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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Condición de PrueBa | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Figura de Ruido (db typ @ f) |
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![]() | BUK7575-55A, 127 | 0.3600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-BUK7575-55A, 127-954 | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 55 V | 20.3a (TC) | 10V | 75mohm @ 10a, 10v | 4V @ 1MA | ± 20V | 483 pf @ 25 V | - | 62W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMZ290UNEYL | - | ![]() | 1610 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-101, SOT-883 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-883 | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-PMZ290UNEYL-954 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 20 V | 1a (TA) | 1.8V, 4.5V | 380mohm @ 500 mA, 4.5V | 950MV @ 250 µA | 0.68 NC @ 4.5 V | ± 8V | 83 pf @ 10 V | - | 360MW (TA), 2.7W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC858B, 215 | 0.0200 | ![]() | 734 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BC858B, 215-954 | 1 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 220 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AFV10700HR5178 | 496.2300 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-AFV10700HR5178-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pmt560eneax | - | ![]() | 1293 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PMT560ENEAX-954 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 100 V | 1.1a (TA) | 4.5V, 10V | 715mohm @ 1.1a, 10v | 2.7V @ 250 µA | 4.4 NC @ 10 V | ± 20V | 112 pf @ 50 V | - | 750MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCM847DS/DG/B2 115 | 0.0700 | ![]() | 181 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | BCM847 | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-BCM847DS/DG/B2 115-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS5112PAP, 115 | 0.1400 | ![]() | 34 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PBSS5112PAP, 115-954 | 2,166 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMCM6501UNE023 | 0.1800 | ![]() | 90 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Vendedor indefinido | 2156-PMCM6501UNE023-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A2I25D025NR1 | 34.3300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Obsoleto | 65 V | Variante A 270-17, Plana Plana | 2.1GHz ~ 2.9GHz | Ldmos | Un 270WB-17 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-A2I25D025NR1 | EAR99 | 8542.33.0001 | 9 | Dual | 10 µA | 157 Ma | 3.2W | 31.9db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A2T27S007NT1 | 7.5100 | ![]() | 984 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Obsoleto | 65 V | Almohadilla exposición de 16-vdfn | 400MHz ~ 2.7GHz | Ldmos | 16-DFN (4x6) | descascar | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-A2T27S007NT1 | EAR99 | 8542.33.0001 | 1 | 10 µA | 60 Ma | 28.8dbm | 18.9dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Aft27S010NT1 | 10.3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | PLD-1.5W | 728MHz ~ 3.6GHz | Ldmos | PLD-1.5W | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-Atain27S010NT1 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 10 µA | 90 Ma | 1.26W | 21.7db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7635-100A, 118 | 0.5700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-BUK7635-100A, 118 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | N-canal | 100 V | 41a (TA) | 10V | 35mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 2535 pf @ 25 V | - | 149W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN6R3-120PS | 2.0100 | ![]() | 319 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-PSMN6R3-120PS | EAR99 | 8541.29.0075 | 162 | N-canal | 120 V | 70A (TA) | 10V | 6.7mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 207.1 NC @ 10 V | ± 20V | 11384 pf @ 60 V | - | 405W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF24301HSR5 | 89.6400 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Obsoleto | 32 V | Ni-780s | 2.4GHz ~ 2.5GHz | Ldmos | Ni-780s | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 2156-MRF24301HSR5 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | - | 300W | 13.5dB | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A2T21H450W19SR6 | 217.4300 | ![]() | 