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Transistores (427)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CSD8733333Q3D | 1.3000 |  | 2 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD8733333Q3 | Mosfet (Óxido de metal) | 6W | 8-Vson (3.3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Asimétrico del canal (dual) | 30V | 15A | 14.3mohm @ 4a, 8V | 1.2V @ 250 µA | 4.6nc @ 4.5V | 662pf @ 15V | Puerta de Nivel de Lógica, Unidad de 5 V | ||||||||||||
 | CSD17578Q3A | 0.6900 | | 32 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | CSD17578 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Vsonp (3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 20A (TA) | 4.5V, 10V | 7.3mohm @ 10a, 10v | 1.9V @ 250 µA | 22.2 NC @ 10 V | ± 20V | 1590 pf @ 15 V | - | 3.2W (TA), 37W (TC) | ||||||||||
 | CSD23202W10 | 0.4200 | | 4 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-UFBGA, DSBGA | CSD23202 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-DSBGA (1x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 2.2a (TA) | 1.5V, 4.5V | 53mohm @ 500 mA, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 3.8 NC @ 4.5 V | -6v | 512 pf @ 6 V | - | 1W (TA) | ||||||||||
 | CSD16570Q5BT | 2.8000 | | 26 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD16570 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Vsonp (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | 25 V | 100A (TA) | 4.5V, 10V | 0.59mohm @ 50A, 10V | 1.9V @ 250 µA | 250 nc @ 10 V | ± 20V | 14000 pf @ 12 V | - | 3.2W (TA), 195W (TC) | ||||||||||
 | CSD23203WT | 1.1000 | | 40 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-UFBGA, DSBGA | CSD23203 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-DSBGA (1x1.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal P | 8 V | 3a (TA) | 1.8V, 4.5V | 19.4mohm @ 1.5a, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | 6.3 NC @ 4.5 V | -6v | 914 pf @ 4 V | - | 750MW (TA) | ||||||||||
 | CSD22204WT | 1.2100 | | 6 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 9-UFBGA, DSBGA | CSD22204 | Mosfet (Óxido de metal) | 9-DSBGA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal P | 8 V | 5A (TA) | 2.5V, 4.5V | 9.9mohm @ 2a, 4.5V | 950MV @ 250 µA | 24.6 NC @ 4.5 V | -6v | 1130 pf @ 4 V | - | 1.7w (TA) | ||||||||||
 | Csd17313q2t | 1.1900 | | 26 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 6 wdfn | CSD17313 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-wson (2x2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | 30 V | 5A (TA) | 3V, 8V | 30mohm @ 4a, 8V | 1.8V @ 250 µA | 2.7 NC @ 4.5 V | +10V, -8V | 340 pf @ 15 V | - | 2.4W (TA), 17W (TC) | ||||||||||
 | CSD87502Q2 | 0.5900 | | 76 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 6 wdfn | CSD87502 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.3w | 6-wson (2x2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 5A | 32.4mohm @ 4a, 10v | 2V @ 250 µA | 6NC @ 10V | 353pf @ 15V | - | ||||||||||||
 | CSD23280F3 | 0.4500 | | 63 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Femtofet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xfdfn | CSD23280 | Mosfet (Óxido de metal) | 3-Picostar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 1.8a (TA) | 1.5V, 4.5V | 116mohm @ 400mA, 4.5V | 950MV @ 250 µA | 1.23 NC @ 4.5 V | -6v | 234 pf @ 6 V | - | 500MW (TA) | ||||||||||
 | CSD87335Q33DT | 1.9200 | | 232 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powerldfn | CSD87335Q3 | Mosfet (Óxido de metal) | 6W | 8-LSON (3.3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 25A | - | 1.9V @ 250 µA | 7.4nc @ 4.5V | 1050pf @ 15V | - | ||||||||||||
 | Csd19505kttt | 4.1300 | | 79 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-263-4, D²PAK (3 cables + Pestaña), TO-263AA | CSD19505 | Mosfet (Óxido de metal) | Ddpak/to-263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 80 V | 200a (TA) | 6V, 10V | 3.1mohm @ 100a, 10v | 3.2V @ 250 µA | 76 NC @ 10 V | ± 20V | 7920 pf @ 40 V | - | 300W (TC) | ||||||||||
| Csd8633336q3d | 0.7232 | | 2118 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD86336Q3 | Mosfet (Óxido de metal) | 6W | 8-Vson (3.3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canales N (Medio Puente) | 25V | 20A (TA) | 9.1mohm @ 20a, 5V, 3.4mohm @ 20a, 5V | 1.9V @ 250 µA, 1.6V @ 250 µA | 3.8nc @ 45V, 7.4nc @ 45V | 494pf @ 12.5V, 970pf @ 12.5V | Puerta de Nivel de Lógica, Unidad de 5 V | ||||||||||||
| CSD25303W1015 | - | | 2361 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-UFBGA, DSBGA | CSD2530 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-DSBGA (1x1.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3A (TC) | 1.8V, 4.5V | 58mohm @ 1.5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 4.3 NC @ 4.5 V | ± 8V | 435 pf @ 10 V | - | 1.5W (TA) | ||||||||||
 | Sn75468ng4 | - | | 9120 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Automotriz, AEC-Q100 | Tubo | Descontinuado en sic | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | 75468 | - | 16 PDIP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 100V | 500mA | - | 7 NPN Darlington | 1.6V @ 500 µA, 350 mA | - | - | ||||||||||||||
 | Sn75468dr | 0.8800 | | 22 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | 75468 | - | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 100V | 500mA | - | 7 NPN Darlington | 1.6V @ 500 µA, 350 mA | - | - | ||||||||||||||
| CSD17581Q5A | 0.8800 | | 1 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD17581 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Vsonp (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 24a (TA), 123A (TC) | 4.5V, 10V | 3.4mohm @ 16A, 10V | 1.7V @ 250 µA | 54 NC @ 10 V | ± 20V | 3640 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA), 83W (TC) | ||||||||||
 | CSD23285F5 | 0.5300 | | 20 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Femtofet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xfdfn | CSD23285 | Mosfet (Óxido de metal) | 3-Picostar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 5.4a (TA) | 1.5V, 4.5V | 35mohm @ 1a, 4.5V | 950MV @ 250 µA | 4.2 NC @ 4.5 V | -6v | 628 pf @ 6 V | - | 500MW (TA) | ||||||||||
| CSD13380F3T | 0.9400 | | 29 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Femtofet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xfdfn | CSD13380 | Mosfet (Óxido de metal) | 3-Picostar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | N-canal | 12 V | 3.6a (TA) | 1.8V, 4.5V | 76mohm @ 400mA, 4.5V | 1.3V @ 250 µA | 1.2 NC @ 4.5 V | 8V | 156 pf @ 6 V | - | 500MW (TA) | ||||||||||
| CSD17571Q2 | 0.5000 | | 26 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 6 wdfn | CSD17571 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-Son (2x2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 22a (TA) | 4.5V, 10V | 29mohm @ 5a, 4.5V | 2V @ 250 µA | 3.1 NC @ 4.5 V | ± 20V | 468 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||
 | CSD85312Q3E | 1.2800 | | 2011 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | CSD85312 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.5w | 8-Vson (3.3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Fuente Común de Canal N (Dual) | 20V | 39A | 12.4mohm @ 10a, 8V | 1.4V @ 250 µA | 15.2NC @ 4.5V | 2390pf @ 10V | Puerta de Nivel de Lógica, Unidad de 5 V | ||||||||||||
| CSD19502Q5B | 2.6500 | | 14 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD19502 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-vson-clip (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 80 V | 100A (TA) | 6V, 10V | 4.1mohm @ 19a, 10v | 3.3V @ 250 µA | 62 NC @ 10 V | ± 20V | 4870 pf @ 40 V | - | 3.1W (TA), 195W (TC) | ||||||||||
| CSD19533Q5A | 1.5600 | | 579 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD19533 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Vsonp (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 100A (TA) | 6V, 10V | 9.4mohm @ 13a, 10v | 3.4V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 2670 pf @ 50 V | - | 3.2W (TA), 96W (TC) | ||||||||||
 | CSD19505kcs | 3.2800 | | 1261 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | CSD19505 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 80 V | 150A (TA) | 6V, 10V | 3.8mohm @ 100a, 6V | 3.2V @ 250 µA | 76 NC @ 10 V | ± 20V | 7820 pf @ 40 V | - | 300W (TC) | ||||||||||
 | CSD25501F3 | 0.4300 | | 11 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Femtofet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xflga | CSD25501 | Mosfet (Óxido de metal) | 3 LGA (0.73x0.64) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3.6a (TA) | 1.8V, 4.5V | 76mohm @ 400mA, 4.5V | 1.05V @ 250 µA | 1.33 NC @ 4.5 V | -20V | 385 pf @ 10 V | - | 500MW (TA) | ||||||||||
| CSD25501F3T | 0.8900 | | 22 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Femtofet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xflga | CSD25501F3 | Mosfet (Óxido de metal) | 3 LGA (0.73x0.64) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal P | 20 V | 3.6a (TA) | 1.8V, 4.5V | 76mohm @ 400mA, 4.5V | 1.05V @ 250 µA | 1.33 NC @ 4.5 V | -20V | 385 pf @ 10 V | - | 500MW (TA) | ||||||||||
 | CSD16301Q2 | 0.5800 | | 21 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | CSD16301 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-Son | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 5A (TC) | 3V, 8V | 24mohm @ 4a, 8v | 1.55V @ 250 µA | 2.8 NC @ 4.5 V | +10V, -8V | 340 pf @ 12.5 V | - | 2.3W (TA) | ||||||||||
 | CSD16323Q3 | 1.1700 | | 25 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD16323 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-vson-clip (3.3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 V | 21a (TA), 60a (TC) | 3V, 8V | 4.5mohm @ 24a, 8V | 1.4V @ 250 µA | 8.4 NC @ 4.5 V | +10V, -8V | 1300 pf @ 12.5 V | - | 3W (TA) | ||||||||||
 | TPS1100DR | 0.7130 | | 1041 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | TPS1100 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | Canal P | 15 V | 1.6a (TA) | 2.7V, 10V | 180mohm @ 1.5a, 10V | 1.5V @ 250 µA | 5.45 NC @ 10 V | +2V, -15V | - | 791MW (TA) | |||||||||||
 | CSD86311W1723 | 0.4542 | | 1940 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 12-UFBGA, DSBGA | CSD86311 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.5w | 12-DSBGA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 25V | 4.5a | 39mohm @ 2a, 8V | 1.4V @ 250 µA | 4NC @ 4.5V | 585pf @ 12.5V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||
 | TPS2013APWR | 0.5500 | | 630 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | * | Una granela | Activo | TPS2013 | - | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 630 | - |
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