SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Resistencia - RDS (ON) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
MMBT3906K Fairchild Semiconductor Mmbt3906k 0.0200
RFQ
ECAD 865 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 200 MA - PNP 400mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 250MHz
NDS8961 Fairchild Semiconductor NDS8961 -
RFQ
ECAD 4953 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) NDS896 Mosfet (Óxido de metal) 900MW 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 551 2 Canal N (Dual) 30V 3.1A 100mohm @ 3.1a, 10V 3V @ 250 µA 10nc @ 10V 190pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
FGA90N30TU Fairchild Semiconductor FGA90N30TU 1.1500
RFQ
ECAD 891 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Estándar 219 W Un 3p descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 30 - - 300 V 90 A 220 A 1.4V @ 15V, 20a - 87 NC -
PN4091 Fairchild Semiconductor PN4091 0.0600
RFQ
ECAD 26 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 16pf @ 20V 40 V 30 Ma @ 20 V 5 V @ 1 Na 30 ohmios
FQI50N06LTU Fairchild Semiconductor Fqi50n06ltu 1.3100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 52.4a (TC) 5V, 10V 21mohm @ 26.2a, 10v 2.5V @ 250 µA 32 NC @ 5 V ± 20V 1630 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 121W (TC)
FDS6984S Fairchild Semiconductor Fds6984s 1.3800
RFQ
ECAD 115 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench®, Syncfet ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS69 Mosfet (Óxido de metal) 900MW 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 30V 5.5a, 8.5a 19mohm @ 8.5a, 10v 3V @ 250 µA 12NC @ 5V 1233pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
FQD8N25TF Fairchild Semiconductor Fqd8n25tf 0.4600
RFQ
ECAD 33 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 250 V 6.2a (TC) 10V 550mohm @ 3.1a, 10V 5V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 30V 530 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 50W (TC)
SGL40N150DTU Fairchild Semiconductor SGL40N150DTU 11.6600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA Sgl40 Estándar 200 W HPM F2 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 25 - 300 ns - 1500 V 40 A 120 A 4.7V @ 15V, 40A - 140 NC -
SGR15N40LTM Fairchild Semiconductor SGR15N40LTM 0.8000
RFQ
ECAD 765 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SGR15 Estándar 45 W TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 - Zanja 400 V 130 A 8V @ 4.5V, 130a - -
MPSL51 Fairchild Semiconductor MPSL51 0.0400
RFQ
ECAD 6686 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 446 100 V 200 MA 1 µA (ICBO) PNP 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 40 @ 50 mm, 5v 60MHz
KSC1393OTA Fairchild Semiconductor Ksc1393ota 1.0000
RFQ
ECAD 1984 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 250MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 20dB ~ 24dB 30V 20 Ma NPN 60 @ 2mA, 10V 700MHz 2dB ~ 3dB @ 200MHz
RFD4N06LSM9A Fairchild Semiconductor Rfd4n06lsm9a 0.5600
RFQ
ECAD 67 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 4A (TC) 5V 600mohm @ 1a, 5V 2.5V @ 250 µA 8 NC @ 10 V ± 10V - 30W (TC)
FQU6N40CTU Fairchild Semiconductor Fqu6n40ctu -
RFQ
ECAD 6824 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 5.040 N-canal 400 V 4.5A (TC) 10V 1ohm @ 2.25a, 10v 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 30V 625 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 48W (TC)
MPS8098 Fairchild Semiconductor MPS8098 0.0400
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW TO-92 (TO-226) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 5,000 60 V 500 mA 100na NPN 400mv @ 5 Ma, 100 Ma 100 @ 1 mapa, 5v 150MHz
TIP106 Fairchild Semiconductor TIP106 0.2700
RFQ
ECAD 8150 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 80 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 890 80 V 8 A 50 µA PNP - Darlington 2.5V @ 80MA, 8A 1000 @ 3a, 4v 4MHz
