SIC
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Transistores (6028)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
DMN3025LFV-13 Diodes Incorporated DMN3025LFV-13 0.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMN3025 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (Tipo UX) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 25A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 7a, 10v 2V @ 250 µA 9.8 NC @ 10 V ± 20V 500 pf @ 15 V - 900MW (TA)
2N7002DWKX-13 Diodes Incorporated 2N7002DWKX-13 -
RFQ
 ECAD 4039 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto 2N7002 - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2N7002DWKX-13DI EAR99 8541.21.0095 10,000 -
DMS3014SFG-13 Diodes Incorporated DMS3014SFG-13 -
RFQ
 ECAD 3411 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMS3014 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMS3014SFG-13DI EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 9.5a (TA) 4.5V, 10V 13mohm @ 10.4a, 10v 2.2V @ 250 µA 45.7 NC @ 10 V ± 12V 4310 pf @ 15 V Diodo Schottky (Cuerpo) 1W (TA)
DMN12M7UCA10-7 Diodes Incorporated Dmn12m7uca10-7 0.3371
RFQ
 ECAD 5148 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 10-SMD, sin Plomo DMN12 Mosfet (Óxido de metal) X4-DSN3015-10 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Dmn12m7uca10-7di EAR99 8541.29.0095 5,000 2 Canal N (Dual) 20.2a (TA) 2.75mohm @ 6a, 4.5V 1.4V @ 1.11MA -
DMTH6004LPS-13 Diodes Incorporated DMTH6004LPS-13 1.6200
RFQ
 ECAD 6072 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH6004 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 22a (TA), 100a (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 25A, 10V 3V @ 250 µA 96.3 NC @ 10 V ± 20V 4515 pf @ 30 V - 2.6W (TA), 138W (TC)
DMN3018SFG-13 Diodes Incorporated DMN3018SFG-13 0.5000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMN3018 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 8.5A (TA) 4.5V, 10V 21mohm @ 10a, 10v 2.1V @ 250 µA 13.2 NC @ 10 V ± 25V 697 pf @ 15 V - 1W (TA)
DMP3026SFDF-7 Diodes Incorporated DMP3026SFDF-7 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMP3026 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO F) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 10.3a (TA) 4V, 10V 19mohm @ 4.5a, 10V 3V @ 250 µA 19.6 NC @ 10 V ± 25V 1204 pf @ 15 V - 2W (TA)
DMN6140LQ-13-52 Diodes Incorporated DMN6140LQ-13-52 0.0618
RFQ
 ECAD 4744 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN6140 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar 31-DMN6140LQ-13-52 EAR99 8541.29.0095 10,000 N-canal 60 V 1.6a (TA) 4.5V, 10V 140mohm @ 1.8a, 10V 3V @ 250 µA 8.6 NC @ 10 V ± 20V 315 pf @ 40 V - 700MW (TA)
DMN3150LW-7 Diodes Incorporated DMN3150LW-7 0.4900
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 DMN3150 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 28 V 1.6a (TA) 2.5V, 4.5V 88mohm @ 1.6a, 4.5V 1.4V @ 250 µA ± 12V 305 pf @ 5 V - 350MW (TA)
DMN2400UFB-7 Diodes Incorporated DMN2400UFB-7 0.3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-UFDFN DMN2400 Mosfet (Óxido de metal) X1-DFN1006-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 750 mA (TA) 1.8V, 4.5V 550mohm @ 600 mA, 4.5V 900MV @ 250 µA 0.5 NC @ 4.5 V ± 12V 36 pf @ 16 V - 470MW (TA)
DMP3018SFK-7 Diodes Incorporated DMP3018SFK-7 0.9400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-Powerudfn DMP3018 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2523-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 10.2a (TA) 4.5V, 10V 14.5mohm @ 9.5a, 10v 3V @ 250 µA 90 NC @ 10 V ± 25V 4414 pf @ 15 V - 1W (TA)
DMN62D0UW-7 Diodes Incorporated DMN62D0UW-7 0.2900
RFQ
 ECAD 95 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 DMN62 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 340MA (TA) 1.8V, 4.5V 2ohm @ 100 mm, 4.5V 1V @ 250 µA 0.5 NC @ 4.5 V ± 20V 32 pf @ 30 V - 320MW (TA)
ZXM64P03XTC Diodes Incorporated Zxm64p03xtc -
RFQ
 ECAD 9954 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-MSOP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal P 30 V 3.8a (TA) 4.5V, 10V 75mohm @ 2.4a, 10V 1V @ 250 µA 46 NC @ 10 V ± 20V 825 pf @ 25 V - 1.1W (TA)
BSS84DW-7-F Diodes Incorporated BSS84DW-7-F 0.3600
RFQ
 ECAD 112 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 BSS84 Mosfet (Óxido de metal) 300MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 50V 130 Ma 10ohm @ 100 mapa, 5V 2v @ 1 mapa - 45pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
DMPH1006UPSQ-13 Diodes Incorporated DMPH1006UPSQ-13 1.0900
RFQ
 ECAD 2888 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMPH1006 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 12 V 80a (TC) 2.5V, 4.5V 6mohm @ 15a, 4.5V 1V @ 250 µA 124 NC @ 8 V ± 8V 6334 pf @ 10 V - 3.2W
