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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RSS090P03MB3TB1 | - | ![]() | 2149 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-RSS090P03MB3TB1TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 9a (TA) | 4V, 10V | 14mohm @ 9a, 10v | 2.5V @ 1MA | 39 NC @ 5 V | ± 20V | 4000 pf @ 10 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||
![]() | Sp8j62tb1 | - | ![]() | 4034 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | SP8J62 | - | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-SP8J62TB1TR | Obsoleto | 2.500 | - | ||||||||||||||||||||||||||
RSS100N03TB1 | - | ![]() | 1719 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-RSS100N03TB1TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 10a (TA) | 4V, 10V | 13.3mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 1MA | 20 NC @ 5 V | 20V | 1070 pf @ 10 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||
![]() | RSS065N06FW6TB1 | - | ![]() | 9949 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-RSS065N06FW6TB1TR | Obsoleto | 2.500 | 6.5a | ||||||||||||||||||||||||||||
R6520ENZC17 | 6.1700 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6520 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-R6520ENZC17 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 20A (TC) | 10V | 205mohm @ 9.5a, 10V | 4V @ 630 µA | 61 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | |||||||||||
R6530ENZC17 | 6.5000 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6530 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-R6530ENZC17 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 30A (TC) | 10V | 140mohm @ 14.5a, 10v | 4V @ 960 µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 2100 pf @ 25 V | - | 86W (TC) | |||||||||||
R6515KNZC17 | 4.9800 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6515 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-R6515KNZC17 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 15A (TC) | 10V | 315mohm @ 6.5a, 10v | 5V @ 430 µA | 27.5 NC @ 10 V | ± 20V | 1050 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | |||||||||||
R6535KNZC17 | 7.8500 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6535 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-R6535KNZC17 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 35A (TC) | 10V | 115mohm @ 18.1a, 10v | 5V @ 1.21MA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 3000 pf @ 25 V | - | 102W (TC) | |||||||||||
R6524ENZC17 | 6.3700 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6524 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-R6524ENZC17 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 185mohm @ 11.3a, 10v | 4V @ 750 µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 1650 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | |||||||||||
R6050JNZC8 | - | ![]() | 7204 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6050 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 846-R6050JNZC8 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 50A (TC) | 15V | 83mohm @ 25A, 15V | 7V @ 5 mm | 120 NC @ 15 V | ± 30V | 4500 pf @ 100 V | - | 120W (TC) | |||||||||||
R6535ENZC8 | - | ![]() | 4858 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6535 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 846-R6535ENZC8 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 35A (TC) | 10V | 115mohm @ 18.1a, 10v | 4V @ 1.21MA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 2600 pf @ 25 V | - | 102W (TC) | |||||||||||
R6025AZFL1C8 | - | ![]() | 8796 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6025 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 846-R6025AZFL1C8 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 25A (TC) | 10V | 150mohm @ 12.5a, 10V | 4.5V @ 1MA | 88 NC @ 10 V | ± 30V | 3250 pf @ 10 V | - | 150W (TC) | |||||||||||
R6020AnzFL1C8 | - | ![]() | 4337 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6020 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 846-R6020AnzFL1C8 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 20A (TA) | 10V | 220mohm @ 10a, 10v | 4.15V @ 1MA | 65 NC @ 10 V | ± 30V | 2040 pf @ 25 V | - | 120W (TC) | |||||||||||
R6030ENZM12C8 | - | ![]() | 1373 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6030 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 846-R6030ENZM12C8 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 30A (TC) | 10V | 130mohm @ 14.5a, 10v | 4V @ 1MA | 85 NC @ 10 V | ± 20V | 2100 pf @ 25 V | - | 120W (TC) | |||||||||||
R6530ENZC8 | - | ![]() | 7267 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6530 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 846-R6530ENZC8 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 30A (TC) | 10V | 140mohm @ 14.5a, 10v | 4V @ 960 µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 2100 pf @ 25 V | - | 86W (TC) | |||||||||||
