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Transistores (4003)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Figura de Ruido (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MMRF5014HR5 | 489.0600 |  | 68 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 125 V | Monte del Chasis | NI-360H-2SB | MMRF5014 | 2.5 GHz | Hemt | NI-360H-2SB | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 350 Ma | 125W | 18dB | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||
 | BSP61,115 | 0.1800 | | 9 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 1.25 W | SOT-223 | descascar | EAR99 | 8541.29.0075 | 1.632 | 60 V | 1 A | 50NA | PNP - Darlington | 1.3V @ 500 µA, 500 mA | 2000 @ 500mA, 10V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | PMZ1200UPE315 | - | | 7241 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTD123ys, 126 | - | | 6845 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | PDTD123 | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50 V | 500 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 2.5 mA, 50 mA | 70 @ 50 mm, 5V | 2.2 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||
 | MRF1511NT1 | - | | 8197 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 40 V | Montaje en superficie | PLD-1.5 | MRF15 | 175MHz | Ldmos | PLD-1.5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 4A | 150 Ma | 8W | 13dB | - | 7.5 V | ||||||||||||||||||||||||
 | BFG541,115 | - | | 2350 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Bfg54 | 650MW | SC-73 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | - | 15V | 120 Ma | NPN | 60 @ 40mA, 8V | 9 GHz | 1.3db ~ 2.4db @ 900MHz | ||||||||||||||||||||||||
| PDTC123ys, 126 | - | | 4129 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | PDTC123 | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | NPN - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 10 mA | 35 @ 5MA, 5V | 2.2 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||
 | MRF5S19060NBR1 | - | | 5540 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | Un 272bb | MRF5 | 1.99 GHz | Ldmos | Un 272 WB-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 750 Ma | 12W | 14dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||
| J5C145MU0/T0BC7DUP | - | | 7483 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | J5C145 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF540,127 | - | | 8622 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF54 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 23a (TC) | 10V | 77mohm @ 17a, 10v | 4V @ 1MA | 65 NC @ 10 V | ± 20V | 1187 pf @ 25 V | - | 100W (TC) | ||||||||||||||||||||
| MPSA64,116 | - | | 9407 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | MPSA64 | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 30 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Darlington | 1.5V @ 100 µA, 100 mA | 20000 @ 100MA, 5V | 125MHz | ||||||||||||||||||||||||
 | BFU530W, 115 | 0.2500 | | 3 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pdta123ye, 115 | - | | 1950 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | PDTA123 | 150 MW | SC-75 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | PNP - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 10 mA | 35 @ 5MA, 5V | 2.2 kohms | 10 kohms |
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