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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
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![]() | HUF75639S3ST_Q | 1.1700 | ![]() | 36 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | HUF75639 | - | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75639S3ST | 1.4800 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Automotive, AEC-Q101, UltraFet ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | HUFA75 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (TO-263AB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 800 | N-canal | 100 V | 56a (TC) | 10V | 25mohm @ 56a, 10v | 4V @ 250 µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 2000 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | FDD6796A | 0.5200 | ![]() | 749 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 750 | N-canal | 25 V | 20A (TA), 40A (TC) | 5.7mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 1780 pf @ 13 V | - | 3.7W (TA), 42W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | Ksh112tm | - | ![]() | 3267 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Ksh11 | 1.75 W | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 2.500 | 100 V | 2 A | 20 µA | NPN - Darlington | 3V @ 40mA, 4A | 1000 @ 2a, 3V | 25MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC0223 | 0.1700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCA20N60 | - | ![]() | 5993 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Superfet ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | FCA20 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pn | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 600 V | 20A (TC) | 10V | 190mohm @ 10a, 10v | 5V @ 250 µA | 98 NC @ 10 V | ± 30V | 3080 pf @ 25 V | - | 208W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | FCP11N65 | 1.4900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | FCP11 | - | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGI3236-F085 | 2.0500 | ![]() | 971 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Automotive, AEC-Q101, EcoSpark® | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Lógica | 187 W | I2pak (TO-262) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 300V, 1KOHM, 5V | - | 360 V | 44 A | 1.4V @ 4V, 6A | - | 20 NC | -/5.4 µs | |||||||||||||||||||||||
![]() | BC857S | - | ![]() | 2842 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | BC857 | 300MW | SC-88 (SC-70-6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 3.000 | 45V | 200 MMA | 15NA (ICBO) | 2 PNP (dual) | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 125 @ 2mA, 5V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT4126 | - | ![]() | 9358 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT4126 | 350 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 3.000 | 25 V | 200 MA | 50NA (ICBO) | PNP | 400mv @ 5 Ma, 50 Ma | 120 @ 2mA, 1V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 73389 | 1.3700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | - | - | No Aplicable | 3 (168 Horas) | 0000.00.0000 | 220 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc388cyta | 0.0300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | KSC388 | 300 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 25 V | 50 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 200 MV @ 1.5mA, 15 Ma | 20 @ 12.5mA, 12.5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | HGT1S12N60A4DS | 3.7100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Estándar | 167 W | Un 263ab | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 390V, 12a, 10ohm, 15V | 30 ns | - | 600 V | 54 A | 96 A | 2.7V @ 15V, 12A | 55 µJ (Encendido), 50 µJ (apaguado) | 120 NC | 17ns/96ns | |||||||||||||||||||||
![]() | HUF75842S3 | 1.5000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | HUF75842 | - | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGH40T65SHD-F155 | 1.0000 | ![]() | 5048 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | FGH40 | Estándar | 268 W | TO-247 LARGOS LARGOS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V, 40a, 6ohm, 15V | 31.8 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 80 A | 120 A | 2.1V @ 15V, 40A | 1.01MJ (Encendido), 297 µJ (apagado) | 72.2 NC | 19.2ns/65.6ns | ||||||||||||||||||||
![]() | Fjaf4210ytu | 1.2300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | FJAF4210 | 80 W | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 140 V | 10 A | 10 µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 500 Ma, 5a | 90 @ 3a, 4v | 30MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Bd17610stu | 0.2000 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | BD176 | 30 W | A-126-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 45 V | 3 A | 100 µA (ICBO) | PNP | 800mv @ 100 mm, 1a | 63 @ 150mA, 2V | 3MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76629DS3 | 1.0000 | ![]() | 5109 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | HUF76629 | - | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC81816MTF | 1.0000 | ![]() | 6249 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 310 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 3.000 | 25 V | 800 Ma | 100na | NPN | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 100 @ 100 maja, 1v | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PN3685 | 0.2400 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | - | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | PN368 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 92-3 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FOD817X_5701W | 0.1100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fja4313rtu | 1.0000 | ![]() | 2549 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | 130 W | Un 3pn | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 250 V | 17 A | 5 µA (ICBO) | NPN | 3V @ 800mA, 8A | 55 @ 1a, 5v | 30MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FGB3236-F085 | 1.4900 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Automotive, AEC-Q101, EcoSpark® | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Lógica | 187 W | D2PAK (TO-263) | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 219 | 300V, 1KOHM, 5V | - | 360 V | 44 A | 1.4V @ 4V, 6A | - | 20 NC | -/5.4 µs | |||||||||||||||||||||||
![]() | Ksa1156yststu | - | ![]() | 6983 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | KSA1156 | 1 W | A-126-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 400 V | 500 mA | 100 µA (ICBO) | PNP | 1V @ 10 Ma, 100 Ma | 100 @ 100 maja, 5v | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FCP25N60N | 4.0200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Supremos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | FCP25 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 600 V | 25A (TC) | 10V | 125mohm @ 12.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 74 NC @ 10 V | ± 30V | 3352 pf @ 100 V | - | 216W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | Fan5009amx | 0.3000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | Fan5009 | - | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.500 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fjx4006rtf | 0.0300 | ![]() | 93 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | FJX400 | 200 MW | SC-70 (SOT323) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5MA, 5V | 200 MHz | 10 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | Fqi15p12tu | 0.6600 | ![]() | 901 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Fqi1 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak (TO-262) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal P | 120 V | 15A (TC) | 10V | 200mohm @ 7.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 100W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | Fjv4113rmtf | - | ![]() | 4762 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | FJV411 | 200 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5MA, 5V | 200 MHz | 2.2 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | PN100TF | 0.0500 | ![]() | 177 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 6.662 |
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