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Transistores (4003)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MRF7S16150HSR5 | - |  | 2434 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | Ni-780s | MRF7 | 1.6GHz ~ 1.66GHz | Ldmos | Ni-780s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.5 A | 32W | 19.7dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||
 | MRF8S21100HSR5 | - | | 3787 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | 65 V | Monte del Chasis | Sot-957a | MRF8 | 2.17GHz | Mosfet | NI-780H-2L | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | - | 700 Ma | 24W | 18.3db | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||
 | BUK9510-55A, 127 | - | | 2320 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Buk95 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 25A, 10V | 2v @ 1 mapa | 68 NC @ 5 V | ± 15V | 4307 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | ||||||||||||||||||||
| MRF6V13250HSR3 | - | | 1648 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | 120 V | Monte del Chasis | Ni-780s | MRF6 | 1.3GHz | Ldmos | Ni-780s | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 100 mA | 250W | 22.7db | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||
 | MRF6S21050LSR5 | - | | 4173 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 68 V | Monte del Chasis | NI-400S | MRF6 | 2.16 GHz | Ldmos | NI-400S | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 450 Ma | 11.5W | 16dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||
 | MRF6S21060NR1 | - | | 1476 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 68 V | Montaje en superficie | Un 270ab | MRF6 | 2.12 GHz | Ldmos | Un 270 WB-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 610 Ma | 14W | 15.5dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||
| MRF5S21090HR3 | - | | 9840 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | Sot-957a | MRF5 | 2.11GHz | Ldmos | NI-780H-2L | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 5A991G | 8541.29.0075 | 250 | - | 850 Ma | 19W | 14.5dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||
| BUK752R7-30B, 127 | - | | 2919 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Buk75 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 30 V | 75A (TC) | 10V | 2.7mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 91 NC @ 10 V | ± 20V | 6212 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | MRFG35010AnR5 | - | | 5304 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 15 V | Monte del Chasis | Ni-360HF | MRFG35 | 3.55 GHz | fet fet | Ni-360HF | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 130 Ma | 1W | 10dB | - | 12 V | ||||||||||||||||||||||||
 | PDTA124TS, 126 | - | | 6291 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | PDTA124 | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | PNP - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 10 mA | 100 @ 1 mapa, 5v | 22 kohms | |||||||||||||||||||||||||
 | PMV16UN, 215 | - | | 9100 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PMV1 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23 (TO-236AB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 5.8a (TA) | 1.8V, 4.5V | 18mohm @ 5.8a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 11 NC @ 4.5 V | ± 8V | 670 pf @ 10 V | - | 510MW (TA) | ||||||||||||||||||||
| PMV37en, 215 | - | | 9564 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PMV3 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23 (TO-236AB) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 3.1a (TA) | 4.5V, 10V | 36mohm @ 3.1a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 330 pf @ 10 V | - | 380MW (TA) | ||||||||||||||||||||
 | MMRF1314HSR5 | 718.3470 | | 1440 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 105 V | Monte del Chasis | NI-1230-4S | MMRF1314 | 1.4GHz | Ldmos | NI-1230-4S | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Dual | - | 500 mA | 1000W | 17.7db | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||
 | A2I08H040NR1 | - | | 5353 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | Variante A 270-15, Plat lidera | A2I08 | 920MHz | Ldmos | Un 270WB-15 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.33.0001 | 500 | Dual | - | 25 Ma | 9W | 30.7dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||
 | PHB152NQ03LTA, 118 | - | | 2282 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | PHB15 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 25 V | 75A (TC) | 5V, 10V | 4mohm @ 25A, 10V | 2v @ 1 mapa | 36 NC @ 5 V | ± 20V | 3140 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||
| MRF6S19100HR3 | - | | 3060 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 68 V | Monte del Chasis | Sot-957a | MRF6 | 1.99 GHz | Ldmos | NI-780H-2L | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 935316735128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 900 mA | 22W | 16.1db | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||
| MRF9135LR5 | - | | 6678 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | Sot-957a | MRF91 | 880MHz | Ldmos | NI-780H-2L | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.31.0001 | 50 | - | 1.1 A | 25W | 17.8db | - | 26 V | ||||||||||||||||||||||||
 | Pdta114yu, 115 | 0.0200 | | 9657 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | Pdta11 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6S18100NBR1 | - | | 7298 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 68 V | Monte del Chasis | Un 272bb | MRF6 | 1.99 GHz | Ldmos | Un 272 WB-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 900 mA | 100W | 14.5dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||
 | Si4420dy, 518 | - | | 2273 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 12.5a (TJ) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 12.5a, 10v | 1V @ 250 µA | 120 NC @ 10 V | ± 20V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||
| MRFE6S9135HSR5 | - | | 2240 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 66 V | Montaje en superficie | NI-880S | Mrfe6 | 940MHz | Ldmos | NI-880S | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1 A | 39W | 21db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||
 | AFT26P100-4WSR3 | - | | 1657 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | Ni-780S-4L | AFT26 | 2.69 GHz | Ldmos | Ni-780S-4L | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 935320111128 | 5A991G | 8541.29.0040 | 250 | Dual | - | 200 MA | 22W | 15.1db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||
| MPSA92,126 | - | | 1095 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | MPSA92 | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 300 V | 100 mA | 250NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 2 mm, 20 mm | 25 @ 30mA, 10V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||
| A2T26H165-24SR3 | - | | 8778 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | NI-780S-4L2L | A2T26 | 2.5 GHz | Ldmos | NI-780S-4L2L | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 935313041128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | Dual | - | 400 mA | 32W | 14.7db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||
 | PMWD30UN, 518 | - | | 7829 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | PMWD30 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.3w | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 5A | 33mohm @ 3.5a, 4.5V | 700mv @ 1 MMA | 28nc @ 5V | 1478pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||
 | MW6S010MR1 | - | | 4058 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 68 V | Un 270-2 | MW6S010 | 960MHz | Ldmos | Un 270-2 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 125 Ma | 10W | 18dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||
| BUK9610-100B, 118 | - | | 4937 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | Buk96 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC857W, 135 | 0.0200 | | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BC857 | 200 MW | Sot-323 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 125 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||
 | PDTB123YT/APG215 | 0.0500 | | 10 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PVR100AD-B3V0,115 | - | | 3955 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | PVR10 | 300 MW | SC-74 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 45 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | Npn + zener | - | 160 @ 100mA, 1V | - |
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