SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
PDTB143EU135 NXP USA Inc. PDTB143EU135 -
RFQ
ECAD 6430 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 10,000
PBSS4350SPN,115 NXP USA Inc. PBSS4350SPN, 115 0.1500
RFQ
ECAD 5764 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) PBSS4350 750MW 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 189 50V 2.7a 100na NPN, PNP 340mv @ 270mA, 2.7A / 370MV @ 270MA, 2.7A 300 @ 1a, 2v / 180 @ 1a, 2v -
BFU530AR NXP USA Inc. Bfu530ar 0.5800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 NXP USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BFU530 450MW SOT-23 (TO-236AB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 18dB 12V 40mera NPN 60 @ 10mA, 8V 11 GHz 0.6dB A 900MHz
PDTC144TS,126 NXP USA Inc. PDTC144TS, 126 -
RFQ
ECAD 8210 0.00000000 NXP USA Inc. - Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales PDTC144 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 50 V 100 mA 1 µA NPN - Pre -Sesgado 150mv @ 500 µA, 10 mA 100 @ 1 mapa, 5v 47 kohms
2PC4081R NXP USA Inc. 2pc4081r -
RFQ
ECAD 2701 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar 0000.00.0000 1
BFG505/X,215 NXP USA Inc. BFG505/X, 215 -
RFQ
ECAD 9479 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Un 253-4, un 253AA BFG50 150MW Sot-143b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 - 15V 18 MA NPN 60 @ 5 MMA, 6V 9 GHz 1.2db ~ 1.9db @ 900MHz ~ 2GHz
PMBTA06/6235 NXP USA Inc. PMBTA06/6235 0.0200
RFQ
ECAD 170 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 10,000
AFT09S282NR3 NXP USA Inc. Aft09S282NR3 -
RFQ
ECAD 1818 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 70 V Montaje en superficie OM-780-2 AFT09 960MHz Ldmos OM-780-2 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 5A991G 8541.29.0095 250 - 1.4 A 80W 20dB - 28 V
MRF5S19130HSR3 NXP USA Inc. MRF5S19130HSR3 -
RFQ
ECAD 5950 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Montaje en superficie NI-880S MRF5 1.99 GHz Ldmos NI-880S descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 5A991G 8541.29.0075 250 - 1.2 A 26W 13dB - 28 V
BC869-16115 NXP USA Inc. BC869-16115 0.1100
RFQ
ECAD 32 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar EAR99 8541.29.0075 1
PHT6N06T,135 NXP USA Inc. PHT6N06T, 135 -
RFQ
ECAD 3416 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Ft6 Mosfet (Óxido de metal) SC-73 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 55 V 5.5a (TC) 10V 150mohm @ 5a, 10v 4V @ 1MA 5.6 NC @ 10 V ± 20V 175 pf @ 25 V - 8.3W (TC)
BF1205,115 NXP USA Inc. BF1205,115 -
RFQ
ECAD 4420 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 10 V Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 BF120 800MHz Mosfet 6-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal de Puerta de Doble 30mera 12 MA - 26dB 1.2db 5 V
BUK7230-55A,118 NXP USA Inc. BUK7230-55A, 118 0.4200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 BUK7230 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 772 N-canal 55 V 38a (TC) 10V 30MOHM @ 25A, 10V 4V @ 1MA ± 20V 1152 pf @ 25 V - 88W (TC)
BUK7607-55B,118 NXP USA Inc. Buk7607-55b, 118 -
RFQ
ECAD 6375 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak - 0000.00.0000 1 N-canal 55 V 75A (TC) 10V 7.1mohm @ 25A, 10V 4V @ 1MA 53 NC @ 10 V ± 20V 3760 pf @ 25 V - 203W (TC)
MRF7S18125BHSR5 NXP USA Inc. MRF7S18125BHSR5 -
RFQ
ECAD 6753 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis Ni-780s MRF7 1.93GHz Ldmos Ni-780s descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 - 1.1 A 125W 16.5dB - 28 V
A2T21S160-12SR3 NXP USA Inc. A2T21S160-12SR3 113.6220
RFQ
ECAD 2983 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 65 V Monte del Chasis Ni-780-2S2L A2T21 2.17GHz Ldmos Ni-780-2S2L descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 935323736128 EAR99 8541.29.0075 250 - 600 mA 38w 18.4db - 28 V