TIP42B Fairchild Semiconductor TIP42B 0.4100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 2 W Un 220-3 descascar Rohs no conforme EAR99 8541.29.0095 50 80 V 6 A 700 µA PNP 1.5V @ 600mA, 6a 15 @ 3a, 4V 3MHz
MPSW56RLRPG Fairchild Semiconductor Mpsw56rlrpg 1.0000
RFQ
ECAD 8987 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) 1 W TO-92 (TO-226) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0075 2,000 80 V 500 mA 500NA PNP 500mv @ 10 Ma, 250 Ma 50 @ 250 Ma, 1V 50MHz
SSD2025TF Fairchild Semiconductor SSD2025TF -
RFQ
ECAD 4169 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) SSD2025 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-Soico descascar Rohs no conforme EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 60V 3.3a 100mohm @ 3.3a, 10v 1V @ 250 µA 30NC @ 10V - Puerta de Nivel Lógico
SFP9640L Fairchild Semiconductor SFP9640L 0.7200
RFQ
ECAD 760 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 200 V 11a (TC) 5V 500mohm @ 5.5a, 5V 2V @ 250 µA 59 NC @ 5 V ± 20V 1585 pf @ 25 V - 98W (TC)
KSP45BU Fairchild Semiconductor Ksp45bu 0.0400
RFQ
ECAD 183 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 1,000 350 V 300 mA 500NA NPN 750mv @ 5 mm, 50 Ma 50 @ 10 mapa, 10v -
FQPF18N20V2 Fairchild Semiconductor FQPF18N20V2 1.0800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 200 V 18a (TC) 10V 140mohm @ 9a, 10v 5V @ 250 µA 26 NC @ 10 V ± 30V 1080 pf @ 25 V - 40W (TC)
FDY4001CZ Fairchild Semiconductor Fdy4001cz 0.1000
RFQ
ECAD 111 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 Fdy40 Mosfet (Óxido de metal) 446MW SOT-563F descascar No Aplicable EAR99 8541.21.0095 3.000 Vecino del canal 20V 200MA, 150 Ma 5ohm @ 200ma, 4.5V 1.5V @ 250 µA 1.1NC @ 4.5V 60pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
KSD1616GBU Fairchild Semiconductor Ksd1616gbu 0.0500
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 750 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1,000 50 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 50 mm, 1a 200 @ 100 mapa, 2v 160MHz
HUF75623S3ST Fairchild Semiconductor HUF75623S3ST -
RFQ
ECAD 8539 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 22a (TC) 10V 64mohm @ 22a, 10v 4V @ 250 µA 52 NC @ 20 V ± 20V 790 pf @ 25 V - 85W (TC)
BC32825TA Fairchild Semiconductor Bc32825ta 0.0200
RFQ
ECAD 1412 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 596 25 V 800 Ma 100na PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 160 @ 100mA, 1V 100MHz
FDS4070N3 Fairchild Semiconductor FDS4070N3 1.6200
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 15.3a (TA) 10V 7.5mohm @ 15.3a, 10v 5V @ 250 µA 67 NC @ 10 V ± 20V 2819 pf @ 20 V - 3W (TA)
FDS7098N3 Fairchild Semiconductor FDS7098N3 0.5100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 14a (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 14a, 10v 3V @ 250 µA 22 NC @ 5 V ± 20V 1587 pf @ 15 V - 3W (TA)
HUF76443P3 Fairchild Semiconductor HUF76443P3 1.8500
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 60 V 75A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 75a, 10v 3V @ 250 µA 129 NC @ 10 V ± 16V 4115 pf @ 25 V - 260W (TC)
FMG2G50US60 Fairchild Semiconductor FMG2G50US60 31.7500
RFQ
ECAD 148 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis 7 pm-ga 250 W Estándar 7 pm-ga descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 15 Medio puente - 600 V 50 A 2.8V @ 15V, 50A 250 µA No 3.46 NF @ 30 V
FJY4001R Fairchild Semiconductor FJY4001R 0.0200
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto Montaje en superficie SC-89, SOT-490 FJY400 200 MW SOT-523F descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 15,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 20 @ 10mA, 5V 200 MHz 4.7 kohms 4.7 kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock