SIC
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Transistores (3821)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
FDB3672-F085 Fairchild Semiconductor FDB3672-F085 1.0000
RFQ
 ECAD 9590 0.00000000 Semiconductor de fairchild Automotriz, AEC-Q101, Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 100 V 7.2a (TA), 44A (TC) 6V, 10V 28mohm @ 44a, 10V 4V @ 250 µA 31 NC @ 10 V ± 20V 1710 pf @ 25 V - 120W (TC)
HUF76432S3STR4908 Fairchild Semiconductor HUF76432S3STR4908 0.9300
RFQ
 ECAD 7476 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - 0000.00.0000 100
FQPF5N50CYDTU Fairchild Semiconductor Fqpf5n50cydtu 0.7700
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 Paqueto completo, Pechos Formados Mosfet (Óxido de metal) TO20F-3 (Formación y) descascar EAR99 8542.39.0001 390 N-canal 500 V 5A (TC) 10V 1.4ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250 µA 24 NC @ 10 V ± 30V 625 pf @ 25 V - 38W (TC)
HUFA75645S3S Fairchild Semiconductor HUFA75645S3S 2.5500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar EAR99 8542.39.0001 128 N-canal 100 V 75A (TC) 10V 14mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 238 NC @ 20 V ± 20V 3790 pf @ 25 V - 310W (TC)
MMBFJ202 Fairchild Semiconductor Mmbfj202 -
RFQ
 ECAD 7118 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 descascar EAR99 8541.21.0095 1 N-canal - 40 V 900 µA @ 20 V 800 MV @ 10 na
FDB0300N1007L Fairchild Semiconductor FDB0300N1007L -
RFQ
 ECAD 2786 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) Mosfet (Óxido de metal) Un 263-7 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 100 V 200a (TC) 6V, 10V 3mohm @ 26a, 10v 4V @ 250 µA 113 NC @ 10 V ± 20V 8295 pf @ 50 V - 3.8W (TA), 250W (TC)
FJP5555TU Fairchild Semiconductor Fjp555555tu 0.4600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 75 W Un 220-3 descascar EAR99 8542.39.0001 701 400 V 5 A - NPN 1.5V @ 1a, 3.5a 20 @ 800mA, 3V -
KSP2222ABU Fairchild Semiconductor Ksp2222abu 0.0500
RFQ
 ECAD 110 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar EAR99 8541.21.0095 6.483 40 V 600 mA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V 300MHz
MTD3055V Fairchild Semiconductor Mtd3055v 1.0000
RFQ
 ECAD 2138 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 60 V 12a (TA) 10V 150mohm @ 6a, 10v 4V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 20V 500 pf @ 25 V - 3.9W (TA), 48W (TC)
FDMC7582 Fairchild Semiconductor FDMC7582 -
RFQ
 ECAD 9243 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) Power33 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 25 V 16.7a (TA), 49A (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 16.7a, 10V 2.5V @ 250 µA 28 NC @ 10 V ± 20V 1795 pf @ 13 V - 2.3W (TA), 52W (TC)
FQL40N50F Fairchild Semiconductor FQL40N50F -
RFQ
 ECAD 2298 0.00000000 Semiconductor de fairchild FRFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA Mosfet (Óxido de metal) HPM F2 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 500 V 40A (TC) 10V 110MOHM @ 20A, 10V 5V @ 250 µA 200 NC @ 10 V ± 30V 7500 pf @ 25 V - 460W (TC)
FGD3040G2_F085 Fairchild Semiconductor FGD3040G2_F085 -
RFQ
 ECAD 2665 0.00000000 Semiconductor de fairchild Ecospark® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FGD3040 Lógica 150 W TO-252, (D-Pak) - 0000.00.0000 1 300V, 6.5a, 1kohm, 5V - 400 V 41 A 1.25V @ 4V, 6A - 21 NC -/4.8 µs
SS9015-DBU Fairchild Semiconductor SS9015-DBU 0.0200
RFQ
 ECAD 6618 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 450 MW Un 92-3 descascar EAR99 8541.21.0075 9,900 45 V 100 mA 50NA (ICBO) PNP 700mv @ 5 ma, 100 ma 400 @ 1 mapa, 5V 190MHz
FDMS8027S Fairchild Semiconductor FDMS8027S 0.8700
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench®, Syncfet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar EAR99 8542.39.0001 347 N-canal 30 V 18a (TA), 22a (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 18a, 10v 3V @ 1MA 31 NC @ 10 V ± 20V 1815 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 36W (TC)
FQPF630 Fairchild Semiconductor FQPF630 0.6500
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar EAR99 8542.39.0001 464 N-canal 200 V 6.3a (TC) 10V 400mohm @ 3.15a, 10V 4V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 25V 550 pf @ 25 V - 38W (TC)
