SIC
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Transistores (6028)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
FZT749AT3DW Diodes Incorporated FZT749AT3DW -
RFQ
 ECAD 4154 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA 1.2 W SOT-223-3 - 31-FZT749AT3DW EAR99 8541.29.0095 1 25 V 3 A 100NA (ICBO) PNP 600mv @ 300mA, 3A 100 @ 1a, 2v 160MHz
2N7002E-7-G Diodes Incorporated 2N7002E-7-G -
RFQ
 ECAD 7944 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto 2N7002 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2N7002E-7-GDI EAR99 8541.21.0095 3.000
DMC3016LNS-13 Diodes Incorporated DMC3016LNS-13 0.2475
RFQ
 ECAD 6066 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMC3016 Mosfet (Óxido de metal) 1.3W (TA) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N y p-canal complementario 30V 9a (TA), 6.8a (TA) 16mohm @ 7a, 10v, 28mohm @ 7a, 10v 2V @ 250 µA 9.5NC @ 4.5V 1184pf @ 15V, 1188pf @ 15V -
ZHB6792TA Diodes Incorporated Zhb6792ta 2.5400
RFQ
 ECAD 9949 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-223-8 ZHB6792 1.25W Sm8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0075 1,000 70V 1A 100NA (ICBO) 2 NPN, 2 PNP (Puente H) 750mv @ 50 mm, 2a 300 @ 100 mapa, 2v 100MHz
DMN24H11DS-7 Diodes Incorporated DMN24H11DS-7 0.4300
RFQ
 ECAD 8424 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN24 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 240 V 270MA (TA) 4.5V, 10V 11ohm @ 300mA, 10V 3V @ 250 µA 3.7 NC @ 10 V ± 20V 76.8 pf @ 25 V - 750MW (TA)
DMT10H009LK3-13 Diodes Incorporated DMT10H009LK3-13 1.1600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMT10 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 90A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA 20 NC @ 4.5 V ± 20V 2309 pf @ 50 V - 1.7w (TA)
DMP25H18DLFDE-7 Diodes Incorporated Dmp25h18dlfde-7 1.3900
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-Powerudfn DMP25 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO E) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 250 V 260MA (TA) 3.5V, 10V 14ohm @ 200 MMA, 10V 2.5V @ 1MA 2.8 NC @ 10 V ± 40V 81 pf @ 25 V - 600MW (TA)
BSS138WQ-7-F Diodes Incorporated BSS138WQ-7-F 0.2800
RFQ
 ECAD 4215 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BSS138 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 50 V 280MA (TA) 10V 3.5ohm @ 220 mm, 10V 1.5V @ 250 µA 1.5 NC @ 10 V ± 20V 48 pf @ 25 V - 400MW (TA)
DMWSH120H90SM4Q Diodes Incorporated DMWSH120H90SM4Q 19.6800
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 SIC (Transistor de Unión de CARBURO de Silicio) TO-247-4 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 31-DMWSH120H90SM4Q EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1200 V 40A (TC) 15V 97.5mohm @ 20a, 15V 3.5V @ 5MA 47.6 NC @ 15 V +19v, -8v 1112 pf @ 1000 V - 235W (TC)
DMN3025LSS-13 Diodes Incorporated DMN3025LSS-13 0.1279
RFQ
 ECAD 1554 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMN3025 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 7.2a (TA) 4.5V, 10V 20mohm @ 10a, 10v 2V @ 250 µA 13.2 NC @ 10 V ± 20V 641 pf @ 15 V - 1.4W (TA)
DDTA143ZKA-7-F Diodes Incorporated Ddta143zka-7-f -
RFQ
 ECAD 4353 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddta143 200 MW SC-59-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 4.7 kohms 47 kohms
DDTA114WCA-7-F Diodes Incorporated DDTA114WCA-7-F 0.0386
RFQ
 ECAD 2560 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddta114 200 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 24 @ 10mA, 5V 250 MHz 10 kohms 4.7 kohms
DMN3012LEG-7 Diodes Incorporated Dmn3012leg-7 1.5100
RFQ
 ECAD 6818 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powerldfn DMN3012 Mosfet (Óxido de metal) 2.2W (TC) PowerDI3333-8 (Tipo D) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1,000 2 Canales N (Medio Puente) 30V 10a (TA), 20a (TC) 12mohm @ 15a, 5V, 6mohm @ 15a, 5V 2.1V @ 250 µA, 1.15V @ 250 µA 6.1NC @ 4.5V, 12.6nc @ 4.5V 850pf @ 15V, 1480pf @ 15V -
DZT751-13 Diodes Incorporated DZT751-13 -
RFQ
 ECAD 6147 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA DZT751 1 W SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2.500 60 V 3 A 100NA (ICBO) PNP 600mv @ 300mA, 3A 100 @ 500mA, 2V 145MHz
DMN4008LFG-13 Diodes Incorporated DMN4008LFG-13 0.2923
RFQ
 ECAD 8401 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMN4008 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 14.4a (TA) 3.3V, 10V 7.5mohm @ 10a, 10v 3V @ 250 µA 74 NC @ 10 V ± 20V 3537 pf @ 20 V - 1W (TA)
DMNH6042SPD-13 Diodes Incorporated DMNH6042SPD-13 0.3410
RFQ
