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Transistores (3592)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Dtb114ect116 | 0.3700 |  | 9479 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Dtb114 | 200 MW | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 500 mA | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 2.5 mA, 50 mA | 56 @ 50 mm, 5V | 200 MHz | 10 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||
 | R6009knjtl | 1.9600 | | 20 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | R6009 | Mosfet (Óxido de metal) | LPTS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 9A (TC) | 10V | 535mohm @ 2.8a, 10V | 5V @ 1MA | 16.5 NC @ 10 V | ± 20V | 540 pf @ 25 V | - | 94W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | R6024knx | 2.8800 | | 495 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | R6024 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 24a (TC) | 10V | 165mohm @ 11.3a, 10v | 5V @ 1MA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 2000 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | Rq6e085bntcr | 0.9200 | | 530 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | RQ6E085 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT6 (SC-95) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 8.5A (TC) | 10V | 14.4mohm @ 8.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 32.7 NC @ 10 V | ± 20V | 1350 pf @ 15 V | - | 1.25W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | RQ7E110AJTCR | 0.9700 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | RQ7E110 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 11a (TC) | 4.5V | 9mohm @ 4.5a, 11v | 1.5V @ 10mA | 22 NC @ 4.5 V | ± 12V | 2410 pf @ 15 V | - | 1.5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| R6030KNXC7 | 4.2600 | | 500 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | R6030 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 30A (TC) | 10V | 130mohm @ 14.5a, 10v | 5V @ 1MA | 56 NC @ 10 V | ± 20V | 2350 pf @ 25 V | - | 86W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | Rtl020p02fratr | 0.4200 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | RTL020 | Mosfet (Óxido de metal) | Tumt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 2a (TA) | 2.5V, 4.5V | 135mohm @ 2a, 4.5V | 2v @ 1 mapa | 4.9 NC @ 4.5 V | ± 12V | 430 pf @ 10 V | - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
 | EMD2FHAT2R | 0.3800 | | 121 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | EMD2FHAT2 | 150MW | EMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | - | 100mA | - | 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5MA, 5V | 250MHz | 22 kohms | 22 kohms | |||||||||||||||||||||||||||
 | RGS00TS65DHRC11 | 5.4900 | | 8290 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Rgs00 | Estándar | 326 W | To-247n | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 50A, 10ohm, 15V | 103 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 88 A | 150 A | 2.1V @ 15V, 50A | 1.46mj (Encendido), 1.29mj (apagado) | 58 NC | 36NS/115NS | ||||||||||||||||||||||||
| Rrl025p03fratr | 0.4900 | | 25 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | RRL025 | Mosfet (Óxido de metal) | Tumt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 2.5a (TA) | 4V, 10V | 75mohm @ 2.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 480 pf @ 10 V | - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
 | Dtc143xmfhat2l | 0.2600 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sot-723 | DTC143 | 150 MW | VMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 100 mA | - | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 4.7 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Sp8m4fratb | 2.6300 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sp8m4 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 30V | 9a (TA), 7a (TA) | 18mohm @ 9a, 10v, 28mohm @ 7a, 10v | 2.5V @ 1MA | 15NC @ 5V, 25NC @ 5V | 1190pf @ 10V, 2600pf @ 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | Rd3l150sntl1 | 1.2400 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RD3L150 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 15a (TA) | 4V, 10V | 40mohm @ 15a, 10v | 3V @ 1MA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 930 pf @ 10 V | - | 20W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| Rd3p175sntl1 | 1.7000 | | 14 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RD3P175 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 17.5a (TA) | 4V, 10V | 105mohm @ 8.8a, 10v | 2.5V @ 1MA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 950 pf @ 25 V | - | 20W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | RW1C020UNT2R | - | | 1639 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | RW1C020 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-wemt | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | N-canal | 20 V | 2a (TA) | 1.5V, 4.5V | 105mohm @ 2a, 4.5V | 1V @ 1MA | 2 NC @ 4.5 V | ± 10V | 180 pf @ 10 V | - | 400MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||
| US6M11TR | 0.6700 | | 17 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | US6M11 | Mosfet (Óxido de metal) | 1W | Tumt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V, 12V | 1.5a, 1.3a | 180mohm @ 1.5a, 4.5V | 1V @ 1MA | 1.8nc @ 4.5V | 110pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||
| EMF9T2R | 0.1998 | | 1638 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | NPN DE 12V, 30V N-CANAL | Propósito general | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | EMF9T2 | EMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | NPN DE 500 MA, 100 MA-CANAL | NPN, N-Canal | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMST8098T146 | 0.4700 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMST8098 | 350 MW | Smt3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 V | 200 MA | 100na | NPN | 300mv @ 10 Ma, 100 Ma | 100 @ 1 mapa, 5v | 350MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Umf32ntr | 0.1172 | | 3590 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | PNP DE 50V, 30V N-CANAL | Propósito general | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | UMF32 | UMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | PNP DE 100 MA, 100 MA-CANAL | PNP Pre-Sesgado, Canal N | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| RCX120N25 | 2.7400 | | 1462 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | RCX120 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 250 V | 12a (TA) | 10V | - | - | ± 30V | - | 2.23W (TA), 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| RK7002BT116 | 0.3200 | | 36 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | RK7002 | Mosfet (Óxido de metal) | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 250 mA (TA) | 2.5V, 10V | 2.4ohm @ 250 mA, 10V | 2.3V @ 1MA | ± 20V | 15 pf @ 25 V | - | 200MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||
 | RRH140P03TB1 | 2.8100 | | 13 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | RRH140 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 14a (TA) | 4V, 10V | 7mohm @ 14a, 10v | 2.5V @ 1MA | 80 NC @ 5 V | ± 20V | 8000 pf @ 10 V | - | 650MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||
| RSH140N03TB1 | 0.9540 | | 9328 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | RSH140 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 14a (TA) | 4V, 10V | - | - | ± 20V | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
 | Rs1p600betb1 | 2.8000 | | 1910 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Rs1p | Mosfet (Óxido de metal) | 8-HSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 17.5a (TA), 60A (TC) | 10V | 9.7mohm @ 17.5a, 10v | 4V @ 500 µA | 33 NC @ 10 V | ± 20V | 2200 pf @ 50 V | - | 3W (TA), 35W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | Dtc113zu3t106 | 0.2000 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | DTC113 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | - | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 1 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||
| Rsj451n04fratl | 2.5800 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | RSJ451 | Mosfet (Óxido de metal) | LPTS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 40 V | 45a (TC) | 10V | 13.5mohm @ 25A, 10V | 3V @ 1MA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| Rd3h045spfratl | 1.4300 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RD3H045 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 45 V | 4.5a (TA) | 4V, 10V | 155mohm @ 4.5a, 10v | 3V @ 1MA | 12 NC @ 5 V | ± 20V | 550 pf @ 10 V | - | 15W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| Rd3p050snfratl | 1.4100 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RD3P050 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 5A (TA) | 4V, 10V | 190mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 530 pf @ 25 V | - | 15W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| Umd25ntr | 0.4000 | | 8 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | UMD25 | 150MW | UMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100mA | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 80 @ 10mA, 5V | 250MHz | 2.2 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||
| Dta124ecat116 | 0.2700 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Dta124 | 200 MW | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 20 V | 100 mA | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 22 kohms | 22 kohms |
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