SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
KSH127TM Fairchild Semiconductor Ksh127tm 1.0000
RFQ
ECAD 4312 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 KSH12 1.75 W D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 2.500 100 V 8 A 10 µA PNP - Darlington 4V @ 80MA, 8A 1000 @ 4a, 4V -
KSE45H8TU Fairchild Semiconductor Kse45h8tu 0.2500
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 KSE45 1.67 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 60 V 10 A 10 µA PNP 1V @ 400 Ma, 8a 60 @ 2a, 1v 40MHz
FDI9406_F085 Fairchild Semiconductor FDI9406_F085 1.3100
RFQ
ECAD 400 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 40 V 110A (TC) 10V 2.2mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 138 NC @ 10 V ± 20V 7710 pf @ 25 V - 176W (TJ)
FDP023N08B Fairchild Semiconductor FDP023N08B 2.1300
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo FDP023 - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1 -
KSP45TA Fairchild Semiconductor Ksp45ta -
RFQ
ECAD 9895 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 350 V 300 mA 500NA NPN 750mv @ 5 mm, 50 Ma 50 @ 10 mapa, 10v -
KSH29CTF Fairchild Semiconductor Ksh29ctf -
RFQ
ECAD 2532 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 KSH29 1.56 W D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 2,000 100 V 1 A 50 µA NPN 700mv @ 125ma, 1a 15 @ 1a, 4v 3MHz
FDMC86106LZ Fairchild Semiconductor Fdmc86106lz 0.4800
RFQ
ECAD 4443 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN FDMC86 Mosfet (Óxido de metal) 8-MLP (3.3x3.3) - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 3.000 N-canal 100 V 3.3a (TA), 7.5a (TC) 103mohm @ 3.3a, 10v 2.2V @ 250 µA 6 NC @ 10 V 310 pf @ 50 V - 2.3W (TA), 19W (TC)
FDI045N10A Fairchild Semiconductor FDI045N10A 1.0000
RFQ
ECAD 4484 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA FDI045 Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 100 V 120a (TC) 10V 4.5mohm @ 100a, 10V 4V @ 250 µA 74 NC @ 10 V ± 20V 5270 pf @ 50 V - 263W (TC)
FDMS0352S Fairchild Semiconductor FDMS0352S 0.4800
RFQ
ECAD 259 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6), Power56 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 N-canal 30 V 26a (TA), 42a (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 25A, 10V 3V @ 1MA 90 NC @ 10 V ± 20V 6120 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 83W (TC)
SFP9530 Fairchild Semiconductor SFP9530 -
RFQ
ECAD 5001 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 Canal P 100 V 10.5a (TC) 300mohm @ 5.3a, 10V 4V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 30V 1035 pf @ 25 V - 66W (TC)
KST4401MTF Fairchild Semiconductor KST4401MTF -
RFQ
ECAD 6828 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 7,639 40 V 600 mA 100na NPN 750mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 150mA, 1V 250MHz
FDMS3008SDC Fairchild Semiconductor FDMS3008SDC 1.3000
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild Dual Cool ™, Powertrench®, Syncfet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn FDMS30 Mosfet (Óxido de metal) Dual Cool ™ 56 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 3.000 N-canal 30 V 29a (TA) 4.5V, 10V 2.6mohm @ 28a, 10v 3V @ 1MA 64 NC @ 10 V ± 20V 4520 pf @ 15 V - 3.3W (TA), 78W (TC)
FDMC0205 Fairchild Semiconductor FDMC0205 0.1900
RFQ
ECAD 188 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo FDMC02 - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 3.000 -
FDMC0208 Fairchild Semiconductor FDMC0208 0.2500
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo FDMC02 - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 3.000 -
FDMC6683PZ Fairchild Semiconductor Fdmc6683pz -
RFQ
ECAD 3427 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie FDMC66 Mosfet (Óxido de metal) 8-MLP (3.3x3.3) - No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 Canal P 20 V 40A (TC) 2.5V, 4.5V 1.5V @ 250 µA 74 NC @ 10 V ± 12V 7995 pf @ 10 V - 26W (TC)
NVTFS5824NLTAG Fairchild Semiconductor Nvtfs5824nltag 1.0000
RFQ
ECAD 4641 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Nvtfs5 Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFN (3.3x3.3) descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 60 V 37a (TC) 4.5V, 10V 20.5mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 250 µA 16 NC @ 10 V ± 20V 850 pf @ 25 V - 3.2W (TA), 57W (TC)
KSB1151YSTSTU Fairchild Semiconductor Ksb1151yststu 0.2900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 KSB11 1.3 W A-126-3 - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1 60 V 5 A 10 µA (ICBO) PNP 300mv @ 200MA, 2a 160 @ 2a, 1v -
FGPF4633TU Fairchild Semiconductor Fgpf4633tu 1.0000
RFQ
ECAD 8367 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Estándar 30.5 W Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 1 200v, 20a, 5ohm, 15v Zanja 330 V 300 A 1.8v @ 15V, 70a - 60 NC 8ns/52ns
FDB8030L Fairchild Semiconductor FDB8030L -
RFQ
ECAD 2705 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FDB803 Mosfet (Óxido de metal) Un 263ab descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 91 N-canal 30 V 80a (TA) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 80a, 10v 2V @ 250 µA 170 NC @ 5 V ± 20V 10500 pf @ 15 V - 187W (TC)
MMBTA64 Fairchild Semiconductor Mmbta64 -
RFQ
ECAD 1649 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mmbta64 350 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 1.2 A 100NA (ICBO) PNP - Darlington 1.5V @ 100 µA, 100 mA 20000 @ 100MA, 5V 125MHz
FDB8896-F085 Fairchild Semiconductor FDB8896-F085 -
RFQ
ECAD 6463 0.00000000 Semiconductor de fairchild Automotriz, AEC-Q101, Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FDB8896 Mosfet (Óxido de metal) Un 263ab descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 19A (TA), 93A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 35a, 10v 2.5V @ 250 µA 67 NC @ 10 V ± 20V 2525 pf @ 15 V - 80W (TC)
HUFA76429D3ST_QF085 Fairchild Semiconductor HUFA76429D3ST_QF085 -
RFQ
ECAD 5621 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo HUFA76429 - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 300 -
HUFA76419D3ST Fairchild Semiconductor HUFA76419D3ST 0.5300
RFQ
ECAD 713 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 HUFA76419 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 713 N-canal 60 V 20A (TC) 4.5V, 10V 37mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 27.5 NC @ 10 V ± 16V 900 pf @ 25 V - 75W (TC)
MJD340TF Fairchild Semiconductor Mjd340tf -
RFQ
ECAD 9301 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MJD34 1.56 W D-Pak descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 1 300 V 500 mA 100 µA NPN - 30 @ 50mA, 10V -
BDX54C Fairchild Semiconductor Bdx54c -
RFQ
ECAD 5656 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 60 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 100 V 8 A 500 µA PNP - Darlington 2V @ 12 mm, 3a 750 @ 3a, 3V -
FQB5N60CTM Fairchild Semiconductor FQB5N60CTM 0.6000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FQB5 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (TO-263AB) - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 800 N-canal 600 V 4.5A (TC) 10V 2.5ohm @ 2.25a, 10V 4V @ 250 µA 19 NC @ 10 V ± 30V 670 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 100W (TC)
FQPF6N50C Fairchild Semiconductor Fqpf6n50c 0.6600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo Fqpf6n - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido 1 -
FQPF13N50CSDTU Fairchild Semiconductor Fqpf13n50csdtu 0.9600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FQPF1 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 500 V 13a (TC) 10V 480mohm @ 6.5a, 10v 4V @ 250 µA 56 NC @ 10 V ± 30V 2055 pf @ 25 V - 48W (TC)
FQPF44N08T Fairchild Semiconductor Fqpf44n08t 0.6700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Fqpf4 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 80 V 25A (TC) 10V 34mohm @ 12.5a, 10V 4V @ 250 µA 50 NC @ 10 V ± 25V 1430 pf @ 25 V - 41W (TC)
FDMS7696A Fairchild Semiconductor FDMS7696A 0.1500
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo FDMS7696 - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 3.000 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock