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Transistores (3592)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DTC114ECAHZGT116 | 0.1900 |  | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Dtc114 | 350 MW | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 mA | - | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 10 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
 | 2SCR542PFRAT100 | 0.6500 | | 7 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2SCR542 | 500 MW | MPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 30 V | 5 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 100 mm, 2a | 200 @ 500mA, 2V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | SCT4045DEHRC11 | 15.2900 | | 460 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | To-247n | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-SCT4045DEHRC11 | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | N-canal | 750 V | 34a (TC) | 18V | 59mohm @ 17a, 18V | 4.8v @ 8.89 mA | 63 NC @ 18 V | +21V, -4V | 1460 pf @ 500 V | - | 115W | ||||||||||||||||||||||
 | US6K4TR | 0.6300 | | 8 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | US6K4 | Mosfet (Óxido de metal) | 1W | Tumt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 1.5a | 180mohm @ 1.5a, 4.5V | 1V @ 1MA | 2.5nc @ 4.5V | 110pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||
 | R6006jnjgtl | 2.6500 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | R6006 | Mosfet (Óxido de metal) | LPTS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 6a (TC) | 15V | 936mohm @ 3a, 15V | 7V @ 800 µA | 15.5 NC @ 15 V | ± 30V | 410 pf @ 100 V | - | 86W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | EMZ2T2R | 0.1084 | | 9358 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | EMZ2T2 | 150MW | EMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | NPN, PNP | 400mv @ 5 mm, 50 mm / 500mv @ 5 mm, 50 mA | 120 @ 1 MMA, 6V | 180MHz, 140MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | UT6KC5TCR | 1.6200 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powerudfn | UT6KC5 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W (TA) | DFN2020-8D | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 3.5a (TA) | 95mohm @ 3.5a, 10V | 2.5V @ 1MA | 3.1NC @ 10V | 135pf @ 30V | - | ||||||||||||||||||||||||
 | RGW60TS65DGC11 | 5.9200 | | 8274 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | RGW60 | Estándar | 178 W | To-247n | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 30a, 10ohm, 15V | 92 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 60 A | 120 A | 1.9V @ 15V, 30a | 480 µJ (Encendido), 490 µJ (apagado) | 84 NC | 37ns/114ns | ||||||||||||||||||||||
 | RSS070N05FW4TB1 | - | | 5107 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-RSS070N05FW4TB1TR | Obsoleto | 2.500 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rsd150n06tl | 0.5924 | | 5921 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RSD150 | Mosfet (Óxido de metal) | CPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 15a (TA) | 4V, 10V | 40mohm @ 15a, 10v | 3V @ 1MA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 930 pf @ 10 V | - | 20W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | Sh8j31gzetb | 1.7600 | | 27 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sh8j31 | - | 2W | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 60V | 4.5a | 70mohm @ 4.5a, 10V | 3V @ 1MA | 40nc @ 10V | 2500pf @ 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
| R6014ynd3tl1 | 2.9100 | | 7545 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | R6014 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | 1 (ilimitado) | 2.500 | N-canal | 600 V | 14a (TC) | 10V, 12V | 260mohm @ 5a, 12v | 6V @ 1.4MA | 20 NC @ 10 V | ± 30V | 890 pf @ 100 V | - | 132W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | UT6MA2TCR | 0.6500 | | 33 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-Powerudfn | UT6MA2 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W (TA) | Huml2020l8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 30V | 4A (TA) | 46mohm @ 4a, 10v, 70mohm @ 4a, 10v | 2.5V @ 1MA | 4.3nc @ 10V, 6.7nc @ 10V | 180pf @ 15V, 305pf @ 15V | - | ||||||||||||||||||||||||
 | R6530KNXC7G | 6.6700 | | 894 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | R6530 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-R6530KNXC7G | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 V | 30A (TA) | 10V | 140mohm @ 14.5a, 10v | 5V @ 960 µA | 56 NC @ 10 V | ± 20V | 2350 pf @ 25 V | - | 86W (TC) | |||||||||||||||||||||
| US6J12TCR | 0.6100 | | 8977 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | US6J12 | Mosfet (Óxido de metal) | 910MW (TA) | Tumt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 12V | 2a (TA) | 105mohm @ 2a, 4.5V | 1V @ 1MA | 7.6nc @ 4.5V | 850pf @ 6V | - | ||||||||||||||||||||||||
