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Transistores (4003)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Figura de ruido	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)	Resistencia - Base de Emisor (R2)	Figura de Ruido (db typ @ f)
Buk653r4-40c, 127	-	RFQ	1638	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Buk65		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					40 V	100A (TC)	4.5V, 10V	3.6mohm @ 25A, 10V	2.8V @ 1MA	125 NC @ 10 V	± 16V	8020 pf @ 25 V	-	204W (TC)
PMWD15UN, 518	-	RFQ	8556	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho)	PMWD15		Mosfet (Óxido de metal)	4.2W	8-TSOP	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 Canal N (Dual)						20V	11.6a		18.5mohm @ 5a, 4.5V	700mv @ 1 MMA	22.2NC @ 4.5V		1450pf @ 16V	Puerta de Nivel Lógico
BUK6207-30C, 118	-	RFQ	7428	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Buk62		Mosfet (Óxido de metal)		Dpak	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal					30 V	90A (TC)	4.5V, 10V	5.2mohm @ 15a, 10v	2.8V @ 1MA	54.8 NC @ 10 V	± 16V	3470 pf @ 25 V	-	128W (TC)
MRF5S21045NBR1	-	RFQ	6626	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	68 V		Monte del Chasis	Un 272bb	MRF5	2.12 GHz	Ldmos		Un 272 WB-4	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	500			-	500 mA	10W	14.5dB											-			28 V
MRF8HP21080HSR3	-	RFQ	1619	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	65 V		Montaje en superficie	Ni-780S-4L	MRF8	2.17GHz	Ldmos		Ni-780S-4L	-	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado	935324468128	EAR99	8541.29.0075	250	Dual		-	150 Ma	16W	14.4db											-			28 V
MRF8P23080HSR5	-	RFQ	3843	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	65 V		Montaje en superficie	Ni-780S-4L	MRF8	2.3GHz	Ldmos		Ni-780S-4L	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	50	Dual		-	280 Ma	16W	14.6db											-			28 V
BLF4G10LS-160,112	-	RFQ	6550	NXP USA Inc.	-	Banda	Obsoleto	65 V		Monte del Chasis	Sot-502b	BLF4	894.2MHz	Ldmos		Sot502b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	60			15A	900 mA	160W	19.7dB											-			28 V
2PC4617R, 115	-	RFQ	9396	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-75, SOT-416	2PC46			150 MW	SC-75	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																		50 V	150 Ma		100NA (ICBO)	NPN	200 MV a 5 mm, 50 Ma	180 @ 1 MMA, 6V	100MHz
BF820W, 115	0.0400	RFQ	143	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					BF820					-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000
BUK9611-55A, 118	-	RFQ	8772	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Buk96		Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal					55 V	75A (TC)	4.5V, 10V	10mohm @ 25A, 10V	2v @ 1 mapa		± 10V	4230 pf @ 25 V	-	166W (TC)
ON5520,215	-	RFQ	3450	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	ON5520	-	-		SOT-23 (TO-236AB)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	934063418215	EAR99	8541.29.0095	3.000	-		-		-	-											-
BF1100R, 235	-	RFQ	2013	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	14 V		Montaje en superficie	Sot-143r	BF110	800MHz	Mosfet		Sot-143r	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	934036560235	EAR99	8541.21.0095	10,000	Canal de Puerta de Doble		30mera	10 Ma	-	-											2db			9 V
BF909R, 235	-	RFQ	5570	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	7 V		Montaje en superficie	Sot-143r	BF909	800MHz	Mosfet		Sot-143r	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	934028860235	EAR99	8541.21.0095	10,000	Canal de Puerta de Doble		40mera	15 Ma	-	-											2db			5 V
Pdtc114ye, 115	-	RFQ	7763	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	SC-75, SOT-416	PDTC114			150 MW	SC-75	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000																		50 V	100 mA		1 µA	NPN - Pre -Sesgado	100mv @ 250 µA, 5 mA	100 @ 5 MMA, 5V		10 kohms	47 kohms
