Incorporated DMTH6016LPDQ-13-52 0.4970
RFQ
 ECAD 7255 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH6016 Mosfet (Óxido de metal) 2.5W (TA), 37.5W (TC) PowerDI5060-8 descascar 31-DMTH6016LPDQ-13-52 EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal 60V 9.2a (TA), 33.2a (TC) 19mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 250 µA 17NC @ 10V 864pf @ 30V Estándar
MMBTA06Q-7-F-52 Diodes Incorporated MMBTA06Q-7-F-52 0.0458
RFQ
 ECAD 9210 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW Sot-23-3 descascar 31-MMBTA06Q-7-F-52 EAR99 8541.21.0075 3.000 80 V 500 mA 100na NPN 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
DCX123JU-7R-F Diodes Incorporated DCX123JU-7R-F 0.0605
RFQ
 ECAD 5677 0.00000000 Diodos incorporados Dcx (xxxx) u Una granela Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DCX123 200MW Sot-363 - 31-DCX123JU-7R-F EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2 kohms 47 kohms
DMP10H4D2S-7-50 Diodes Incorporated DMP10H4D2S-7-50 0.0501
RFQ
 ECAD 9787 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMP10 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar 31-DMP10H4D2S-7-50 EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 100 V 270MA (TA) 4V, 10V 4.2ohm @ 500 mA, 10V 3V @ 250 µA 1.8 NC @ 10 V ± 20V 87 pf @ 25 V - 380MW (TA)
DMP2900UFB-7B Diodes Incorporated DMP2900UFB-7B 0.3100
RFQ
 ECAD 8010 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-UFDFN DMP2900 Mosfet (Óxido de metal) X1-DFN1006-3 descascar 31-DMP2900UFB-7B EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 20 V 990MA (TA) 1.8V, 4.5V 750mohm @ 430mA, 4.5V 1V @ 250 µA 0.7 NC @ 4.5 V ± 6V 49 pf @ 16 V - 550MW (TA)
MMDT3904-7-F-52 Diodes Incorporated MMDT3904-7-F-52 0.0873
RFQ
 ECAD 2734 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 MMDT3904 200MW Sot-363 descascar 31-MMDT3904-7-F-52 EAR99 8541.21.0075 3.000 40V 200 MMA 50NA 2 NPN (dual) 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 300MHz
DMG6602SVT-7-52 Diodes Incorporated DMG6602SVT-7-52 0.1026
RFQ
 ECAD 1041 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 DMG6602 Mosfet (Óxido de metal) 840MW (TA) TSOT-26 descascar 31-DMG6602SVT-7-52 EAR99 8541.29.0095 3.000 N y p-canal complementario 30V 3.4a (TA), 2.8a (TA) 60mohm @ 3.1a, 10v, 95mohm @ 2.7a, 10v 2.3V @ 250 µA 13NC @ 10V, 9NC @ 10V 400pf @ 15V, 420pf @ 15V Estándar
BSS138W-7-F-50 Diodes Incorporated BSS138W-7-F-50 0.0635
RFQ
 ECAD 2158 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BSS138 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar 1 (ilimitado) 31-BSS138W-7-F-50 EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 50 V 200MA (TA) 10V 3.5ohm @ 220 mm, 10V 1.5V @ 250 µA ± 20V 50 pf @ 10 V - 200MW (TA)
DDTA143ZCA-7-F-52 Diodes Incorporated DDTA143ZCA-7-F-52 0.0278
RFQ
 ECAD 5449 0.00000000 Diodos incorporados Ddta (r1 ≠ r2 serie) ca Una granela Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddta143 200 MW Sot-23-3 descascar 31-DDTA143ZCA-7-F-52 EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 4.7 kohms 47 kohms
DMP510DL-7-50 Diodes Incorporated DMP510DL-7-50 0.0357
RFQ
 ECAD 6014 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMP510 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar 31-DMP510DL-7-50 EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 50 V 180MA (TA) 5V 10ohm @ 100 mapa, 5V 2v @ 1 mapa ± 30V 24.6 pf @ 25 V - 310MW (TA)