277 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | NI-1230S-4S4S | 2.11GHz ~ 2.2GHz | Ldmos | NI-1230S-4S4S | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-A2T21H450W19SR6 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 10 µA | 800 Ma | 89W | 15.7db | - | 30 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A3G35H100-04SR3 | 95.6100 | ![]() | 137 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | 125 V | Montaje en superficie | Ni-780S-4L | 3.4GHz ~ 3.6GHz | Ganancia | Ni-780S-4L | - | 2156-A3G35H100-04SR3 | 4 | 2 Canal | - | 80 Ma | 14W | 14dB @ 3.6Ghz | - | 48 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMDXB600UNEL/S500Z | - | ![]() | 6059 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | - | 2156-PMDXB600UNEL/S500Z | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRFX600GSR5 | 139.9300 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | 179 V | Montaje en superficie | Ni-780GS-4L | 1.8MHz ~ 400MHz | LDMOS (dual) | Ni-780GS-4L | - | 2156-MRFX600GSR5 | 3 | 2 Canal | 10 µA | 100 mA | 600W | 26.4db @ 230MHz | - | 65 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bfu520xrr | 0.1200 | ![]() | 51 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-143r | 450MW | Sot-143r | - | 2156-BFU520XRR | 2.515 | 17.5dB | 12V | 30mera | NPN | 60 @ 5mA, 8V | 10GHz | 0.65dB A 900MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLP05M7200Y | - | ![]() | 9352 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | - | 2156-Blp05m7200y | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PQMD13147 | - | ![]() | 5836 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | - | 2156-PQMD13147 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMXB43UNE/S500Z | - | ![]() | 3938 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 3-xdfn | Mosfet (Óxido de metal) | DFN1010D-3 | - | 2156-PMXB43UNE/S500Z | 1 | N-canal | 20 V | 3.2a (TA) | 1.5V, 4.5V | 54mohm @ 3.2a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 10 NC @ 4.5 V | ± 8V | 551 pf @ 10 V | - | 400MW (TA), 8.33W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS5220PAPSX | - | ![]() | 9176 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-udfn almohadilla exposición | 370MW | DFN2020D-6 | - | 2156-PBSS5220PAPSX | 1 | 20V | 2a | 100NA (ICBO) | 2 PNP | 390mv @ 200Ma, 2a | 160 @ 1a, 2v | 95MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AFT21S140W02SR3 | 150.2600 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | Ni-780s | 2.11GHz ~ 2.17GHz | Ldmos | Ni-780s | - | 2156-ATAIN21S140W02SR3 | 2 | N-canal | - | 800 Ma | 32W | 19.3db @ 2.14Ghz | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLM6G22-30G, 118 | - | ![]() | 8447 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | SOT-822-1 | 2.1GHz ~ 2.2GHz | LDMOS (dual) | 16-HSOP | - | 2156-Blm6g22-30g, 118 | 1 | - | 3a, 9a | 280 Ma | 30W | 30dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Stgwt20v60df | 1.5200 | ![]() | 600 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Estándar | 167 W | A-3P-3 | - | 2156-stgwt20v60df | 198 | 400V, 20A, 15V | 40 ns | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 40 A | 80 A | 2.2V @ 15V, 20a | 200 µJ (ON), 130 µJ (OFF) | 116 NC | 38ns/149ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MD7IC2755NR1 | 114.3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | Variante A 270-14, Plano de Cables | 2.5Ghz ~ 2.7GHz | LDMOS (dual) | Un 270 WB-14 | - | 2156-MD7IC2755NR1 | 3 | 2 Canal | 10 µA | 275 Ma | 10W | 25db | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLF8G27LS-100PJ | - | ![]() | 4497 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | SOT-1121B | 2.5Ghz ~ 2.7GHz | LDMOS (Dual), Fuente Común | Más | - | 2156-Blf8g27LS-100pj | 1 | 2 Canal | - | 860 Ma | 25W | 18dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PUMH9/ZL165 | - | ![]() | 1482 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | 200MW | 6-TSOP | - | 2156-PUMH9/ZL165 | 1 | 50V | 100mA | 100na | 2 NPN - Precializado | 100mv @ 250 µA, 5 mA | 100 @ 5 MMA, 5V | 230MHz | 10 kohms | 47 kohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AFT20P060-4NR3 | 51.9900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | OM-780-4L | 2.17GHz | LDMOS (dual) | OM-780-4L | - | 2156-Atagante20p060-4nr3 | 6 | 2 Canal | - | 450 Ma | 60W | 18.9dB | - | 28 V |
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