PSMN9R0-30LL, 115	-	RFQ	2816	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Almohadilla exposición de 8-vdfn	PSMN9		Mosfet (Óxido de metal)		8-DFN3333 (3.3x3.3)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1.400		N-canal					30 V	21a (TC)	4.5V, 10V	9mohm @ 5a, 10v	2.15V @ 1MA	20.6 NC @ 10 V	± 20V	1193 pf @ 15 V	-	50W (TC)
Pmn27un, 135	-	RFQ	5543	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-74, SOT-457	PMN2		Mosfet (Óxido de metal)		SC-74	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10,000		N-canal					20 V	5.7a (TC)	1.8V, 4.5V	34mohm @ 2a, 4.5V	700mv @ 1MA (typ)	10.6 NC @ 4.5 V	± 8V	740 pf @ 10 V	-	1.75W (TC)
Buk9y7r8-80e, 115	-	RFQ	2261	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-	Montaje en superficie	SC-100, SOT-669	Buk9y7		Mosfet (Óxido de metal)		LFPAK56, POWER-SO8	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	934067026115	EAR99	8541.29.0095	1.500		N-canal					80 V	-		-	-				-	-
A2T20H330W24NR6	-	RFQ	4317	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	65 V		Monte del Chasis	OM-1230-4L2L	A2T20	1.88GHz ~ 2.025GHz	Ldmos		OM-1230-4L2L	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado	935316239528	EAR99	8541.29.0075	150			10 µA	700 Ma	229W	15.9dB											-			28 V
PDTC124EU, 115	-	RFQ	5897	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					PDTC12					descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000
PVR100AZ-B2V5,115	-	RFQ	9921	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	PVR10			550 MW	SC-73	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	1,000																		45 V	100 mA		100NA (ICBO)	Npn + zener	-	160 @ 100mA, 1V	-
MRF377HR5	-	RFQ	7124	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	65 V		Monte del Chasis	NI-860C3	MRF37	860MHz	Ldmos		NI-860C3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		5A991G	8541.21.0075	50			-	2 A	45W	18.2db											-			32 V
PDTA143ZK, 135	-	RFQ	3808	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	PDTA143			250 MW	Smt3; Mpak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	934054805135	EAR99	8541.21.0095	10,000																		50 V	100 mA		1 µA	PNP - Pre -Sesgado	100mv @ 250 µA, 5 mA	100 @ 10mA, 5V		4.7 kohms	47 kohms
Bfu768f115	0.1500	RFQ	2	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo										descascar					EAR99	8541.21.0075	1
PBRN113ES, 126	-	RFQ	3291	NXP USA Inc.	-	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales	PBRN113			700 MW	Un 92-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	2,000																		40 V	800 Ma		500NA	NPN - Pre -Sesgado	1.15V @ 8 Ma, 800 Ma	180 @ 300mA, 5V		1 kohms	1 kohms
BFR505,215	-	RFQ	1628	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BFR50			150MW	SOT-23 (TO-236AB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000						-												15V	18 MA			NPN		60 @ 5 MMA, 6V	9 GHz			1.2db ~ 2.1db @ 900MHz
PBSS5330PAS115	-	RFQ	7873	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo										descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.21.0075	3.000
MRF6V2010GNR1	-	RFQ	2528	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	110 V			A-270BA	MRF6	220MHz	Ldmos		Un 270G-2	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado	935321298528	EAR99	8541.29.0075	500			-	30 Ma	10W	23.9db											-			50 V
Php101nq03lt, 127	-	RFQ	8517	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Php10		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					30 V	75A (TC)	5V, 10V	5.5mohm @ 25A, 10V	2.5V @ 1MA	23 NC @ 5 V	± 20V	2180 pf @ 25 V	-	166W (TC)
BC817-25/6215	0.0200	RFQ	8493	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					BC817					descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.21.0075	3.000
MRF085HR3	-	RFQ	1580	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	133 V		Monte del Chasis	NI-650H-4L	MRF08	1.8MHz ~ 1.215GHz	Ldmos		NI-650H-4L	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado	935351494128	EAR99	8541.29.0075	250	Dual		2 µA	100 mA	85W	25.6db											-			50 V

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