FDMS86320 Fairchild Semiconductor FDMS86320 0.7200
RFQ
 ECAD 4089 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 69 N-canal 80 V 10.5a (TA), 22a (TC) 8V, 10V 11.7mohm @ 10.5a, 10v 4.5V @ 250 µA 41 NC @ 10 V ± 20V 2640 pf @ 40 V - 2.5W (TA), 69W (TC)
FQPF10N50CF Fairchild Semiconductor FQPF10N50CF 1.3500
RFQ
 ECAD 67 0.00000000 Semiconductor de fairchild FRFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar EAR99 8542.39.0001 223 N-canal 500 V 10a (TC) 10V 610mohm @ 5a, 10v 4V @ 250 µA 56 NC @ 10 V ± 30V 2096 pf @ 25 V - 48W (TC)
MPSA06RA Fairchild Semiconductor MPSA06RA -
RFQ
 ECAD 8479 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 80 V 500 mA 100na NPN 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
FDT3612 Fairchild Semiconductor FDT3612 -
RFQ
 ECAD 5936 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-4 - 0000.00.0000 1 N-canal 100 V 3.7a (TA) 6V, 10V 120mohm @ 3.7a, 10v 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 632 pf @ 50 V - 3W (TA)
FCPF380N60E Fairchild Semiconductor FCPF380N60E 1.0000
RFQ
 ECAD 3434 0.00000000 Semiconductor de fairchild Superfet® II Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FCPF380 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 600 V 10.2a (TC) 10V 380mohm @ 5a, 10v 3.5V @ 250 µA 45 NC @ 10 V ± 20V 1770 pf @ 25 V - 31W (TC)
FCU850N80Z Fairchild Semiconductor FCU850N80Z 1.1700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild Superfet® II Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar EAR99 8542.39.0001 257 N-canal 800 V 6a (TC) 10V 850mohm @ 3a, 10v 4.5V @ 600 µA 29 NC @ 10 V ± 20V 1315 pf @ 100 V - 75W (TC)
FGA30T65SHD Fairchild Semiconductor FGA30T65SHD -
RFQ
 ECAD 5102 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FGA30T65 Estándar 238 W Un 3pn descascar EAR99 8542.39.0001 1 400V, 30a, 6ohm, 15V 31.8 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 60 A 90 A 2.1V @ 15V, 30a 598 µJ (Encendido), 167 µJ (apagado) 54.7 NC 14.4ns/52.8ns
2N7000 Fairchild Semiconductor 2N7000 -
RFQ
 ECAD 9204 0.00000000 Semiconductor de fairchild Stripfet ™ Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N70 Mosfet (Óxido de metal) Un 92-3 descascar EAR99 8541.21.0095 1 N-canal 60 V 350MA (TC) 4.5V, 10V 5ohm @ 500 mA, 10V 3V @ 250 µA 2 NC @ 5 V ± 18V 43 pf @ 25 V - 350MW (TA)
FDB024N06 Fairchild Semiconductor FDB024N06 -
RFQ
 ECAD 8933 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 60 V 120a (TC) 10V 2.4mohm @ 75a, 10v 4.5V @ 250 µA 226 NC @ 10 V ± 20V 14885 pf @ 25 V - 395W (TC)
FGA6540WDF Fairchild Semiconductor FGA6540WDF 1.0000
RFQ
 ECAD 9494 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Estándar 238 W Un 3pn descascar EAR99 8541.29.0095 1 400V, 40a, 6ohm, 15V 101 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 80 A 120 A 2.3V @ 15V, 40A 1.37MJ (Encendido), 250 µJ (apaguado) 55.5 NC 16.8ns/54.4ns
FCP13N60N Fairchild Semiconductor FCP13N60N 2.5900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild Supremos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar EAR99 8542.39.0001 116 N-canal 600 V 13a (TC) 10V 258mohm @ 6.5a, 10v 4V @ 250 µA 39.5 NC @ 10 V ± 30V 1765 pf @ 100 V - 116W (TC)
FDP6030BL Fairchild Semiconductor FDP6030BL 0.6300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FDP60 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 30 V 40A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 17 NC @ 5 V ± 20V 1160 pf @ 15 V - 60W (TC)
FJE5304DTU Fairchild Semiconductor FJE5304DTU -
RFQ
 ECAD 1613 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo - A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 30 W A-126-3 descascar 0000.00.0000 1 400 V 4 A 100 µA NPN 1.5V @ 500 Ma, 2.5a 8 @ 2a, 5v -
BSR18A Fairchild Semiconductor BSR18A -
RFQ
 ECAD 7229 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 descascar EAR99 8541.21.0075 1 40 V 200 MA 50NA (ICBO) PNP 400mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 250MHz
FQU2N60CTU Fairchild Semiconductor Fqu2n60ctu -
RFQ
 ECAD 5779 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 600 V 1.9a (TC) 10V 4.7ohm @ 950mA, 10V 4V @ 250 µA 12 NC @ 10 V ± 30V 235 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 44W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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