PMFPB6545UP,115 NXP USA Inc. PMFPB6545UP, 115 -
RFQ
ECAD 4807 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición PMFPB Mosfet (Óxido de metal) 6-Huson (2x2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 3.5a (TA) 1.8V, 4.5V 70mohm @ 1a, 4.5V 1V @ 250 µA 6 NC @ 4.5 V ± 8V 380 pf @ 10 V Diodo Schottky (Aislado) 520MW (TA), 8.3W (TC)
BFR92AW,135 NXP USA Inc. BFR92AW, 135 -
RFQ
ECAD 1304 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BFR92 300MW SC-70 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 - 15V 25 Ma NPN 65 @ 15 Mapa, 10V 5GHz 2db ~ 3db @ 1ghz ~ 2ghz
PHK28NQ03LT,518 NXP USA Inc. PHK28NQ03LT, 518 -
RFQ
ECAD 7273 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) PHK28 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 23.7a (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 14a, 10v 2v @ 1 mapa 30.3 NC @ 4.5 V ± 20V 2800 pf @ 20 V - 6.25W (TC)
BSH112,235 NXP USA Inc. BSH112,235 -
RFQ
ECAD 4783 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BSH1 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23 (TO-236AB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 60 V 300 mA (TA) 4.5V, 10V 5ohm @ 500 mA, 10V 2v @ 1 mapa ± 15V 40 pf @ 10 V - 830MW (TC)
MRF7S38010HSR5 NXP USA Inc. MRF7S38010HSR5 -
RFQ
ECAD 9298 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Montaje en superficie NI-400S-2S MRF7 3.4GHz ~ 3.6GHz Ldmos NI-400S-2S descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 - 160 Ma 2W 15dB - 30 V
AFV09P350-04GNR3 NXP USA Inc. AFV09P350-04GNR3 236.0196
RFQ
ECAD 7045 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 105 V Montaje en superficie OM-780G-4L AFV09 920MHz Ldmos OM-780G-4L - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 935318141528 5A991G 8541.29.0040 250 Dual - 860 Ma 100W 19.5dB - 48 V
PUMH11/ZL135 NXP USA Inc. Pumh11/ZL135 0.0500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 10,000
PDTD123YK,115 NXP USA Inc. PDTD123YK, 115 -
RFQ
ECAD 4011 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 PDTD123 250 MW Smt3; Mpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 500 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 2.5 mA, 50 mA 70 @ 50 mm, 5V 2.2 kohms 10 kohms
AFT23S170-13SR3 NXP USA Inc. AFT23S170-13SR3 -
RFQ
ECAD 3586 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Montaje en superficie NI-780S-6 AFT23 2.4GHz Ldmos NI-780S-6 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 250 - 1.1 A 45W 18.8db - 28 V
BFU520YX NXP USA Inc. Bfu520yx 0.9400
RFQ
ECAD 69 0.00000000 NXP USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 Bfu520 450MW 6-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 19dB 12V 30mera 2 NPN (dual) 60 @ 5mA, 8V 10GHz 0.65dB A 900MHz
PDTC114YE,135 NXP USA Inc. Pdtc114ye, 135 -
RFQ
ECAD 3729 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-75, SOT-416 PDTC114 150 MW SC-75 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 50 V 100 mA 1 µA NPN - Pre -Sesgado 100mv @ 250 µA, 5 mA 100 @ 5 MMA, 5V 10 kohms 47 kohms
BC847,215 NXP USA Inc. BC847,215 -
RFQ
ECAD 8655 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo BC84 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000
PDTB123ES,126 NXP USA Inc. PDTB123ES, 126 -
RFQ
ECAD 2829 0.00000000 NXP USA Inc. - Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales PDTB123 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 50 V 500 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 2.5 mA, 50 mA 40 @ 50 mm, 5v 2.2 kohms 2.2 kohms
MRF7S21150HSR5 NXP USA Inc. MRF7S21150HSR5 -
RFQ
ECAD 6668 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis Ni-780s MRF7 2.11GHz ~ 2.17GHz Ldmos Ni-780s descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 - 1.35 A 44W 17.5dB - 28 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock