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Transistores (3592)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
RW4E045ATTCL1 Rohm Semiconductor RW4E045ATTCL1 0.8100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-Powerufdfn RW4E045 Mosfet (Óxido de metal) DFN1616-7T descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 4.5a (TA) 4.5V, 10V 48mohm @ 4.5a, 10v 2.5V @ 1MA 11 NC @ 10 V ± 20V 485 pf @ 15 V - 1.5W (TA)
RGW60TS65EHRC11 Rohm Semiconductor RGW60TS65EHRC11 7.1200
RFQ
 ECAD 5127 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 RGW60 Estándar 178 W To-247n descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-RGW60TS65EHRC11 EAR99 8541.29.0095 450 400V, 15a, 10ohm, 15V 146 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 64 A 120 A 1.9V @ 15V, 30a 84 NC 37ns/101ns
SCT2280KEHRC11 Rohm Semiconductor SCT2280KEHRC11 15.1500
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 SCT2280 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) To-247n descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-SCT2280KEHRC11 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1200 V 14a (TC) 18V 364mohm @ 4a, 18V 4V @ 1.4MA 36 NC @ 400 V +22V, -6V 667 pf @ 800 V - 108W (TC)
SP8M41HZGTB Rohm Semiconductor Sp8m41hzgtb 1.6200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) SP8M41 Mosfet (Óxido de metal) 2W (TA) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Vecino del canal 80V 3.4a (TA), 2.6a (TA) 130mohm @ 3.4a, 10v, 240mohm @ 2.6a, 10v 2.5V @ 1MA 9.2NC @ 5V, 11.5nc @ 5V 600pf @ 10V, 1000pf @ 10V -
RGW80TS65HRC11 Rohm Semiconductor RGW80TS65HRC11 6.9900
RFQ
 ECAD 5388 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 RGW80 Estándar 214 W To-247n descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-RGW80TS65HRC11 EAR99 8541.29.0095 450 400V, 20a, 10ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 650 V 80 A 160 A 1.9V @ 15V, 40A 110 NC 42ns/148ns
SCT2160KEHRC11 Rohm Semiconductor SCT2160KEHRC11 21.9300
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 SCT2160 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) To-247n descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-SCT2160KEHRC11 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1200 V 22a (TC) 18V 208mohm @ 7a, 18V 4V @ 2.5MA 62 NC @ 18 V +22V, -6V 1200 pf @ 800 V - 165W (TC)
RQ3G110ATTB Rohm Semiconductor Rq3g110attb 1.6100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn RQ3G110 Mosfet (Óxido de metal) 8-HSMT (3.2x3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 40 V 11a (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 12.4mohm @ 11a, 10v 2.5V @ 1MA 46 NC @ 10 V ± 20V 2750 pf @ 20 V - 2W (TA)
R6511KND3TL1 Rohm Semiconductor R6511KND3TL1 2.2900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 R6511 Mosfet (Óxido de metal) Un 252 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 650 V 11a (TC) 10V 400mohm @ 3.8a, 10V 5V @ 320 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 760 pf @ 25 V - 124W (TC)
R6030KNXC7G Rohm Semiconductor R6030KNXC7G 6.6700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero R6030 Mosfet (Óxido de metal) Un 220fm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-R6030KNXC7G EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 30A (TA) 10V 130mohm @ 14.5a, 10v 5V @ 1MA 56 NC @ 10 V ± 20V 2350 pf @ 25 V - 86W (TC)
R6024ENXC7G Rohm Semiconductor R6024EnXC7G 5.5800
RFQ
 ECAD 980 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero R6024 Mosfet (Óxido de metal) Un 220fm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-R6024ENXC7G EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 24a (TA) 10V 165mohm @ 11.3a, 10v 4V @ 1MA 70 NC @ 10 V ± 20V 1650 pf @ 25 V - 74W (TC)
R6504ENXC7G Rohm Semiconductor R6504EnXC7G 2.5300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero R6504 Mosfet (Óxido de metal) Un 220fm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-R6504EnXC7G EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 4A (TA) 10V 1.05ohm @ 1.5a, 10v 4V @ 130 µA 15 NC @ 10 V ± 20V 220 pf @ 25 V - 40W (TC)
R6515KNXC7G Rohm Semiconductor R6515KNXC7G 3.8300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero R6515 Mosfet (Óxido de metal) Un 220fm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-R6515KNXC7G EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 15a (TA) 10V 315mohm @ 6.5a, 10v 5V @ 430 µA 27.5 NC @ 10 V ± 20V 1050 pf @ 25 V - 60W (TC)
R6520ENXC7G Rohm Semiconductor R6520EnXC7G 5.3400
RFQ
 ECAD 987 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero R6520 Mosfet (Óxido de metal) Un 220fm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-R6520EnXC7G EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 20A (TA) 10V 205mohm @ 9.5a, 10V 4V @ 630 µA 61 NC @ 10 V ± 20V 1400 pf @ 25 V - 68W (TC)
