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Transistores (427)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Drenaje real (ID) - Max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CSD88584Q5DCT | 4.5200 |  | 6077 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 22-POWERTFDFN | CSD88584Q5 | Mosfet (Óxido de metal) | 12W | 22-Vson-Clip (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 Canales N (Medio Puente) | 40V | - | 0.95mohm @ 30a, 10V | 2.3V @ 250 µA | 88nc @ 4.5V | 12400pf @ 20V | - | ||||||||||||||||
 | CSD87503Q3ET | 1.7500 | | 7 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | CSD87503 | Mosfet (Óxido de metal) | 15.6w | 8-Vson (3.3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 Fuente Común de Canal N (Dual) | 30V | 10a (TA) | - | 2.1V @ 250 µA | 17.4nc @ 4.5V | 1020pf @ 15V | - | ||||||||||||||||
 | CSD23202W10T | 1.0000 | | 15 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-UFBGA, DSBGA | CSD23202 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-DSBGA (1x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal P | 12 V | 2.2a (TA) | 1.5V, 4.5V | 53mohm @ 500 mA, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 3.8 NC @ 4.5 V | -6v | 512 pf @ 6 V | - | 1W (TA) | ||||||||||||||
 | Csd19532kttt | 2.8600 | | 10 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-263-4, D²PAK (3 cables + Pestaña), TO-263AA | CSD19532 | Mosfet (Óxido de metal) | Ddpak/to-263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 200a (TA) | 6V, 10V | 5.6mohm @ 90a, 10v | 3.2V @ 250 µA | 57 NC @ 10 V | ± 20V | 5060 pf @ 50 V | - | 250W (TC) | ||||||||||||||
 | CSD19532Q5B | 2.6400 | | 9 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD19532 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-vson-clip (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 100A (TA) | 6V, 10V | 4.9mohm @ 17a, 10v | 3.2V @ 250 µA | 62 NC @ 10 V | ± 20V | 4810 pf @ 50 V | - | 3.1W (TA), 195W (TC) | ||||||||||||||
 | CSD17585F5 | 0.4900 | | 88 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Femtofet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | CSD17585 | Mosfet (Óxido de metal) | 3-Picostar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 5.9a (TA) | 4.5V, 10V | 27mohm @ 900 mA, 10V | 1.7V @ 250 µA | 5.1 NC @ 10 V | 20V | 380 pf @ 15 V | - | 500MW (TA) | ||||||||||||||
 | CSD86360Q5D | 2.8100 | | 15 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powerldfn | CSD86360Q5 | Mosfet (Óxido de metal) | 13W | 8-LSON (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canales N (Medio Puente) | 25V | 50A | - | 2.1V @ 250 µA | 12.6nc @ 4.5V | 2060pf @ 12.5 | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||
 | CSD17382F4 | 0.4600 | | 8 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Femtofet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xfdfn | CSD17382 | Mosfet (Óxido de metal) | 3-Picostar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 2.3a (TA) | 1.8v, 8V | 64mohm @ 500 mA, 8V | 1.2V @ 250 µA | 2.7 NC @ 4.5 V | 10V | 347 pf @ 15 V | - | 500MW (TA) | ||||||||||||||
 | TPIC2202KC | 1.3400 | | 5 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | * | Una granela | Activo | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | JFE2140DR | 4.4800 | | 1 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | JFE2140 | 8-Soico | descascar | No Aplicable | 2 (1 Año) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 40 V | 13PF @ 5V | 40 V | 1.5 V @ 0.1 µA | 50 Ma | |||||||||||||||||||||
 | CSD17581Q5AT | 1.0400 | | 2 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD17581 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Vsonp (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | 30 V | 24a (TA), 123A (TC) | 4.5V, 10V | 3.4mohm @ 16A, 10V | 1.7V @ 250 µA | 54 NC @ 10 V | ± 20V | 3640 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA), 83W (TC) | ||||||||||||||
 | ULN2803ANG4 | - | | 5230 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 18 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | ULN2803 | - | 18 PDIP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | 50V | 500mA | - | 8 NPN Darlington | 1.6V @ 500 µA, 350 mA | - | - | ||||||||||||||||||
 | Sn75468ns | - | | 7870 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Sn7546x | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | SN75468 | - | 16-SO | - | ROHS3 Cumplante | 296-SN75468NS | 1 | 100V | 500mA | - | - | 1.6V @ 500 µA, 350 mA | - | - | |||||||||||||||||||||
| TPS1101D | 2.6800 | | 105 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | TPS1101 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 75 | Canal P | 15 V | 2.3a (TA) | 2.7V, 10V | 90mohm @ 2.5a, 10V | 1.5V @ 250 µA | 11.25 NC @ 10 V | +2V, -15V | - | 791MW (TA) | |||||||||||||||
| Csd19506kttt | 6.1100 | | 5586 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-263-4, D²PAK (3 cables + Pestaña), TO-263AA | CSD19506 | Mosfet (Óxido de metal) | Ddpak/to-263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 80 V | 200a (TA) | 6V, 10V | 2.3mohm @ 100a, 10V | 3.2V @ 250 µA | 156 NC @ 10 V | ± 20V | 12200 pf @ 40 V | - | 375W (TC) | ||||||||||||||