 ECAD 4721 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMNH6042 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 5.7a (TA), 24a (TC) 4.5V, 10V 50mohm @ 5.1a, 10v 3V @ 250 µA 8.8 NC @ 10 V ± 20V 584 pf @ 25 V - 1.2W (TA)
DMP3056LSS-13 Diodes Incorporated DMP3056LSS-13 0.5500
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMP3056 Mosfet (Óxido de metal) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 7.1a (TA) 4.5V, 10V 45mohm @ 6a, 10v 2.1V @ 250 µA 6.8 NC @ 4.5 V ± 20V 722 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
ZVN2535ASTOA Diodes Incorporated Zvn2535astoa -
RFQ
 ECAD 7620 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-Línea-3 Mosfet (Óxido de metal) Línea electálica (compatible con 92) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 350 V 90MA (TA) 10V 35ohm @ 100 mA, 10V 3V @ 1MA ± 20V 70 pf @ 25 V - 700MW (TA)
ZXMP10A18K Diodes Incorporated ZXMP10A18K -
RFQ
 ECAD 8653 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 ZXMP10 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 100 V 3.8a (TA) 6V, 10V 150mohm @ 2.8a, 10v 4V @ 250 µA 26.9 NC @ 10 V ± 20V 1055 pf @ 50 V - 2.17W (TA)
DMG4710SSS-13 Diodes Incorporated DMG4710SSS-13 -
RFQ
 ECAD 1594 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMG4710 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 8.8a (TA) 4.5V, 10V 12.5mohm @ 11.7a, 10V 2.3V @ 250 µA 43 NC @ 10 V ± 12V 1849 pf @ 15 V Diodo Schottky (Cuerpo) 1.54W (TA)
ZVP4105ASTOA Diodes Incorporated Zvp4105astoa -
RFQ
 ECAD 5422 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-Línea-3 Mosfet (Óxido de metal) Línea electálica (compatible con 92) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 Canal P 50 V 175MA (TA) 5V 10ohm @ 100 mapa, 5V 2v @ 1 mapa ± 20V 40 pf @ 25 V - 625MW (TA)
DMP6110SSS-13 Diodes Incorporated DMP6110SSS-13 0.5500
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMP6110 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 60 V 4.5a (TA) 4.5V, 10V 110MOHM @ 4.5A, 10V 3V @ 250 µA 19.4 NC @ 10 V ± 20V 1030 pf @ 30 V - 1.5W (TA)
DMP4025LK3-13 Diodes Incorporated DMP4025LK3-13 0.2855
RFQ
 ECAD 3687 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMP4025 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 40 V 6.7a (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 3a, 10v 1.8V @ 250 µA 33.7 NC @ 10 V ± 20V 1643 pf @ 20 V - 1.7w (TA)
DMN1019UFDE-7 Diodes Incorporated Dmn1019ufde-7 0.4700
RFQ
 ECAD 514 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-Powerudfn DMN1019 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO E) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 12 V 11a (TA) 1.2V, 4.5V 10mohm @ 9.7a, 4.5V 800mv @ 250 µA 50.6 NC @ 8 V ± 8V 2425 pf @ 10 V - 690MW (TA)
DMN2230UQ-7 Diodes Incorporated DMN2230UQ-7 0.4200
RFQ
 ECAD 134 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2230 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 2a (TA) 1.8V, 4.5V 110mohm @ 2.5a, 4.5V 1V @ 250 µA 2.3 NC @ 10 V ± 12V 188 pf @ 10 V - 600MW (TA)
DMP2110UVT-7 Diodes Incorporated DMP2110UVT-7 0.0949
RFQ
 ECAD 1839 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 DMP2110 Mosfet (Óxido de metal) 740MW (TA) TSOT-26 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 20V 1.8a (TA) 150mohm @ 2.8a, 4.5V 1V @ 250 µA 6NC @ 4.5V 443pf @ 6V -
DMN3018SFG-7 Diodes Incorporated DMN3018SFG-7 0.1434
RFQ
 ECAD 3232 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMN3018 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 30 V 8.5A (TA) 4.5V, 10V 21mohm @ 10a, 10v 2.1V @ 250 µA 13.2 NC @ 10 V ± 25V 697 pf @ 15 V - 1W (TA)
DMT3020LFVW-7 Diodes Incorporated DMT3020LFVW-7 0.1674
RFQ
 ECAD 1695 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT3020 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (Tipo UX) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 30 V 38a (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 9a, 10v 2.5V @ 250 µA 7 NC @ 10 V ± 20V 393 pf @ 15 V - 1W (TA)
DMG302PU-13 Diodes Incorporated DMG302PU-13 0.1096
RFQ
 ECAD 5402 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMG302 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 25 V 170MA (TA) 2.7V, 4.5V 10ohm @ 200Ma, 4.5V 1.5V @ 250 µA 0.35 NC @ 4.5 V -8v 27.2 pf @ 10 V - 320MW (TA)
DMP3098LSD-13 Diodes Incorporated DMP3098LSD-13 0.6800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMP3098 Mosfet (Óxido de metal) 1.8w 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 30V 4.4a 65mohm @ 5a, 10v 2.1V @ 250 µA 7.8nc @ 10V 336pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
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