R6524ENZC8 | - | ![]() | 1704 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6524 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 846-R6524ENZC8 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 185mohm @ 11.3a, 10v | 4V @ 750 µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 1650 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | |||||||||||
R6520ENZC8 | - | ![]() | 9518 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6520 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 846-R6520ENZC8 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 20A (TC) | 10V | 205mohm @ 9.5a, 10V | 4V @ 630 µA | 61 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | |||||||||||
R6035ENZC17 | 7.8500 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6035 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-R6035ENZC17 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 35A (TC) | 10V | 102mohm @ 18.1a, 10v | 4V @ 1MA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 2720 pf @ 25 V | - | 120W (TC) | |||||||||||
![]() | BSM400D12P3G002 | 1.0000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | BSM400 | CARBURO DE SILICIO (SIC) | 1570W (TC) | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-BSM400D12P3G002 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4 | 2 Canales N (Medio Puente) | 1200V (1.2kv) | 400A (TC) | - | 5.6V @ 109.2MA | - | 17000PF @ 10V | - | ||||||||||||
![]() | Rq7l050attcr | 1.2100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | RQ7L050 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 5A (TA) | 4.5V, 10V | 39mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 2160 pf @ 30 V | - | 1.1W (TA) | |||||||||||
![]() | Rd3g07battl1 | 2.3900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Rd3g07 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 40 V | 70A (TA) | 4.5V, 10V | 7.1mohm @ 70a, 10v | 2.5V @ 1MA | 105 NC @ 10 V | ± 20V | 5550 pf @ 20 V | - | 101W (TA) | |||||||||||
![]() | QH8JB5TCR | 1.2600 | ![]() | 662 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | QH8JB5 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1W (TA) | TSMT8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 40V | 5A (TA) | 41mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 17.2NC @ 10V | 920pf @ 20V | - | |||||||||||||
![]() | Rv8l002snhzgg2cr | 0.5800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xfdfn | RV8L002 | Mosfet (Óxido de metal) | DFN1010-3W | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 8,000 | N-canal | 60 V | 250 mA (TA) | 2.4ohm @ 250 mA, 10V | 2.3V @ 1MA | ± 20V | 15 pf @ 25 V | - | 1W (TA) | |||||||||||||
![]() | DSC2A01T0L | - | ![]() | 6582 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 200 MW | Mini3-G3-B | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-DSC2A01T0LTR | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 V | 50 Ma | 1 µA | NPN | 200 MV @ 1 MMA, 10 Mape | 1000 @ 2mA, 10V | 150MHz | ||||||||||||||||
![]() | Rrr030p03hzgtl | 0.6300 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-96 | RRR030 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 3a (TA) | 4V, 10V | 75mohm @ 3a, 10v | 2.5V @ 1MA | 5.2 NC @ 5 V | ± 20V | 480 pf @ 10 V | - | 700MW (TA) | |||||||||||
![]() | RX3G07CGNC16 | 2.4700 | ![]() | 602 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Rx3g07 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RX3G07CGNC16 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 40 V | 70A (TC) | 4.7mohm @ 70a, 10v | 2.5V @ 500 µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 2410 pf @ 20 V | - | 78W (TC) | |||||||||||
![]() | Rs1g201attb1 | 2.8600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Rs1g | Mosfet (Óxido de metal) | 8-HSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 40 V | 20A (TA), 78A (TC) | 5.2mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 1MA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 6890 pf @ 20 V | - | 3W (TA), 40W (TC) | ||||||||||||
![]() | Rtf016n05fratl | 0.6900 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C | Montaje en superficie | 3-SMD, planos de cables | RTF016 | Mosfet (Óxido de metal) | Tumt3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 45 V | 1.6a (TA) | 190mohm @ 1.6a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 2.3 NC @ 4.5 V | ± 12V | 150 pf @ 10 V | - | 800MW | ||||||||||||
![]() | HP8MA2TB1 | 1.8500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | HP8MA2 | Mosfet (Óxido de metal) | 3W (TA) | 8-HSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 30V | 18a (TA), 15a (TA) | 9.6mohm @ 18a, 10v, 17.9mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 1MA | 22nc @ 10V, 25nc @ 10V | 1100pf @ 15V, 1250pf @ 15V | - | |||||||||||||
![]() | HS8K1TB | 0.8800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-udfn almohadilla exposición | HS8K1 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W (TA) | HSML3030L10 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 10a (TA), 11a (TA) | 14.6mohm @ 10a, 10v, 11.8mohm @ 11a, 10v | 2.5V @ 1MA | 6nc @ 10V, 7.4nc @ 10V | 348pf @ 15V, 429pf @ 15V | - |
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