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Transistores (4003)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PMPB23XNE, 115 | - |  | 8787 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-xfdfn almohadilla exposición | Mosfet (Óxido de metal) | DFN1010B-6 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 20 V | 7a (TA) | 1.8V, 4.5V | 22mohm @ 7a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 17 NC @ 4.5 V | ± 12V | 1136 pf @ 10 V | - | 1.7W (TA), 12.5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | Buk664r8-75c, 118 | - | | 4368 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | Buk66 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk7c06-40aite, 118 | 1.3600 | | 3 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña), un 263cb | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 40 V | 75A (TC) | 10V | 6mohm @ 50a, 10v | 4V @ 1MA | 120 NC @ 10 V | ± 20V | 4300 pf @ 25 V | Detección real | 272W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | PSMN1R1-30EL, 127 | 0.9800 | | 11 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PSMN1 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC640,116 | - | | 7228 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | BC64 | 830 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 80 V | 1 A | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150mA, 2V | 145MHz | ||||||||||||||||||||||||
 | PMST5401,115 | - | | 5336 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | PMST5 | 200 MW | SC-70 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 150 V | 300 mA | 50NA (ICBO) | PNP | 500mV @ 5 mm, 50 Ma | 60 @ 10mA, 5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||
| MRF19045LSR3 | - | | 5336 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | NI-400S | MRF19 | 1.93GHz | Ldmos | NI-400S-240 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 5A991G | 8542.31.0001 | 250 | - | 550 Ma | 9.5W | 14.5dB | - | 26 V | |||||||||||||||||||||||||
| MRF282ZR1 | - | | 2731 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | Ni-200z | MRF28 | 2GHz | Ldmos | Ni-200z | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0040 | 500 | - | 75 Ma | 10W | 11.5dB | - | 26 V | ||||||||||||||||||||||||
 | BCX55,135 | - | | 6148 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | Sot-89 | descascar | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 60 V | 1 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 2V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BCW66F215 | 1.0000 | | 9065 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA124EMB, 315 | 0.0300 | | 109 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SC-101, SOT-883 | PDTA124 | 250 MW | DFN1006B-3 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 100 mA | 100na | PNP - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 10 mA | 60 @ 5MA, 5V | 180 MHz | 22 kohms | 22 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
 | BC52-16PASX | 0.0600 | | 5020 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-udfn almohadilla exposición | 420 MW | DFN2020D-3 | descascar | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 60 V | 1 A | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150mA, 2V | 145MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 2PB709Asw, 115 | 0.0200 | | 323 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 200 MW | Sot-323 | descascar | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 45 V | 100 mA | 10NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 10 Ma, 100 Ma | 290 @ 2mA, 10V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
| PDTC144TM315 | 1.0000 | | 9629 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS4350D, 125 | - | | 2813 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PBSS4 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF550/DG/B2215 | 1.0000 | | 9997 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC807-25,215 | - | | 9432 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BC80 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PXT4401,115 | 0.1200 | | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 1.1 W | Sot-89 | descascar | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.510 | 40 V | 600 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 750mv @ 50 mm, 500 mA | 100 @ 150mA, 1V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
| Bc56-16pasx | - | | 5230 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-udfn almohadilla exposición | 420 MW | DFN2020D-3 | descascar | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 80 V | 1 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150mA, 2V | 180MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Bc847aw | - | | 4678 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 200 MW | Sot-323 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 110 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF9085LR5 | - | | 1940 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | Sot-957a | MRF90 | 880MHz | Ldmos | NI-780H-2L | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 50 | - | 700 Ma | 90W | 17.9dB | - | 26 V | ||||||||||||||||||||||||
 | Pmcm650vne | 1.0000 | | 5650 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A3G26H350W17SR3 | 155.0614 | | 6200 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 125 V | NI-780S-4S2S | 2.496GHz ~ 2.69GHz | - | NI-780S-4S2S | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | - | 250 Ma | 59W | 13.3db | - | 48 V | ||||||||||||||||||||||||||
| BC52PA, 115 | - | | 5714 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-Powerudfn | 420 MW | 3-Huson (2x2) | descascar | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 60 V | 1 A | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150mA, 2V | 145MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | PEMB24,115 | 0.0700 | | 32 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PEMB2 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 4.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFU550235 | 0.1700 | | 7 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PBSS301PD, 115 | - | | 1640 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PBSS3 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS4240Y, 115 | - | | 1673 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PBSS4 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC847BW, 135 | - | | 1472 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BC84 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMST6428,115 | 0.0200 | | 90 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 200 MW | Sot-323 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 100 mA | 10NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 250 @ 100 µA, 5V | 700MHz |
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