SIC
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Transistores (3821)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
FDMS8027S Fairchild Semiconductor FDMS8027S 0.8700
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench®, Syncfet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar EAR99 8542.39.0001 347 N-canal 30 V 18a (TA), 22a (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 18a, 10v 3V @ 1MA 31 NC @ 10 V ± 20V 1815 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 36W (TC)
FQPF630 Fairchild Semiconductor FQPF630 0.6500
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar EAR99 8542.39.0001 464 N-canal 200 V 6.3a (TC) 10V 400mohm @ 3.15a, 10V 4V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 25V 550 pf @ 25 V - 38W (TC)
FDMS86320 Fairchild Semiconductor FDMS86320 0.7200
RFQ
 ECAD 4089 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 69 N-canal 80 V 10.5a (TA), 22a (TC) 8V, 10V 11.7mohm @ 10.5a, 10v 4.5V @ 250 µA 41 NC @ 10 V ± 20V 2640 pf @ 40 V - 2.5W (TA), 69W (TC)
FDPF55N06 Fairchild Semiconductor FDPF55N06 0.8700
RFQ
 ECAD 97 0.00000000 Semiconductor de fairchild Unifet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar EAR99 8542.39.0001 344 N-canal 60 V 55A (TC) 10V 22mohm @ 27.5a, 10V 4V @ 250 µA 37 NC @ 10 V ± 25V 1510 pf @ 25 V - 48W (TC)
FDPF18N20FT-G Fairchild Semiconductor FDPF18N20FT-G 0.7100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild Unifet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 200 V 18a (TC) 10V 140mohm @ 9a, 10v 5V @ 250 µA 26 NC @ 10 V ± 30V 1180 pf @ 25 V - 35W (TC)
FCH35N60 Fairchild Semiconductor FCH35N60 3.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild Supermos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 600 V 35A (TC) 10V 98mohm @ 17.5a, 10v 5V @ 250 µA 181 NC @ 10 V ± 30V 6640 pf @ 25 V - 312.5W (TC)
FQPF13N06L Fairchild Semiconductor FQPF13N06L 1.0000
RFQ
 ECAD 5466 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 60 V 10a (TC) 5V, 10V 110mohm @ 5a, 10v 2.5V @ 250 µA 6.4 NC @ 5 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 24W (TC)
MPSA06 Fairchild Semiconductor MPSA06 0.0800
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) MPSA06 625 MW Un 92 descascar EAR99 8541.21.0075 3.842 80 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
FQP85N06 Fairchild Semiconductor FQP85N06 -
RFQ
 ECAD 8435 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 60 V 85A (TC) 10V 10mohm @ 42.5a, 10V 4V @ 250 µA 112 NC @ 10 V ± 25V 4120 pf @ 25 V - 160W (TC)
FDB8444 Fairchild Semiconductor FDB8444 1.1400
RFQ
 ECAD 167 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar EAR99 8542.39.0001 264 N-canal 40 V 70A (TC) 10V 5.5mohm @ 70a, 10v 4V @ 250 µA 128 NC @ 10 V ± 20V 8035 pf @ 25 V - 167W (TC)
FDP5800 Fairchild Semiconductor FDP5800 1.0000
RFQ
 ECAD 3857 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar 0000.00.0000 1 N-canal 60 V 14a (TA), 80a (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 80a, 10v 2.5V @ 250 µA 145 NC @ 10 V ± 20V 9160 pf @ 15 V - 242W (TC)
FDD6296 Fairchild Semiconductor FDD6296 0.4300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar EAR99 8542.39.0001 697 N-canal 30 V 15A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 8.8mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 31.5 NC @ 10 V ± 20V 1440 pf @ 15 V - 3.8W (TA), 52W (TC)
FDMS8026S Fairchild Semiconductor FDMS8026S 0.9600
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench®, Syncfet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar EAR99 8541.29.0095 314 N-canal 30 V 19a (TA), 22a (TC) 4.5V, 10V 4.3mohm @ 19a, 10v 3V @ 1MA 37 NC @ 10 V ± 20V 2280 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 41W (TC)
FDN338P Fairchild Semiconductor FDN338P -
RFQ
 ECAD 3808 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar 0000.00.0000 1 Canal P 20 V 1.6a (TA) 2.5V, 4.5V 115mohm @ 1.6a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 6.2 NC @ 4.5 V ± 8V 451 pf @ 10 V - 500MW (TA)
FCPF1300N80ZYD Fairchild Semiconductor FCPF1300N80ZYD 1.0700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild Superfet® II Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 Paqueto completo, Pechos Formados Mosfet (Óxido de metal) TO20F-3 (Formación y) descascar EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 800 V 4A (TC) 10V 1.3ohm @ 2a, 10v 4.5V @ 400 µA 21 NC @ 10 V ± 20V 880 pf @ 100 V - 24W (TC)
