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Transistores (506)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BC52-10PASX | 0.0600 |  | 59 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-udfn almohadilla exposición | 420 MW | DFN2020D-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BC52-10PASX-954 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 60 V | 1 A | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150mA, 2V | 145MHz | ||||||||||||||
 | PBSS304PD, 115 | 0.1100 | | 21 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | 1.1 W | 6-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PBSS304PD, 115-954 | 1 | 80 V | 1 A | 100na | PNP | 540mv @ 500 Ma, 5a | 155 @ 500mA, 2V | 110MHz | ||||||||||||||||
 | Pdtd113eqaz | 0.0300 | | 30 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | PDTD113 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PDTD113EQAZ-954 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
 | PSMN6R0-25YLD115 | 0.2200 | | 9 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-PSMN6R0-25YLD115-954 | 1.340 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN7R0-100BS, 118 | 1.0000 | | 9608 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PSMN7R0-100BS, 118-954 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 100 V | 100A (TC) | 10V | 6.8mohm @ 15a, 10v | 4V @ 1MA | 125 NC @ 10 V | ± 20V | 6686 pf @ 50 V | - | 269W (TC) | ||||||||||
 | PSMN8R0-40PS, 127 | - | | 2848 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 2156-PSMN8R0-40PS, 127-954 | 1 | N-canal | 40 V | 77a (TC) | 10V | 7.6mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 1262 pf @ 12 V | - | 86W (TC) | ||||||||||||
 | PBLS1503Y, 115 | 0.0700 | | 222 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | PBLS1503 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PBLS1503Y, 115-954 | 4.873 | |||||||||||||||||||||||||||
| PBSS8110Y, 115 | - | | 8170 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | 625 MW | 6-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PBSS8110Y, 115-954 | 1 | 100 V | 1 A | 100na | NPN | 200 MV @ 100 MAPA, 1A | 150 @ 250 Ma, 10v | 100MHz | ||||||||||||||||
 | PEMD19,115 | 0.0400 | | 12 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PEMD19,115-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk6e2r3-40c, 127 | 0.8900 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-BUK6E2R3-40C, 127-954 | 1 | N-canal | 40 V | 120a (TC) | 10V | 2.3mohm @ 25A, 10V | 2.8V @ 1MA | 260 NC @ 10 V | ± 16V | 15100 pf @ 25 V | - | 306W (TC) | ||||||||||||
 | PDTC143TU, 115 | 0.0200 | | 121 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PDTC143TU, 115-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | PQMD16147 | - | | 1730 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | PQMD16 | descascar | Vendedor indefinido | Vendedor indefinido | 2156-PQMD16147-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
 | MMBT2222A, 215 | - | | 2521 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT2222 | 250 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-MMBT2222A, 215-954 | 1 | 40 V | 600 mA | 10NA (ICBO) | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | 300MHz | |||||||||||||||
| PSMN070-200B, 118 | 1.0900 | | 5436 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-PSMN070-200B, 118-954 | 1 | N-canal | 200 V | 35A (TC) | 10V | 70mohm @ 17a, 10v | 4V @ 1MA | 77 NC @ 10 V | ± 20V | 4570 pf @ 25 V | - | 250W (TC) | ||||||||||||
 | BCV65,215 | 0.0800 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BCV65,215-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk752r3-40e, 127 | 0.9000 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-BUK752R3-40E, 127-954 | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 40 V | 120A (TA) | 2.3mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 109.2 NC @ 10 V | ± 20V | 8500 pf @ 25 V | - | 293W (TA) | |||||||||||
| Buk762r6-40e, 118 | - | | 8816 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BUK762R6-40E, 118-954 | 1 | N-canal | 40 V | 100A (TC) | 10V | 2.6mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 91 NC @ 10 V | ± 20V | 7130 pf @ 25 V | - | 263W (TC) | ||||||||||||
 | BC846BMB, 315 | 0.0200 | | 6853 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BC846BMB, 315-954 | 12,885 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | A7101CLTK2/T0BC27J | 1.3400 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-A7101CLTK2/T0BC27J-954 | 243 | ||||||||||||||||||||||||||||
| Buk7e2r3-40e, 127 | 0.8500 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-BUK7E2R3-40E, 127-954 | 1 | N-canal | 40 V | 120a (TC) | 10V | 2.3mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 109.2 NC @ 10 V | ± 20V | 8500 pf @ 25 V | - | 293W (TC) | ||||||||||||
 | PSMN085-150K, 518 | 0.3300 | | 9 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-PSMN085-150K, 518-954 | 1 | N-canal | 150 V | 3.5A (TC) | 10V | 85mohm @ 3.5a, 10v | 4V @ 1MA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 1310 pf @ 25 V | - | 3.5W (TC) | ||||||||||||
| 2PB709BSL, 215 | 0.0300 | | 416 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-2PB709BSL, 215-954 | 1 | 50 V | 200 MA | 10NA (ICBO) | PNP | 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma | 210 @ 2mA, 10V | 200MHz | ||||||||||||||||
 | PMV100XPEA215 | 0.0400 | | 48 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-PMV100XPEA215-954 | 6.693 | Canal P | 20 V | 2.4a (TA) | 128mohm @ 2.4a, 4.5V | 1.25V @ 250 µA | 6 NC @ 4.5 V | ± 12V | 386 pf @ 10 V | - | 463MW (TA), 4.45W (TC) | |||||||||||||
| PDTC124EM, 315 | 0.0300 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PDTC124EM, 315-954 | 15,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
| BCX70J, 215 | - | | 8888 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BCX70J, 215-954 | 1 | 45 V | 100 mA | 20NA (ICBO) | NPN | 550mv @ 1.25 mA, 50 mA | 250 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||
| PMV160UP235 | - | | 8538 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Vendedor indefinido | 2156-PMV160UP235-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BLF1046,112 | 67.6000 | | 20 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-Blf1046,112-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| PMST2222,115 | 0.0200 | | 540 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 200 MW | Sot-323 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PMST2222,115-954 | 1 | 30 V | 600 mA | 10NA (ICBO) | NPN | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | 250MHz | ||||||||||||||||
| AFV10700HR5178 | 496.2300 | | 50 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-AFV10700HR5178-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Pmt560eneax | - | | 1293 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PMT560ENEAX-954 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 100 V | 1.1a (TA) | 4.5V, 10V | 715mohm @ 1.1a, 10v | 2.7V @ 250 µA | 4.4 NC @ 10 V | ± 20V | 112 pf @ 50 V | - | 750MW (TA) |
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