DMG6898LSD-13 Diodes Incorporated DMG6898LSD-13 0.5900
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMG6898 Mosfet (Óxido de metal) 1.28w 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 20V 9.5a 16mohm @ 9.4a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 26nc @ 10V 1149pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
DMN6040SVTQ-13 Diodes Incorporated DMN6040SVTQ-13 0.1949
RFQ
 ECAD 7940 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 DMN6040 Mosfet (Óxido de metal) TSOT-26 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10,000 N-canal 60 V 5A (TA) 4.5V, 10V 44mohm @ 4.3a, 10v 3V @ 250 µA 22.4 NC @ 10 V ± 20V 1287 pf @ 25 V - 1.2W (TA)
DMNH6022SSD-13 Diodes Incorporated DMNH6022SSD-13 0.8300
RFQ
 ECAD 5504 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMNH6022 Mosfet (Óxido de metal) 1.5w 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 60V 7.1a, 22.6a 27mohm @ 5a, 10v 3V @ 250 µA 32NC @ 10V 2127pf @ 25V -
DMG3420U-7 Diodes Incorporated DMG3420U-7 0.3800
RFQ
 ECAD 238 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMG3420 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 5.47a (TA) 1.8v, 10v 29mohm @ 6a, 10v 1.2V @ 250 µA 5.4 NC @ 4.5 V ± 12V 434.7 pf @ 10 V - 740MW (TA)
BC857BLP4-7B Diodes Incorporated BC857BLP4-7B 0.4600
RFQ
 ECAD 9918 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn BC857 250 MW X2-DFN1006-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 220 @ 2mA, 5V 100MHz
DMN2009UFDF-13 Diodes Incorporated DMN2009UFDF-13 0.1273
RFQ
 ECAD 2001 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMN2009 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO F) - 31-DMN2009UFDF-13 EAR99 8541.29.0095 10,000 N-canal 20 V 12.8a (TA) 2.5V, 4.5V 9mohm @ 8.5a, 4.5V 1.4V @ 250 µA 27.9 NC @ 10 V ± 12V 1083 pf @ 10 V - 1.3W (TA)
DMTH10H025LPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH10H025LPSQ-13 0.3814
RFQ
 ECAD 8462 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH10 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados DMTH10H025LPSQ-13DI EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 9.3a (TA), 45A (TC) 6V, 10V 23mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 21 NC @ 10 V ± 20V 1477 pf @ 50 V - 3.2W (TA), 79W (TC)
DMT6015LPS-13 Diodes Incorporated DMT6015LPS-13 0.9100
RFQ
 ECAD 6887 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMT6015 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 10.6a (TA), 31a (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 250 µA 18.9 NC @ 10 V ± 16V 1103 pf @ 30 V - 1.16W (TA)
ADTA123JUAQ-13 Diodes Incorporated ADTA123JUAQ-13 -
RFQ
 ECAD 5666 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto ADTA123 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000
DMG8880LK3-13 Diodes Incorporated DMG8880LK3-13 -
RFQ
 ECAD 8924 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMG8880 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 11a (TA) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 11.6a, 10v 2.3V @ 250 µA 27.6 NC @ 10 V ± 20V 1289 pf @ 15 V - 1.68W (TA)
DMP3011SPDW-13 Diodes Incorporated DMP3011SPDW-13 0.4003
RFQ
 ECAD 7610 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMP3011 Mosfet (Óxido de metal) 1.4W (TA) PowerDI5060-8 (TUPO UXD) descascar 31-DMP3011SPDW-13 EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal P 30V 12.1a (TA), 38.2a (TC) 13mohm @ 11.5a, 10V 3V @ 250 µA 46nc @ 10V 2380pf @ 15V Estándar
DMP6350S-13 Diodes Incorporated DMP6350S-13 0.1330
RFQ
 ECAD 9574 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMP6350 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 60 V 1.5a (TA) 4.5V, 10V 350mohm @ 900 mA, 10V 3V @ 250 µA 4.1 NC @ 10 V ± 20V 206 pf @ 30 V - 720MW (TA)
DMN3026LVTQ-7 Diodes Incorporated DMN3026LVTQ-7 0.1628
RFQ
 ECAD 6771 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 DMN3026 Mosfet (Óxido de metal) TSOT-26 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 6.6a (TA) 4.5V, 10V 23mohm @ 6.5a, 10v 2V @ 250 µA 12.5 NC @ 10 V ± 20V 643 pf @ 15 V - 1.2W (TA)
DDTA143FCA-7-F Diodes Incorporated DDTA143FCA-7-F 0.3900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddta143 200 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 68 @ 10mA, 5V 250 MHz 4.7 kohms 22 kohms
ZVN2106GTA Diodes Incorporated ZVN2106GTA 0.8700
RFQ
 ECAD 7418 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA ZVN2106 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 710MA (TA) 10V 2ohm @ 1a, 10v 2.4V @ 1MA ± 20V 75 pf @ 18 V - 2W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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