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Transistores (506)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Php29n08t, 127 | 0.5400 |  | 24 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 2156-PHP29N08T, 127-954 | 600 | N-canal | 75 V | 27a (TC) | 11V | 50mohm @ 14a, 11v | 5V @ 2mA | 19 NC @ 10 V | ± 30V | 810 pf @ 25 V | - | 88W (TC) | ||||||||||||
| PSMN7R0-100PS, 127 | - | | 9099 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | - | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 2156-PSMN7R0-100PS, 127-954 | 1 | N-canal | 100 V | 100A (TC) | 10V | 12mohm @ 15a, 10v | 4V @ 1MA | 125 NC @ 10 V | ± 20V | 6686 pf @ 50 V | - | 269W (TC) | ||||||||||||
 | BLM7G1822S-20PBY | 22.8800 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-Blm7g1822s-20pby-954 | 14 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA114TMB, 315 | 0.0300 | | 668 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PDTA114TMB, 315-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Bc68pasx | 0.0700 | | 84 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-udfn almohadilla exposición | 420 MW | DFN2020D-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BC68PASX-954 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 20 V | 2 A | 100NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 200Ma, 2a | 85 @ 500mA, 1V | 170MHz | ||||||||||||||
 | PBSS4240XF | - | | 9139 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 500 MW | Sot-89 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PBSS4240XF-954 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 40 V | 2 A | 100NA (ICBO) | NPN | 140mv @ 50 mm, 500 mA | 300 @ 500 mA, 5V | 150MHz | ||||||||||||||
| BC68-25PASX | 0.0700 | | 85 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-udfn almohadilla exposición | 420 MW | DFN2020D-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BC68-25PASX-954 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 20 V | 2 A | 100NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 200Ma, 2a | 85 @ 500mA, 1V | 170MHz | ||||||||||||||
 | Buk9y11-80ex | - | | 8848 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-100, SOT-669 | Mosfet (Óxido de metal) | LFPAK56, POWER-SO8 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BUK9Y11-80EX-954 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 80 V | 84a (TC) | 5V | 10mohm @ 25A, 10V | 2.1V @ 1MA | 44.2 NC @ 5 V | ± 10V | 6506 pf @ 25 V | - | 194W (TC) | ||||||||||
| PBSS5630PA, 115 | 0.1100 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-Powerudfn | 2.1 W | 3-Huson (2x2) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PBSS5630PA, 115-954 | 1 | 30 V | 6 A | 100na | PNP | 350mv @ 300 Ma, 6a | 190 @ 2a, 2v | 80MHz | ||||||||||||||||
 | PBSS4230T, 215 | 1.0000 | | 9776 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 480 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PBSS4230T, 215-954 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 30 V | 2 A | 100NA (ICBO) | NPN | 320MV @ 200MA, 2A | 300 @ 1a, 2v | 230MHz | ||||||||||||||
 | PSMN012-80BS, 118 | - | | 4498 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PSMN012-80BS, 118-954 | 1 | N-canal | 80 V | 74a (TC) | 10V | 11mohm @ 15a, 10v | 4V @ 1MA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 2782 pf @ 12 V | - | 148W (TC) | ||||||||||||
| 2PD2150,115 | 0.0800 | | 8 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2 W | Sot-89 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-2PD2150,115-954 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 20 V | 3 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 100 mm, 2a | 180 @ 100mA, 2V | 220MHz | ||||||||||||||
| PDTA143ZT, 215 | 0.0200 | | 177 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PDTA143ZT, 215-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | PBLS4002Y, 115 | 0.0700 | | 95 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | PBLS4002 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PBLS4002Y, 115-954 | 4.873 | |||||||||||||||||||||||||||
| PMBTA14,215 | 0.0400 | | 99 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PMBTA14,215-954 | 7,378 | 30 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1.5V @ 100 µA, 100 mA | 20000 @ 100MA, 5V | 125MHz | ||||||||||||||||
 | PMCM6501VNE/S500Z | 0.1900 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-PMCM6501VNE/S500Z-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | PEMB16,115 | 0.0400 | | 12 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PEMB16,115-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | PHPT610035NKX | 1.0000 | | 5556 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | PHPT610035 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PHPT610035NKX-954 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
 | PMDPB95XNE2X | 0.0900 | | 8729 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | PMDPB95 | - | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-PMDPB95XNE2X-954 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||
 | CLF1G0035-200P | - | | 2878 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-CLF1G0035-200P-954 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
| BC55-10PA, 115 | 1.0000 | | 5909 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-Powerudfn | 650 MW | 3-Huson (2x2) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BC55-10PA, 115-954 | 1 | 60 V | 1 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150mA, 2V | 180MHz | ||||||||||||||||
| PSMN4R3-80PS, 127 | 1.4600 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 2156-PSMN4R3-80PS, 127-954 | 207 | N-canal | 80 V | 120a (TC) | 10V | 4.3mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 111 NC @ 10 V | ± 20V | 8161 pf @ 40 V | - | 306W (TC) | ||||||||||||
 | PBHV9115Z, 115 | - | | 6084 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PBHV9115Z, 115-954 | 200 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BC857CW, 115 | - | | 8946 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BC857 | 200 MW | Sot-323 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BC857CW, 115-954 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 420 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||
| Buk663r2-40c, 118 | 0.5000 | | 724 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-BUK663R2-40C, 118-954 | 1 | N-canal | 40 V | 100A (TC) | 10V | 3.2mohm @ 25A, 10V | 2.8V @ 1MA | 125 NC @ 10 V | ± 16V | 8020 pf @ 25 V | - | 204W (TC) | ||||||||||||
| PMZ1000UN, 315 | 0.0500 | | 10 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PMZ1000UN, 315-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| PSMN035-150P, 127 | 0.7500 | | 15 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-PSMN035-150P, 127-954 | 1 | N-canal | 150 V | 50A (TC) | 10V | 35mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 79 NC @ 10 V | ± 20V | 4720 pf @ 25 V | - | 250W (TC) | ||||||||||||
| PDTC144TM, 315 | 0.0200 | | 38 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | PDTC144 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PDTC144TM, 315-954 | 15,000 | |||||||||||||||||||||||||||
 | Buk6e4r0-75c, 127 | 1.0200 | | 19 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-BUK6E4R0-75C, 127-954 | 1 | N-canal | 75 V | 120a (TC) | 4.5V, 10V | 4.2mohm @ 25A, 10V | 2.8V @ 1MA | 234 NC @ 10 V | ± 16V | 15450 pf @ 25 V | - | 306W (TC) | ||||||||||||
| PSMN1R8-30PL, 127 | 1.0000 | | 1915 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | PSMN1R8 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 2156-PSMN1R8-30PL, 127-954 | 1 | N-canal | 30 V | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 1.8mohm @ 25A, 10V | 2.15V @ 1MA | 170 NC @ 10 V | ± 20V | 10180 pf @ 12 V | - | 270W (TC) |
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