SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
PBSS4240T,215 NXP USA Inc. PBSS4240T, 215 -
RFQ
ECAD 5475 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PBSS4 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000
BCP54-16,115 NXP USA Inc. BCP54-16,115 -
RFQ
ECAD 6572 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo BCP54 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000
MRF5S9100MR1 NXP USA Inc. MRF5S9100MR1 -
RFQ
ECAD 5044 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 68 V Montaje en superficie Un 270ab MRF5 880MHz Ldmos Un 270 WB-4 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 500 - 950 Ma 20W 19.5dB - 26 V
BUK654R8-40C,127 NXP USA Inc. Buk654r8-40c, 127 -
RFQ
ECAD 9628 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Buk65 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 100A (TC) 4.5V, 10V 4.8mohm @ 25A, 10V 2.8V @ 1MA 88 NC @ 10 V ± 16V 5200 pf @ 25 V - 158W (TC)
BLL6H0514LS-130112 NXP USA Inc. BLL6H0514LS-130112 -
RFQ
ECAD 5119 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0075 1
PDTA114YS,126 NXP USA Inc. Pdta114ys, 126 -
RFQ
ECAD 7644 0.00000000 NXP USA Inc. - Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales PDTA114 500 MW Un 92-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 50 V 100 mA 1 µA PNP - Pre -Sesgado 100mv @ 250 µA, 5 mA 100 @ 5 MMA, 5V 10 kohms 47 kohms
PDTB123TS,126 NXP USA Inc. PDTB123TS, 126 -
RFQ
ECAD 7639 0.00000000 NXP USA Inc. - Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales PDTB123 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 50 V 500 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 2.5 mA, 50 mA 100 @ 50mA, 5V 2.2 kohms
MRF5S19090HR5 NXP USA Inc. MRF5S19090HR5 -
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ECAD 6428 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Ni-780 MRF5 1.93GHz ~ 1.99GHz Ldmos Ni-780 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 - 850 Ma 18W 14.5dB - 28 V
MRF7S19210HR5 NXP USA Inc. MRF7S19210HR5 -
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ECAD 4495 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis Sot-957a MRF7 1.99 GHz Ldmos NI-780H-2L descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 - 1.4 A 63W 20dB - 28 V
BUK7Y7R6-40E/GFX NXP USA Inc. Buk7y7r6-40e/gfx -
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ECAD 3433 0.00000000 NXP USA Inc. * Tape & Reel (TR) Obsoleto Buk7 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1.500
2PC4617QMB,315 NXP USA Inc. 2PC4617QMB, 315 0.0400
RFQ
ECAD 96 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-101, SOT-883 250 MW DFN1006B-3 descascar EAR99 8541.21.0075 1 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 200 MV a 5 mm, 50 Ma 120 @ 1 MMA, 6V 100MHz
BUK78150-55A/CU135 NXP USA Inc. BUK78150-55A/CU135 -
RFQ
ECAD 6683 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 4.000
AFV141KGSR5 NXP USA Inc. AFV141KGSR5 606.2932
RFQ
ECAD 7028 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 105 V Montaje en superficie NI-1230-4S GW AFV141 1.4GHz Ldmos Gaviota de Ni-1230-4s descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 935318921178 EAR99 8541.29.0075 50 Dual - 100 mA 1000W 17.7db - 50 V
PMK35EP,518 NXP USA Inc. PMK35EP, 518 -
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ECAD 6361 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar No Aplicable 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 Canal P 30 V 14.9a (TC) 10V 19mohm @ 9.2a, 10v 3V @ 250 µA 42 NC @ 10 V ± 25V 2100 pf @ 25 V - 6.9W (TC)
PSMN2R5-60PL127 NXP USA Inc. PSMN2R5-60PL127 -
RFQ
ECAD 9396 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1
BFG67,235 NXP USA Inc. BFG67,235 -