R6524ENXC7G Rohm Semiconductor R6524EnXC7G 5.5800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero R6524 Mosfet (Óxido de metal) Un 220fm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-R6524EnXC7G EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 24a (TA) 10V 185mohm @ 11.3a, 10v 4V @ 750 µA 70 NC @ 10 V ± 20V 1650 pf @ 25 V - 74W (TC)
RF4L070BGTCR Rohm Semiconductor RF4L070BGTCR 1.0900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powerudfn RF4L070 Mosfet (Óxido de metal) DFN2020-8S descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 7a (TA) 4.5V, 10V 27mohm @ 7a, 10v 2.5V @ 1MA 7.6 NC @ 10 V ± 20V 460 pf @ 30 V - 2W (TA)
R6020KNXC7G Rohm Semiconductor R6020KNXC7G 4.9000
RFQ
 ECAD 775 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero R6020 Mosfet (Óxido de metal) Un 220fm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-R6020KNXC7G EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 20A (TA) 10V 196mohm @ 9.5a, 10V 5V @ 1MA 40 NC @ 10 V ± 20V 1550 pf @ 25 V - 68W (TC)
R6524KNXC7G Rohm Semiconductor R6524knxc7g 5.5800
RFQ
 ECAD 990 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero R6524 Mosfet (Óxido de metal) Un 220fm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-R6524KNXC7G EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 24a (TA) 10V 185mohm @ 11.3a, 10v 5V @ 750 µA 45 NC @ 10 V ± 20V 1850 pf @ 25 V - 74W (TC)
R6504KNXC7G Rohm Semiconductor R6504KNXC7G 2.5300
RFQ
 ECAD 995 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero R6504 Mosfet (Óxido de metal) Un 220fm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-R6504KNXC7G EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 4A (TA) 10V 1.05ohm @ 1.5a, 10v 5V @ 130 µA 10 NC @ 10 V ± 20V 270 pf @ 25 V - 40W (TC)
R6002ENHTB1 Rohm Semiconductor R6002ENHTB1 1.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) R6002 Mosfet (Óxido de metal) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 1.7a (TA) 10V 3.4ohm @ 500 mA, 10V 4V @ 1MA 6.5 NC @ 10 V ± 20V 65 pf @ 25 V - 2W (TA)
BC847CHZGT116 Rohm Semiconductor Bc847chzgt116 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW SST3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5 Ma, 100 Ma 420 @ 2mA, 5V 300MHz
SH8K26GZ0TB1 Rohm Semiconductor Sh8k26gz0tb1 1.3200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Sh8k26 Mosfet (Óxido de metal) 2W (TA) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 40V 6a (TA) 38mohm @ 6a, 10v 2.5V @ 1MA 2.9nc @ 5V 280pf @ 10V -
BSS138BKT116 Rohm Semiconductor BSS138BKT116 0.4200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BSS138 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 400 mA (TA) 2.5V, 10V 680mohm @ 400 mA, 10V 2V @ 10 µA ± 20V 47 pf @ 30 V - 200MW (TA)
DTC115EUBTL Rohm Semiconductor Dtc115eubtl 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-85 DTC115 200 MW UMT3F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 82 @ 5MA, 5V 250 MHz 100 kohms 100 kohms
RS3E130ATTB1 Rohm Semiconductor Rs3e130attb1 2.0500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Rs3e Mosfet (Óxido de metal) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 13a (TA) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 13a, 10v 2.5V @ 2mA 83 NC @ 10 V ± 20V 3730 pf @ 15 V - 1.4W (TA)
RGS00TS65EHRC11 Rohm Semiconductor RGS00TS65EHRC11 9.6400
RFQ
 ECAD 7821 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Rgs00 Estándar 326 W To-247n descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-RGS00TS65EHRC11 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 50A, 10ohm, 15V 113 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 88 A 150 A 2.1V @ 15V, 50A - 58 NC 36NS/115NS
DTA124TCAT116 Rohm Semiconductor Dta124tcat116 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Dta124 200 MW SST3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 5 mA 100 @ 1 mapa, 5v 250 MHz 22 kohms
DTC123TCAT116 Rohm Semiconductor Dtc123tcat116 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DTC123 200 MW SST3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 100 @ 1 mapa, 5v 250 MHz 2.2 kohms
RQ3E100BNTB1 Rohm Semiconductor RQ3E100BNTB1 1.0700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn RQ3E100 Mosfet (Óxido de metal) 8-HSMT (3.2x3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 10a (TA), 21a (TC) 4.5V, 10V 10.4mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 1MA 22 NC @ 10 V ± 20V 1100 pf @ 15 V - 2W (TA), 15W (TC)
RXL035N03TCR Rohm Semiconductor RXL035N03TCR 0.7800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-smd, planos de cables RXL035 Mosfet (Óxido de metal) Tumt6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 3.5a (TA) 4V, 10V 50mohm @ 3.5a, 10v 2.5V @ 1MA 3.3 NC @ 5 V ± 20V 180 pf @ 10 V - 910MW (TA)
RQ3E070BNTB1 Rohm Semiconductor Rq3e070bntb1 0.9300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn RQ3E070 Mosfet (Óxido de metal) 8-HSMT (3.2x3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 7a (TA), 15a (TC) 4.5V, 10V 27mohm @ 7a, 10v 2.5V @ 1MA 8.9 NC @ 10 V ± 20V 410 pf @ 15 V - 2W (TA), 13W (TC)
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