BD239ATU Fairchild Semiconductor Bd239atu -
RFQ
 ECAD 4709 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 30 W Un 220-3 descascar EAR99 8541.29.0095 1 60 V 2 A 300 µA NPN 700mv @ 200MA, 1A 15 @ 1a, 4v -
FDP8441 Fairchild Semiconductor FDP8441 1.6100
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar EAR99 8542.39.0001 187 N-canal 40 V 23a (TA), 80a (TC) 10V 2.7mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 280 NC @ 10 V ± 20V 15000 pf @ 25 V - 300W (TC)
KSC5338DTU Fairchild Semiconductor KSC5338DTU -
RFQ
 ECAD 8971 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 75 W Un 220-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 450 V 5 A 100 µA NPN 500mV @ 200 MMA, 1A 6 @ 2a, 1v 11MHz
FDPF16N50 Fairchild Semiconductor FDPF16N50 -
RFQ
 ECAD 5923 0.00000000 Semiconductor de fairchild Unifet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 500 V 16a (TC) 10V 380mohm @ 8a, 10v 5V @ 250 µA 45 NC @ 10 V ± 30V 1945 pf @ 25 V - 38.5W (TC)
FQA90N15 Fairchild Semiconductor FQA90N15 -
RFQ
 ECAD 2864 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pn descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 150 V 90A (TC) 10V 18mohm @ 45a, 10v 4V @ 250 µA 285 NC @ 10 V ± 25V 8700 pf @ 25 V - 375W (TC)
FDS6961A Fairchild Semiconductor FDS6961A -
RFQ
 ECAD 7843 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS69 Mosfet (Óxido de metal) 900MW 8-Soico descascar EAR99 8542.39.0001 1 2 Canal N (Dual) 30V 3.5a 90mohm @ 3.5a, 10V 3V @ 250 µA 4NC @ 5V 220pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
FDS8433A Fairchild Semiconductor FDS8433A -
RFQ
 ECAD 9410 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar EAR99 8542.39.0001 1 Canal P 20 V 5A (TA) 2.5V, 4.5V 47mohm @ 5a, 4.5V 1V @ 250 µA 28 NC @ 5 V ± 8V 1130 pf @ 10 V - 2.5W (TA)
FDS6984AS Fairchild Semiconductor Fds6984as 0.4200
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench®, Syncfet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS69 Mosfet (Óxido de metal) 900MW 8-Soico descascar EAR99 8542.39.0001 1 2 Canal N (Dual) 30V 5.5a, 8.5a 31mohm @ 5.5a, 10V 3V @ 250 µA 11NC @ 10V 420pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
FDMS0302S Fairchild Semiconductor FDMS0302S -
RFQ
 ECAD 3283 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench®, Syncfet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 30 V 29a (TA), 49A (TC) 4.5V, 10V 1.9mohm @ 28a, 10v 3V @ 1MA 109 NC @ 10 V ± 20V 7350 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 89W (TC)
FQP5N60C Fairchild Semiconductor FQP5N60C 0.7200
RFQ
 ECAD 74 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar EAR99 8541.29.0095 417 N-canal 600 V 4.5A (TC) 10V 2.5ohm @ 2.25a, 10V 4V @ 250 µA 19 NC @ 10 V ± 30V 670 pf @ 25 V - 100W (TC)
FDMS7660 Fairchild Semiconductor FDMS7660 0.8900
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar EAR99 8541.29.0095 337 N-canal 30 V 25A (TA), 42A (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 25A, 10V 3V @ 250 µA 84 NC @ 10 V ± 20V 5565 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 78W (TC)
FQP12N60C Fairchild Semiconductor FQP12N60C 1.8100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar EAR99 8542.39.0001 166 N-canal 600 V 12a (TC) 10V 650mohm @ 6a, 10v 4V @ 250 µA 63 NC @ 10 V ± 30V 2290 pf @ 25 V - 225W (TC)
FQA70N15 Fairchild Semiconductor FQA70N15 -
RFQ
 ECAD 3024 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pn descascar EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 150 V 70A (TC) 10V 28mohm @ 35a, 10V 4V @ 250 µA 175 NC @ 10 V ± 25V 5400 pf @ 25 V - 330W (TC)
FDS6679AZ Fairchild Semiconductor Fds6679az 1.0000
RFQ
 ECAD 9256 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar EAR99 8542.39.0001 1 Canal P 30 V 13a (TA) 4.5V, 10V 9.3mohm @ 13a, 10v 3V @ 250 µA 96 NC @ 10 V ± 25V 3845 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
HUF75639G3 Fairchild Semiconductor HUF75639G3 1.0000
RFQ
 ECAD 5930 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 100 V 56a (TC) 10V 25mohm @ 56a, 10v 4V @ 250 µA 130 NC @ 20 V ± 20V 2000 pf @ 25 V - 200W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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