RFQ
ECAD 1929 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Un 253-4, un 253AA Bfg67 380MW Sot-143b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 933779670235 EAR99 8541.21.0075 10,000 - 10V 50mera NPN 60 @ 15 mm, 5v 8GHz 1.3db ~ 3db @ 1ghz ~ 2ghz
PDTC123JM,315 NXP USA Inc. PDTC123JM, 315 0.0200
RFQ
ECAD 2672 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo Montaje en superficie SC-101, SOT-883 PDTC123 250 MW DFN1006-3 descascar EAR99 8541.21.0075 10,000 50 V 100 mA 1 µA NPN - Pre -Sesgado 100mv @ 250 µA, 5 mA 100 @ 10mA, 5V 2.2 kohms 47 kohms
PMN35EN,115 NXP USA Inc. Pmn35en, 115 -
RFQ
ECAD 2233 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-74, SOT-457 PMN3 Mosfet (Óxido de metal) SC-74 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 5.1a (TA) 4.5V, 10V 31mohm @ 5.1a, 10V 2.5V @ 250 µA 9.3 NC @ 10 V ± 20V 334 pf @ 15 V - 500MW (TA)
2PB709AS,115 NXP USA Inc. 2PB709As, 115 -
RFQ
ECAD 5760 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2PB70 250 MW Smt3; Mpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 15,000 45 V 100 mA 10NA (ICBO) PNP 500mv @ 10 Ma, 100 Ma 290 @ 2mA, 10V 80MHz
BF423,116 NXP USA Inc. BF423,116 -
RFQ
ECAD 7864 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BF423 830 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 250 V 50 Ma 10NA (ICBO) PNP 600mv @ 5 mm, 30 mA 50 @ 25 mm, 20V 60MHz
MHT1803A NXP USA Inc. MHT1803A 18.9000
RFQ
ECAD 7515 0.00000000 NXP USA Inc. * Banda Activo MHT1803 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 240
MRFX600HSR5 NXP USA Inc. MRFX600HSR5 140.6500
RFQ
ECAD 30 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 179 V Montaje en superficie Ni-780S-4L MRFX600 1.8MHz ~ 400MHz Ldmos Ni-780S-4L descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 Dual 10 µA 100 mA 600W 26.4db - 65 V
PDTA144WM,315 NXP USA Inc. PDTA144WM, 315 0.0300
RFQ
ECAD 200 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PDTA14 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000
PDTC124XK,115 NXP USA Inc. PDTC124XK, 115 -
RFQ
ECAD 6389 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC124 250 MW Smt3; Mpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 1 µA NPN - Pre -Sesgado 150mv @ 500 µA, 10 mA 80 @ 5MA, 5V 22 kohms 47 kohms
PHB143NQ04T,118 NXP USA Inc. PHB143NQ04T, 118 -
RFQ
ECAD 3944 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab PHB14 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 75A (TC) 10V 5.2mohm @ 25A, 10V 4V @ 1MA 52 NC @ 10 V ± 20V 2840 pf @ 25 V - 200W (TC)
PUMB30,115 NXP USA Inc. Pumb30,115 -
RFQ
ECAD 2352 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo Pumb3 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000
BFS540,115 NXP USA Inc. BFS540,115 -
RFQ
ECAD 8529 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BFS54 500MW SC-70 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 - 15V 120 Ma NPN 100 @ 40mA, 8V 9 GHz 1.3db ~ 1.7db @ 9MHz
PDTC123JU/ZLX NXP USA Inc. PDTC123JU/ZLX -
RFQ
ECAD 1920 0.00000000 NXP USA Inc. * Tape & Reel (TR) Activo PDTC123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 934069178115 EAR99 8541.21.0075 3.000
BST15,115 NXP USA Inc. BST15,115 -
RFQ
ECAD 5330 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA BST1 1.3 W SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 200 V 200 MA 100NA (ICBO) PNP 750mv @ 5 mm, 50 Ma 30 @ 50mA, 10V 15MHz
BLF4G10LS-160,112 NXP USA Inc. BLF4G10LS-160,112 -
RFQ
ECAD 6550 0.00000000 NXP USA Inc. - Banda Obsoleto 65 V Monte del Chasis Sot-502b BLF4 894.2MHz Ldmos Sot502b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 60 15A 900 mA 160W 19.7dB - 28 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock