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Transistores (4003)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Buk9y14-40b, 115 | - |  | 1516 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-100, SOT-669 | Mosfet (Óxido de metal) | LFPAK56, POWER-SO8 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 40 V | 56a (TC) | 5V | 11mohm @ 20a, 10v | 2v @ 1 mapa | 21 NC @ 5 V | ± 15V | 1800 pf @ 25 V | - | 85W (TC) | ||||||||||||||
 | BUK969R3-100E, 118 | 1.1100 | | 8475 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 100 V | 100A (TC) | 5V, 10V | 8.9mohm @ 25A, 10V | 2.1V @ 1MA | 94.3 NC @ 5 V | ± 10V | 11650 pf @ 25 V | - | 263W (TC) | ||||||||||||||
 | BC53-16PA, 115 | - | | 8453 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-Powerudfn | BC53 | 420 MW | 3-Huson (2x2) | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 80 V | 1 A | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150mA, 2V | 145MHz | ||||||||||||||||||
 | PBRP113ZT, 215 | 0.0400 | | 21 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PBRP113 | 250 MW | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,362 | 40 V | 600 mA | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 750mv @ 6mA, 600 mA | 230 @ 300mA, 5V | 1 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||
 | PSMN7R8-120PSQ | - | | 2412 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 177 | N-canal | 120 V | 70A (TC) | 10V | 7.9mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 167 NC @ 10 V | ± 20V | 9473 pf @ 60 V | - | 349W (TC) | ||||||||||||||
 | Buk7y98-80e, 115 | - | | 2693 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2PB709Arw, 115 | 0.0200 | | 18 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 200 MW | Sot-323 | descascar | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 45 V | 100 mA | 10NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 10 Ma, 100 Ma | 210 @ 2mA, 10V | 70MHz | ||||||||||||||||||
 | PDTA113ZM315 | 0.0200 | | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8542.21.0095 | 15,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA124EM, 315 | 0.0300 | | 130 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PDTA124 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||
 | PEMH13,115 | - | | 1197 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | Pemh1 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 4.000 | |||||||||||||||||||||||||||
 | Buk7y20-30b115 | 1.0000 | | 7818 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Buk7y65-100ex | - | | 6099 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-100, SOT-669 | Buk7y65 | Mosfet (Óxido de metal) | LFPAK56, POWER-SO8 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 100 V | 19a (TC) | 10V | 65mohm @ 5a, 10v | 4V @ 1MA | 17.8 NC @ 10 V | ± 20V | 1023 pf @ 25 V | - | 64W (TC) | |||||||||||||
| PSMN017-30BL118 | - | | 9646 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BC817W, 135 | - | | 2033 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BC817 | 200 MW | Sot-323 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 100 @ 100 maja, 1v | 100MHz | |||||||||||||||||
 | PBLS2022D, 115 | - | | 3235 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PBLS20 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||
| BC847BV, 315 | 1.0000 | | 5101 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS305PZ, 135 | 0.2100 | | 6 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PBSS3 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 4.000 | |||||||||||||||||||||||||||
| BUK7608-40B, 118 | 0.7600 | | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | Buk76 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC144TMB315 | 0.0200 | | 189 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC52-16PA, 115 | - | | 9453 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-Powerudfn | 420 MW | 3-Huson (2x2) | descascar | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 60 V | 1 A | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150mA, 2V | 145MHz | ||||||||||||||||||
 | PZTA14,135 | 0.0900 | | 9722 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 1.25 W | SOT-223 | descascar | EAR99 | 8541.29.0075 | 200 | 30 V | 500 mA | 100na | NPN - Darlington | 1.5V @ 100 µA, 100 mA | 20000 @ 100MA, 5V | 125MHz | ||||||||||||||||||
| PDTA115EM, 315 | - | | 9432 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | Pdta11 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||
| PMST5088,115 | 0.0200 | | 521 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 200 MW | Sot-323 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 30 V | 100 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 1 mapa, 10 ma | 300 @ 100 µA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
| Buk6607-75c, 118 | - | | 9969 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 75 V | 100A (TC) | 10V | 7mohm @ 25A, 10V | 2.8V @ 1MA | 123 NC @ 10 V | ± 16V | 7600 pf @ 25 V | - | 204W (TC) | ||||||||||||||
 | BUK9230-100B, 118 | - | | 9343 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BUK92 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||
 | Buk9e04-40a, 127 | - | | 7608 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 84 | N-canal | 40 V | 75A (TC) | 4.3V, 10V | 4mohm @ 25A, 10V | 2v @ 1 mapa | 128 NC @ 5 V | ± 15V | 8260 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||
| BUK7275-100A, 118 | - | | 4049 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | Buk72 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||
| Buk6607-55c, 118 | 0.8500 | | 400 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 55 V | 100A (TC) | 10V | 6.5mohm @ 25A, 10V | 2.8V @ 1MA | 82 NC @ 10 V | ± 16V | 5160 pf @ 25 V | - | 158W (TC) | ||||||||||||||
| BCM61B, 215 | - | | 5875 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BCM61 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||
| BUK9226-75A/C1,118 | 1.0000 | | 4294 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 |
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