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Transistores (4003)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Figura de ruido	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)	Resistencia - Base de Emisor (R2)	Figura de Ruido (db typ @ f)
PDTC143ES, 126	-	RFQ	5268	NXP USA Inc.	-	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales	PDTC143			500 MW	Un 92-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	2,000																		50 V	100 mA		1 µA	NPN - Pre -Sesgado	150mv @ 500 µA, 10 mA	30 @ 10mA, 5V		4.7 kohms	4.7 kohms
PMK35EP, 518	-	RFQ	6361	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)		8-SO	descascar	No Aplicable	2 (1 Año)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	1		Canal P					30 V	14.9a (TC)	10V	19mohm @ 9.2a, 10v	3V @ 250 µA	42 NC @ 10 V	± 25V	2100 pf @ 25 V	-	6.9W (TC)
PSMN2R5-60PL127	-	RFQ	9396	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo										descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.29.0095	1
BFG67,235	-	RFQ	1929	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Un 253-4, un 253AA	Bfg67			380MW	Sot-143b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	933779670235	EAR99	8541.21.0075	10,000						-												10V	50mera			NPN		60 @ 15 mm, 5v	8GHz			1.3db ~ 3db @ 1ghz ~ 2ghz
PDTC123JM, 315	0.0200	RFQ	2672	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SC-101, SOT-883	PDTC123			250 MW	DFN1006-3	descascar					EAR99	8541.21.0075	10,000																		50 V	100 mA		1 µA	NPN - Pre -Sesgado	100mv @ 250 µA, 5 mA	100 @ 10mA, 5V		2.2 kohms	47 kohms
Pmn35en, 115	-	RFQ	2233	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-74, SOT-457	PMN3		Mosfet (Óxido de metal)		SC-74	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		N-canal					30 V	5.1a (TA)	4.5V, 10V	31mohm @ 5.1a, 10V	2.5V @ 250 µA	9.3 NC @ 10 V	± 20V	334 pf @ 15 V	-	500MW (TA)
2PB709As, 115	-	RFQ	5760	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	2PB70			250 MW	Smt3; Mpak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	15,000																		45 V	100 mA		10NA (ICBO)	PNP	500mv @ 10 Ma, 100 Ma	290 @ 2mA, 10V	80MHz
BF423,116	-	RFQ	7864	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales	BF423			830 MW	Un 92-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	2,000																		250 V	50 Ma		10NA (ICBO)	PNP	600mv @ 5 mm, 30 mA	50 @ 25 mm, 20V	60MHz
MHT1803A	18.9000	RFQ	7515	NXP USA Inc.	*	Banda	Activo					MHT1803					-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	240
MRFX600HSR5	140.6500	RFQ	30	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Activo	179 V		Montaje en superficie	Ni-780S-4L	MRFX600	1.8MHz ~ 400MHz	Ldmos		Ni-780S-4L	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	50	Dual		10 µA	100 mA	600W	26.4db											-			65 V
PDTA144WM, 315	0.0300	RFQ	200	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					PDTA14					descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	10,000
PDTC124XK, 115	-	RFQ	6389	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	PDTC124			250 MW	Smt3; Mpak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000																		50 V	100 mA		1 µA	NPN - Pre -Sesgado	150mv @ 500 µA, 10 mA	80 @ 5MA, 5V		22 kohms	47 kohms
PHB143NQ04T, 118	-	RFQ	3944	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	PHB14		Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal					40 V	75A (TC)	10V	5.2mohm @ 25A, 10V	4V @ 1MA	52 NC @ 10 V	± 20V	2840 pf @ 25 V	-	200W (TC)
MRFE6S9135HR5	-	RFQ	4825	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	66 V		Monte del Chasis	Sot-957a	Mrfe6	940MHz	Ldmos		NI-880H-2L	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	50			-	1 A	39W	21db											-			28 V
Pumb30,115	-	RFQ	2352	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					Pumb3					descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000
BFG403W, 115	-	RFQ	2226	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-82A, SOT-343	Bfg40			16MW	CMPAK-4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000						20dB ~ 22dB												4.5V	3.6MA			NPN		50 @ 3mA, 2V	17GHz			1DB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2GHz
BFS540,115	-	RFQ	8529	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	BFS54			500MW	SC-70	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000						-												15V	120 Ma			NPN		100 @ 40mA, 8V	9 GHz			1.3db ~ 1.7db @ 9MHz
BFS17W, 135	-	RFQ	1452	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	BFS17			300MW	SC-70	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	934022860135	EAR99	8541.21.0075	10,000						-												15V	50mera			NPN		25 @ 2mA, 1V	1.6GHz			4.5dB @ 500MHz
PDTC123JU/ZLX	-	RFQ	1920	NXP USA Inc.	*	Tape & Reel (TR)	Activo					PDTC123					descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	934069178115	EAR99	8541.21.0075	3.000
BST15,115	-	RFQ	5330	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-243AA	BST1			1.3 W	SOT-89-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000																		200 V	200 MA		100NA (ICBO)	PNP	750mv @ 5 mm, 50 Ma	30 @ 50mA, 10V	15MHz
BLF4G10LS-160,112	-	RFQ	6550	NXP USA Inc.	-	Banda	Obsoleto	65 V		Monte del Chasis	Sot-502b	BLF4	894.2MHz	Ldmos		Sot502b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	60			15A	900 mA	160W	19.7dB											-			28 V
BUK9611-55A, 118	-	RFQ	8772	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Buk96		Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal					55 V	75A (TC)	4.5V, 10V	10mohm @ 25A, 10V	2v @ 1 mapa		± 10V	4230 pf @ 25 V	-	166W (TC)
2PC4617R, 115	-	RFQ	9396	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-75, SOT-416	2PC46			150 MW	SC-75	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																		50 V	150 Ma		100NA (ICBO)	NPN	200 MV a 5 mm, 50 Ma	180 @ 1 MMA, 6V	100MHz
BF820W, 115	0.0400	RFQ	143	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					BF820					-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000
Pdta114es, 126	-	RFQ	2746	NXP USA Inc.	-	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales	PDTA114			500 MW	Un 92-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	2,000																		50 V	100 mA		1 µA	PNP - Pre -Sesgado	150mv @ 500 µA, 10 mA	30 @ 5MA, 5V		10 kohms	10 kohms
PBRN113ZK, 115	-	RFQ	8188	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	PBRN113			250 MW	Smt3; Mpak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000																		40 V	600 mA		500NA	NPN - Pre -Sesgado	1.15V @ 8 Ma, 800 Ma	500 @ 300mA, 5V		1 kohms	10 kohms
MRF281SR1	-	RFQ	9559	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	65 V		Monte del Chasis	NI-2000S	MRF28	1.93GHz	Ldmos		NI-2000S	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	500			-	25 Ma	4W	12.5dB											-			26 V
MRF21030LR5	-	RFQ	5533	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	65 V		Monte del Chasis	Ni-400	MRF21	2.14 GHz	Ldmos		Ni-400	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		5A991G	8542.31.0001	50			-	250 Ma	30W	13dB											-			28 V
PBSS4240ZX	0.1000	RFQ	4159	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo			Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA					SOT-223	descascar					EAR99	8541.29.0075	1
ON5250,135	-	RFQ	7168	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	ON52	-	-		SC-73	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	934057275135	EAR99	8541.29.0095	4.000	-		-		-	-											-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (4003)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²