 | CSD17308Q3T | 1.0100 | | 830 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD17308 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-vson-clip (3.3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | 30 V | 14a (TA), 44A (TC) | 3V, 8V | 10.3mohm @ 10a, 8V | 1.8V @ 250 µA | 5.1 NC @ 4.5 V | +10V, -8V | 700 pf @ 15 V | - | 2.7W (TA), 28W (TC) | ||||||||||||||
| CSD1853333Q5A | 1.5100 | | 9 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD18533 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Vsonp (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 17A (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 5.9mohm @ 18a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 36 NC @ 10 V | ± 20V | 2750 pf @ 30 V | - | 3.2W (TA), 116W (TC) | ||||||||||||||
| CSD18502Q5B | 2.6200 | | 7 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD18502 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-vson-clip (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 V | 26a (TA), 100a (TC) | 4.5V, 10V | 2.3mohm @ 30a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 5070 pf @ 20 V | - | 3.2W (TA), 156W (TC) | ||||||||||||||
| CSD25213W10 | 0.4700 | | 13 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-UFBGA, DSBGA | CSD25213 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-DSBGA (1x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 1.6a (TA) | 2.5V, 4.5V | 47mohm @ 1a, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | 2.9 NC @ 4.5 V | -6v | 478 pf @ 10 V | - | 1W (TA) | ||||||||||||||
| CSD13201W10 | 0.5000 | | 49 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-UFBGA, DSBGA | CSD13201 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-DSBGA (1x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 12 V | 1.6a (TA) | 1.8V, 4.5V | 34mohm @ 1a, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | 2.9 NC @ 4.5 V | ± 8V | 462 pf @ 6 V | - | 1.2W (TA) | ||||||||||||||
| Csd88539nd | 0.9100 | | 7 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | CSD88539 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.1w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 15A | 28mohm @ 5a, 10v | 3.6V @ 250 µA | 9.4nc @ 10V | 741pf @ 30V | - | ||||||||||||||||
| CSD18537NQ5AT | 1.1000 | | 4 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD18537 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Vsonp (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 6V, 10V | 13mohm @ 12a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 1480 pf @ 30 V | - | 3.2W (TA), 75W (TC) | ||||||||||||||
 | CSD87384MT | 2.1400 | | 822 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 5 LGA | CSD87384 | Mosfet (Óxido de metal) | 8W | 5-PTAB (5x3.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 Canales N (Medio Puente) | 30V | 30A | 7.7mohm @ 25A, 8V | 1.9V @ 250 µA | 9.2NC @ 4.5V | 1150pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||
| Csd88537ndt | 1.6600 | | 5 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | CSD88537 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.1w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 15A | 15mohm @ 8a, 10v | 3.6V @ 250 µA | 18NC @ 10V | 1400pf @ 30V | - | ||||||||||||||||
| CSD19534Q5AT | 1.2600 | | 8 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD19534 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Vsonp (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | 100 V | 44a (TC) | 6V, 10V | 15.1mohm @ 10a, 10v | 3.4V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 1680 pf @ 50 V | - | 3.2W (TA), 63W (TC) | ||||||||||||||
 | CSD25304W1015 | 0.5000 | | 3 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-UFBGA, DSBGA | CSD25304 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-DSBGA (1x1.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3a (TA) | 1.8V, 4.5V | 32.5mohm @ 1.5a, 4.5V | 1.15V @ 250 µA | 4.4 NC @ 4.5 V | ± 8V | 595 pf @ 10 V | - | 750MW (TA) | ||||||||||||||
 | CSD17577Q3A | 0.6500 | | 32 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | CSD17577 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Vsonp (3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 35A (TA) | 4.5V, 10V | 4.8mohm @ 16a, 10v | 1.8V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 2310 pf @ 15 V | - | 2.8W (TA), 53W (TC) | ||||||||||||||
| CSD16325Q5 | 2.0700 | | 10 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD16325 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-vson-clip (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 V | 33A (TA), 100A (TC) | 3V, 8V | 2mohm @ 30a, 8V | 1.4V @ 250 µA | 25 NC @ 4.5 V | +10V, -8V | 4000 pf @ 12.5 V | - | 3.1W (TA) | ||||||||||||||
| CSD17551Q5A | 1.0000 | | 13 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD17551 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Vsonp (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 48a (TC) | 4.5V, 10V | 8.8mohm @ 11a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 7.2 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1272 pf @ 15 V | - | 3W (TA) | ||||||||||||||
| CSD13306W | 0.5400 | | 3 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-UFBGA, DSBGA | CSD13306 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-DSBGA (1x1.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 12 V | 3.5a (TA) | 2.5V, 4.5V | 10.2mohm @ 1.5a, 4.5V | 1.3V @ 250 µA | 11.2 NC @ 4.5 V | ± 10V | 1370 pf @ 6 V | - | 1.9W (TA) |
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