DXTP3C100PDQ-13 Diodes Incorporated DXPP3C100PDQ-13 0.8500
RFQ
 ECAD 9180 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DXPP3C100 1.76W PowerDI5060-8 (TUPO UXD) descascar 31-DXP3C100PDQ-13 EAR99 8541.29.0095 2.500 100V 3A 100na 2 PNP (dual) 325mv @ 200Ma, 2a 170 @ 500 mA, 10V 100MHz
DMN53D0LDW-7-52 Diodes Incorporated DMN53D0LDW-7-52 0.0668
RFQ
 ECAD 8754 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DMN53 Mosfet (Óxido de metal) 310MW (TA) Sot-363 descascar 31-DMN53D0LDW-7-52 EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal 50V 360MA (TA) 1.6ohm @ 500 mA, 10V 1.5V @ 250 µA 0.6nc @ 4.5V 46pf @ 25V Estándar
DMTH47M2LFVW-13 Diodes Incorporated DMTH47M2LFVW-13 0.2333
RFQ
 ECAD 3851 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn DMTH47 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX descascar 31-DMTH47M2LFVW-13 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 13.6a (TA), 49A (TC) 4.5V, 10V 8.9mohm @ 20a, 10v 2.3V @ 250 µA 12.3 NC @ 10 V ± 20V 881 pf @ 20 V - 2.9W (TA), 37.5W (TC)
DMP4065SQ-7-52 Diodes Incorporated DMP4065SQ-7-52 0.1620
RFQ
 ECAD 4668 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMP4065 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar 31-DMP4065SQ-7-52 EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 40 V 2.4a (TA) 4.5V, 10V 80mohm @ 4.2a, 10V 3V @ 250 µA 12.2 NC @ 10 V ± 20V 587 pf @ 20 V - 720MW
BSS8402DWQ-7-52 Diodes Incorporated BSS8402DWQ-7-52 0.0760
RFQ
 ECAD 3489 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 BSS8402 Mosfet (Óxido de metal) 200MW (TA) Sot-363 descascar 1 (ilimitado) 31-BSS8402DWQ-7-52 EAR99 8541.21.0095 3.000 N y p-canal complementario 60V, 50V 115MA (TA), 130MA (TA) 13.5ohm @ 500 mA, 10V, 10ohm @ 100 mA, 5V 2.5V @ 250 µA, 2V @ 1 mA - 50pf @ 25V, 45pf @ 25V Estándar
BSS84DW-7-F-50 Diodes Incorporated BSS84DW-7-F-50 0.0896
RFQ
 ECAD 2965 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 BSS84 Mosfet (Óxido de metal) 300MW (TA) Sot-363 descascar 1 (ilimitado) 31-BSS84DW-7-F-50 EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 50V 130MA (TA) 10ohm @ 100 mapa, 5V 2v @ 1 mapa - 45pf @ 25V Estándar
BSS84DW-7-F-52 Diodes Incorporated BSS84DW-7-F-52 0.0678
RFQ
 ECAD 7454 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 BSS84 Mosfet (Óxido de metal) 300MW (TA) Sot-363 descascar 1 (ilimitado) 31-BSS84DW-7-F-52 EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 50V 130MA (TA) 10ohm @ 100 mapa, 5V 2v @ 1 mapa - 45pf @ 25V Estándar
DMN63D8LDW-13-52 Diodes Incorporated DMN63D8LDW-13-52 0.0398
RFQ
 ECAD 5406 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DMN63 Mosfet (Óxido de metal) 300MW (TA) Sot-363 descascar 31-DMN63D8LDW-13-52 EAR99 8541.21.0095 10,000 2 Canal 30V 220 Ma (TA) 2.8ohm @ 250 mA, 10V 1.5V @ 250 µA 0.87nc @ 10V 22pf @ 25V Estándar
DMTH45M5SFVWQ-13 Diodes Incorporated DMTH45M5SFVWQ-13 0.3197
RFQ
 ECAD 9424 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 31-DMTH45M5SFVWQ-13TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 18a (TA), 71a (TC) 10V 5.5mohm @ 25A, 10V 3.5V @ 250 µA 13.2 NC @ 10 V ± 20V 1083 pf @ 20 V - 3.5W (TA), 51W (TC)
DMTH45M5LFVW-13 Diodes Incorporated DMTH45M5LFVW-13 0.2842