 | Rur040n02hzgtl | 0.8000 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-96 | Rur040 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 4A (TA) | 1.5V, 4.5V | 35mohm @ 4a, 4.5V | 1.3V @ 1MA | 8 NC @ 4.5 V | ± 10V | 680 pf @ 10 V | - | 700MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
| RSL020P03TR | 0.2246 | | 5040 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | - | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | RSL020 | Mosfet (Óxido de metal) | Tumt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 2a (TA) | 4V, 10V | 120mohm @ 2a, 10v | - | 3.9 NC @ 5 V | ± 20V | 350 pf @ 10 V | - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||
| 2SCR553RTL | 0.4500 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-96 | 2SCR553 | 500 MW | TSMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 2 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 350mv @ 35mA, 700 mA | 180 @ 50 mm, 2v | 360MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | RUC002N05HZGT116 | 0.2500 | | 119 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Ruc002 | Mosfet (Óxido de metal) | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 50 V | 200MA (TA) | 1.2V, 4.5V | 1V @ 1MA | ± 8V | 25 pf @ 10 V | - | 350MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||
| RSD050N10TL | 0.4733 | | 7552 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RSD050 | Mosfet (Óxido de metal) | CPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 5A (TA) | 4V, 10V | 190mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 530 pf @ 25 V | - | 15W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | Rtf025n03tl | 0.7100 | | 20 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, planos de cables | RTF025 | Mosfet (Óxido de metal) | Tumt3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 2.5a (TA) | 2.5V, 4.5V | 67mohm @ 2.5a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 5.2 NC @ 4.5 V | ± 12V | 270 pf @ 10 V | - | 800MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
| Rsd220n06tl | 0.7569 | | 1168 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RSD220 | Mosfet (Óxido de metal) | CPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 22a (TA) | 4V, 10V | - | - | ± 20V | - | 20W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
| Sh8k25gz0tb | 0.7300 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sh8k25 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W (TA) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 5.2a (TA) | 85mohm @ 5.2a, 10v | 2.5V @ 1MA | 1.7nc @ 5V | 100pf @ 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
| US6X5TR | 0.2628 | | 8378 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | US6X5 | 1 W | Tumt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 12 V | 2 A | 100NA (ICBO) | NPN | 180mv @ 50 mm, 1a | 270 @ 200MA, 2V | 360MHz | ||||||||||||||||||||||||||
| Rrr030p03tl | 0.6000 | | 10 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-96 | RRR030 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 3a (TA) | 4V, 10V | 75mohm @ 3a, 10v | 2.5V @ 1MA | 5.2 NC @ 5 V | ± 20V | 480 pf @ 10 V | - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||
| RQ5E030AJTCL | 0.4600 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-96 | RQ5E030 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 3a (TA) | 4.5V | 75mohm @ 3a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 2.1 NC @ 4.5 V | ± 12V | 240 pf @ 15 V | - | 1W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| RCX300N20 | 1.9000 | | 305 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | RCX300 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 200 V | 30A (TC) | 10V | 80mohm @ 15a, 10v | 5V @ 1MA | 60 NC @ 10 V | ± 30V | 3200 pf @ 25 V | - | 2.23W (TA), 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | RW1E025RPT2CR | - | | 5974 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | RW1E025 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-wemt | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | Canal P | 30 V | 2.5a (TA) | 4V, 10V | 75mohm @ 2.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 5.2 NC @ 5 V | ± 20V | 480 pf @ 10 V | - | 700MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
| RQ5H020SPTL | 0.5900 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-96 | RQ5H020 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 45 V | 2a (TA) | 4V, 10V | 190mohm @ 2a, 10v | 3V @ 1MA | 9.5 NC @ 10 V | ± 20V | 500 pf @ 10 V | - | 540MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
| RRL035P03TR | 0.4500 | | 936 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | RRL035 | Mosfet (Óxido de metal) | Tumt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 3.5a (TA) | 4V, 10V | 50mohm @ 3.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 8 NC @ 5 V | ± 20V | 800 pf @ 10 V | - | 320MW (TA) |
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