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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
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![]() | Ksh127tm | 1.0000 | ![]() | 4312 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | KSH12 | 1.75 W | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 2.500 | 100 V | 8 A | 10 µA | PNP - Darlington | 4V @ 80MA, 8A | 1000 @ 4a, 4V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | Kse45h8tu | 0.2500 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | KSE45 | 1.67 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 60 V | 10 A | 10 µA | PNP | 1V @ 400 Ma, 8a | 60 @ 2a, 1v | 40MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | FDI9406_F085 | 1.3100 | ![]() | 400 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak (TO-262) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 40 V | 110A (TC) | 10V | 2.2mohm @ 80a, 10v | 4V @ 250 µA | 138 NC @ 10 V | ± 20V | 7710 pf @ 25 V | - | 176W (TJ) | ||||||||||||||||||
![]() | FDP023N08B | 2.1300 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | FDP023 | - | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksp45ta | - | ![]() | 9895 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 350 V | 300 mA | 500NA | NPN | 750mv @ 5 mm, 50 Ma | 50 @ 10 mapa, 10v | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | Ksh29ctf | - | ![]() | 2532 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | KSH29 | 1.56 W | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 2,000 | 100 V | 1 A | 50 µA | NPN | 700mv @ 125ma, 1a | 15 @ 1a, 4v | 3MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | Fdmc86106lz | 0.4800 | ![]() | 4443 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | FDMC86 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-MLP (3.3x3.3) | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | N-canal | 100 V | 3.3a (TA), 7.5a (TC) | 103mohm @ 3.3a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 6 NC @ 10 V | 310 pf @ 50 V | - | 2.3W (TA), 19W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | FDI045N10A | 1.0000 | ![]() | 4484 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | FDI045 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak (TO-262) | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 100 V | 120a (TC) | 10V | 4.5mohm @ 100a, 10V | 4V @ 250 µA | 74 NC @ 10 V | ± 20V | 5270 pf @ 50 V | - | 263W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | FDMS0352S | 0.4800 | ![]() | 259 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PQFN (5x6), Power56 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 3.000 | N-canal | 30 V | 26a (TA), 42a (TC) | 4.5V, 10V | 2.4mohm @ 25A, 10V | 3V @ 1MA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 6120 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 83W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | SFP9530 | - | ![]() | 5001 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal P | 100 V | 10.5a (TC) | 300mohm @ 5.3a, 10V | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 30V | 1035 pf @ 25 V | - | 66W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | KST4401MTF | - | ![]() | 6828 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 7,639 | 40 V | 600 mA | 100na | NPN | 750mv @ 50 mm, 500 mA | 100 @ 150mA, 1V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS3008SDC | 1.3000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Dual Cool ™, Powertrench®, Syncfet ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | FDMS30 | Mosfet (Óxido de metal) | Dual Cool ™ 56 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 3.000 | N-canal | 30 V | 29a (TA) | 4.5V, 10V | 2.6mohm @ 28a, 10v | 3V @ 1MA | 64 NC @ 10 V | ± 20V | 4520 pf @ 15 V | - | 3.3W (TA), 78W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | FDMC0205 | 0.1900 | ![]() | 188 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | FDMC02 | - | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC0208 | 0.2500 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | FDMC02 | - | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdmc6683pz | - | ![]() | 3427 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | FDMC66 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-MLP (3.3x3.3) | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 3.000 | Canal P | 20 V | 40A (TC) | 2.5V, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 74 NC @ 10 V | ± 12V | 7995 pf @ 10 V | - | 26W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | Nvtfs5824nltag | 1.0000 | ![]() | 4641 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Nvtfs5 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-WDFN (3.3x3.3) | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 60 V | 37a (TC) | 4.5V, 10V | 20.5mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 850 pf @ 25 V | - | 3.2W (TA), 57W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | Ksb1151yststu | 0.2900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | KSB11 | 1.3 W | A-126-3 | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 60 V | 5 A | 10 µA (ICBO) | PNP | 300mv @ 200MA, 2a | 160 @ 2a, 1v | - | |||||||||||||||||||||
![]() | Fgpf4633tu | 1.0000 | ![]() | 8367 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Estándar | 30.5 W | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 200v, 20a, 5ohm, 15v | Zanja | 330 V | 300 A | 1.8v @ 15V, 70a | - | 60 NC | 8ns/52ns | ||||||||||||||||||||
![]() | FDB8030L | - | ![]() | 2705 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | FDB803 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263ab | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 91 | N-canal | 30 V | 80a (TA) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 80a, 10v | 2V @ 250 µA | 170 NC @ 5 V | ± 20V | 10500 pf @ 15 V | - | 187W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | Mmbta64 | - | ![]() | 1649 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mmbta64 | 350 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 V | 1.2 A | 100NA (ICBO) | PNP - Darlington | 1.5V @ 100 µA, 100 mA | 20000 @ 100MA, 5V | 125MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | FDB8896-F085 | - | ![]() | 6463 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Automotriz, AEC-Q101, Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | FDB8896 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263ab | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 V | 19A (TA), 93A (TC) | 4.5V, 10V | 5.7mohm @ 35a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 67 NC @ 10 V | ± 20V | 2525 pf @ 15 V | - | 80W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | HUFA76429D3ST_QF085 | - | ![]() | 5621 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | HUFA76429 | - | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 300 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76419D3ST | 0.5300 | ![]() | 713 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | HUFA76419 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 713 | N-canal | 60 V | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 37mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 27.5 NC @ 10 V | ± 16V | 900 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | Mjd340tf | - | ![]() | 9301 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | MJD34 | 1.56 W | D-Pak | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 300 V | 500 mA | 100 µA | NPN | - | 30 @ 50mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | Bdx54c | - | ![]() | 5656 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 60 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 100 V | 8 A | 500 µA | PNP - Darlington | 2V @ 12 mm, 3a | 750 @ 3a, 3V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | FQB5N60CTM | 0.6000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | FQB5 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (TO-263AB) | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 800 | N-canal | 600 V | 4.5A (TC) | 10V | 2.5ohm @ 2.25a, 10V | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 30V | 670 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 100W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | Fqpf6n50c | 0.6600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | Fqpf6n | - | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqpf13n50csdtu | 0.9600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | FQPF1 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 500 V | 13a (TC) | 10V | 480mohm @ 6.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 56 NC @ 10 V | ± 30V | 2055 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | Fqpf44n08t | 0.6700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Fqpf4 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 80 V | 25A (TC) | 10V | 34mohm @ 12.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 50 NC @ 10 V | ± 25V | 1430 pf @ 25 V | - | 41W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | FDMS7696A | 0.1500 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | FDMS7696 | - | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | - |
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