RFQ
 ECAD 3024 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 31-DMTH45M5LFVW-13TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 18a (TA), 71a (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 25A, 10V 2.3V @ 250 µA 13.9 NC @ 10 V ± 20V 978 pf @ 20 V - 3.5W (TA), 51W (TC)
DMC62D2SV-13 Diodes Incorporated DMC62D2SV-13 0.0578
RFQ
 ECAD 2496 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 Mosfet (Óxido de metal) 500MW (TA) SOT-563 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 31-DMC62D2SV-13TR EAR99 8541.21.0095 10,000 N y p-canal complementario 60V 480MA (TA), 320MA (TA) 1.7ohm @ 200 MMA, 10V, 4ohm @ 200 mMa, 10V 2.5V @ 250 µA, 3V @ 250 µA 1.04nc @ 10V, 1.1nc @ 10V 41pf @ 30V, 40pf @ 25V Estándar
DMN52D0U-13 Diodes Incorporated DMN52D0U-13 0.0500
RFQ
 ECAD 1816 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 31-DMN52D0U-13TR EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 50 V 400 mA (TA) 1.8V, 5V 2ohm @ 50 mm, 5V 1V @ 250 µA 1.5 NC @ 10 V ± 12V 39 pf @ 25 V - 500MW
DMT35M8LDG-13 Diodes Incorporated DMT35M8LDG-13 0.4116
RFQ
 ECAD 5843 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) 980MW (TA), 2W (TC) PowerDI3333-8 (Tipo G) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 31-DMT35M8LDG-13TR EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Asimétrico del canal (dual) 30V 17a (TA), 15.3a (TA) 4.7mohm @ 20a, 10v, 5.8mohm @ 18a, 10v 1.9V @ 250 µA 22.7nc @ 10V, 16.3nc @ 10V 1510pf @ 15V, 1032pf @ 15V Estándar
DMP58D1LVQ-7 Diodes Incorporated DMP58D1LVQ-7 0.0770
RFQ
 ECAD 8133 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 Mosfet (Óxido de metal) 490MW (TA) SOT-563 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 31-DMP58D1LVQ-7TR EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P 50V 220 Ma (TA) 8ohm @ 100 mapa, 5V 2V @ 250 µA 1.2NC @ 10V 37pf @ 25V Estándar
DMP58D1LVQ-13 Diodes Incorporated DMP58D1LVQ-13 0.0616
RFQ
 ECAD 6869 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 Mosfet (Óxido de metal) 490MW (TA) SOT-563 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 31-DMP58D1LVQ-13TR EAR99 8541.21.0095 10,000 2 Canal P 50V 220 Ma (TA) 8ohm @ 100 mapa, 5V 2V @ 250 µA 1.2NC @ 10V 37pf @ 25V Estándar
DMP4026LSS-13 Diodes Incorporated DMP4026LSS-13 0.2353
RFQ
 ECAD 8826 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 31-DMP4026LSS-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 40 V 7.2a (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 3a, 10v 1.8V @ 250 µA 45 NC @ 10 V ± 20V 2083 pf @ 20 V - 1.5W (TA)
DMTH45M5LFVWQ-7 Diodes Incorporated DMTH45M5LFVWQ-7 0.3197
RFQ
 ECAD 4030 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 31-DMTH45M5LFVWQ-7TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 18a (TA), 71a (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 25A, 10V 2.3V @ 250 µA 13.9 NC @ 10 V ± 20V 978 pf @ 20 V - 3.5W (TA), 51W (TC)
BC846AS-7 Diodes Incorporated BC846As-7 0.4500
RFQ
 ECAD 327 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 BC846 200MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 65V 100mA 15NA 2 NPN (dual) 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 110 @ 2mA, 5V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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