SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
DMTH4007LK3Q-13 Diodes Incorporated DMTH4007LK3Q-13 1.0000
RFQ
ECAD 6962 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMTH4007 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 16.8a (TA), 70A (TC) 4.5V, 10V 7.3mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 29.1 NC @ 10 V ± 20V 1895 pf @ 30 V - 2.6W (TA)
DMP3056L-7 Diodes Incorporated DMP3056L-7 0.4000
RFQ
ECAD 253 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMP3056 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 4.3a (TA) 4.5V, 10V 50mohm @ 6a, 10v 2.1V @ 250 µA 11.8 NC @ 10 V ± 25V 642 pf @ 25 V - 1.38W (TA)
DMC2038LVTQ-7 Diodes Incorporated DMC2038LVTQ-7 0.4600
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 DMC2038 Mosfet (Óxido de metal) 800MW (TA) TSOT-23-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N y p-canal complementario 20V 3.7a (TA), 2.6a (TA) 35mohm @ 4a, 4.5V, 74mohm @ 3a, 4.5V 1V @ 250 µA 5.7nc @ 4.5V, 10nc @ 4.5V 530pf @ 10V, 705pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico, Unidad de 1.8v
DMN2400UFDQ-13 Diodes Incorporated DMN2400UFDQ-13 0.4800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-Powerudfn DMN2400 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN1212-3 (TUPO C) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 20 V 900 mA (TA) 1.5V, 4.5V 600mohm @ 200 MMA, 4.5V 1V @ 250 µA 0.5 NC @ 4.5 V ± 12V 37 pf @ 16 V - 400MW (TA)
DXT458P5-13 Diodes Incorporated DXT458P5-13 0.4800
RFQ
ECAD 47 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerdi ™ 5 DXT458 2.8 W Powerdi ™ 5 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 5,000 400 V 300 mA 100na NPN 500mV @ 6 mm, 50 Ma 100 @ 50 mm, 10v 50MHz
DMP25H18DLFDE-7 Diodes Incorporated Dmp25h18dlfde-7 1.3900
RFQ
ECAD 34 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-Powerudfn DMP25 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO E) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 250 V 260MA (TA) 3.5V, 10V 14ohm @ 200 MMA, 10V 2.5V @ 1MA 2.8 NC @ 10 V ± 40V 81 pf @ 25 V - 600MW (TA)
DMC6040SSDQ-13 Diodes Incorporated DMC6040SDQ-13 0.8200
RFQ
ECAD 7271 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMC6040 Mosfet (Óxido de metal) 1.24W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N y p-canal complementario 60V 5.1a (TA) 40mohm @ 8a, 10v, 110mohm @ 4.5a, 10v 3V @ 250 µA 20.8nc @ 10V, 19.4nc @ 10V 1130pf @ 15V, 1030pf @ 30V -
DMG1016V-7 Diodes Incorporated DMG1016V-7 0.4700
RFQ
ECAD 83 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DMG1016 Mosfet (Óxido de metal) 530MW SOT-563 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Vecino del canal 20V 870MA, 640MA 400mohm @ 600mA, 4.5V 1V @ 250 µA 0.74nc @ 4.5V 60.67pf @ 16V Puerta de Nivel Lógico
DMC3025LSD-13 Diodes Incorporated DMC3025LSD-13 0.4600
RFQ
ECAD 33 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMC3025 Mosfet (Óxido de metal) 1.2w 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Vecino del canal 30V 6.5a, 4.2a 20mohm @ 7.4a, 10V 2V @ 250 µA 9.8nc @ 10V 501pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
BSS138WQ-7-F Diodes Incorporated BSS138WQ-7-F 0.2800
RFQ
ECAD 4215 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BSS138 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 50 V 280MA (TA) 10V 3.5ohm @ 220 mm, 10V 1.5V @ 250 µA 1.5 NC @ 10 V ± 20V 48 pf @ 25 V - 400MW (TA)
DMG6402LDM-7 Diodes Incorporated Dmg6402ldm-7 0.4000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 DMG6402 Mosfet (Óxido de metal) Sot-26 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 5.3a (TA) 4.5V, 10V 27mohm @ 7a, 10v 2V @ 250 µA 9.2 NC @ 10 V ± 20V 404 pf @ 15 V - 1.12W (TA)
ZXTP2041FTA Diodes Incorporated Zxtp2041fta 0.4000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Zxtp2041 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 1 A 100na PNP 500mv @ 100 mm, 1a 300 @ 100mA, 5V 150MHz
FZT717TA Diodes Incorporated FZT717TA 0.3536
RFQ
ECAD 6878 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA FZT717 2 W SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0075 1,000 12 V 3 A 100NA (ICBO) PNP 320mv @ 50 Ma, 3a 300 @ 100 mapa, 2v 110MHz
DMG2301U-7 Diodes Incorporated DMG2301U-7 0.4300
RFQ
ECAD 116 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMG2301 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 2.5a (TA) 2.5V, 4.5V 130mohm @ 2.8a, 4.5V 1V @ 250 µA 6.5 NC @ 4.5 V ± 8V 608 pf @ 6 V - 800MW (TA)
DMT6010LPS-13 Diodes Incorporated DMT6010LPS-13 0.9700
RFQ
ECAD 9180 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMT6010 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 13.5a (TA), 80a (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 41.3 NC @ 10 V ± 20V 2090 pf @ 30 V - 2.2W (TA), 113W (TC)
DMN2011UTS-13 Diodes Incorporated Dmn2011uts-13 0.5600
RFQ
ECAD 190 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) DMN2011 Mosfet (Óxido de metal) 8-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 20 V 21a (TC) 1.5V, 4.5V 11mohm @ 7a, 4.5V 1V @ 250 µA 56 NC @ 10 V ± 12V 2248 pf @ 10 V - 1.3W (TA)
DMJ70H1D0SV3 Diodes Incorporated DMJ70H1D0SV3 -
RFQ
ECAD 8636 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak DMJ70 Mosfet (Óxido de metal) Un 251 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 700 V 6a (TC) 10V 1ohm @ 1.5a, 10v 4V @ 250 µA 12.8 NC @ 10 V ± 30V 420 pf @ 50 V - 104W (TC)
DMT3006LFDF-7 Diodes Incorporated Dmt3006lfdf-7 0.5100
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Cinta de Corte (CT) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMT3006 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO F) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 14.1a (TA) 3.7V, 10V 7mohm @ 9a, 10v 3V @ 250 µA 22.6 NC @ 10 V ± 20V 1320 pf @ 15 V - 800MW (TA)
DMTH8012LPSW-13 Diodes Incorporated DMTH8012LPSW-13 0.3560
RFQ
ECAD 5697 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH8012 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 80 V 53.7a (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 12a, 10v 3V @ 250 µA 34 NC @ 10 V ± 20V 1949 pf @ 40 V - 3.1W (TA)
DNLS160-7 Diodes Incorporated DNLS160-7 -
RFQ
ECAD 9750 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DNLS160 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 60 V 1 A 100na NPN 250mv @ 100 mm, 1a 200 @ 500mA, 5V 270MHz
DMC4047LSD-13 Diodes Incorporated DMC4047LSD-13 0.6200
RFQ
ECAD 79 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMC4047 Mosfet (Óxido de metal) 1.3w 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Vecino del canal 40V 7a, 5.1a 24mohm @ 6a, 10v 2.4V @ 250 µA 19.1NC @ 10V 1060pf @ 20V Puerta de Nivel Lógico
DMT2004UFG-13 Diodes Incorporated DMT2004UFG-13 0.2361
RFQ
ECAD 2425 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT2004 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 24 V 70A (TC) 2.5V, 10V 5mohm @ 12a, 10v 1.45V @ 250 µA 53.7 NC @ 10 V ± 12V 1683 pf @ 15 V - 2.3W (TA)
DMP1022UFDF-7 Diodes Incorporated DMP1022UFDF-7 0.5200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMP1022 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO F) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 12 V 9.5a (TA) 1.5V, 4.5V 15.3mohm @ 4a, 4.5V 800mv @ 250 µA 48.3 NC @ 8 V ± 8V 2712 pf @ 10 V - 730MW (TA)
DMC3032LSD-13 Diodes Incorporated DMC3032LSD-13 0.4600
RFQ
ECAD 7823 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMC3032 Mosfet (Óxido de metal) 2.5w 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Vecino del canal 30V 8.1a, 7a 32mohm @ 7a, 10v 2.1V @ 250 µA 9.2NC @ 10V 404.5pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
DMN2300U-7 Diodes Incorporated DMN2300U-7 0.4600
RFQ
ECAD 2118 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2300 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 1.24a (TA) 1.8V, 4.5V 175mohm @ 300mA, 4.5V 950MV @ 250 µA 1.6 NC @ 4.5 V ± 8V 64.3 pf @ 25 V - 430MW (TA)
DMTH69M8LFVWQ-13 Diodes Incorporated DMTH69M8LFVWQ-13 0.2861
RFQ
ECAD 7103 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn DMTH69 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMTH69M8LFVWQ-13DI EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 15.9a (TA), 45.4a (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 13.5a, 10v 3V @ 250 µA 33.5 NC @ 10 V ± 16V 1925 pf @ 30 V - 3.6W (TA), 29.4W (TC)
FMMTL718TA-79 Diodes Incorporated Fmmtl718ta-79 -
RFQ
ECAD 9528 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 31-FMMTL718TA-79TR Obsoleto 3.000
DMN3300UQ-7-52 Diodes Incorporated DMN3300UQ-7-52 0.0990
RFQ
ECAD 6121 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3300 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar 31-DMN3300UQ-7-52 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 1.5a (TA) 1.5V, 4.5V 150mohm @ 4.5a, 4.5V 1V @ 250 µA ± 12V 193 pf @ 10 V - 700MW
DMP2035UQ-7 Diodes Incorporated DMP2035UQ-7 0.1473
RFQ
ECAD 9617 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMP2035 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-DMP2035UQ-7TR EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 4.9a (TA) 1.8V, 4.5V 35mohm @ 4a, 4.5V 1V @ 250 µA 15.4 NC @ 4.5 V ± 10V 1610 pf @ 10 V - 810MW (TA)
DMTH10H009SPS-13 Diodes Incorporated DMTH10H009SPS-13 0.3910
RFQ
ECAD 3761 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH10 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados DMTH10H009SPS-13DI EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 16a (TA), 88a (TC) 10V 8.9mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 20V 2085 pf @ 50 V - 1.6W (TA), 100W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock