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Transistores (3821)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
IRFU430BTU Fairchild Semiconductor Irfu430btu 0.2500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 500 V 3.5A (TC) 10V 1.5ohm @ 1.75a, 10V 4V @ 250 µA 33 NC @ 10 V ± 30V 1050 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
IRFS640A Fairchild Semiconductor IRFS640A 0.5000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 200 V 9.8a (TC) 10V 180mohm @ 4.9a, 10v 4V @ 250 µA 58 NC @ 10 V ± 30V 1500 pf @ 25 V - 43W (TC)
IRFS730B Fairchild Semiconductor IRFS730B 0.2900
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 400 V 5.5a (TJ) 10V 1ohm @ 2.75a, 10v 4V @ 250 µA 33 NC @ 10 V ± 30V 1000 pf @ 25 V - 38W (TC)
HUF75345S3ST_NL Fairchild Semiconductor HUF75345S3ST_NL 1.0000
RFQ
 ECAD 4487 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 55 V 75A (TC) 10V 7mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 275 NC @ 20 V ± 20V 4000 pf @ 25 V - 325W (TC)
IRFW610BTM Fairchild Semiconductor Irfw610btm 1.0000
RFQ
 ECAD 5820 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 200 V 3.3a (TC) 10V 1.5ohm @ 1.65a, 10V 4V @ 250 µA 9.3 NC @ 10 V ± 30V 225 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 38W (TC)
HUF75823D3S Fairchild Semiconductor HUF75823D3S 0.8700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 150 V 14a (TC) 10V 150mohm @ 14a, 10v 4V @ 250 µA 54 NC @ 20 V ± 20V 800 pf @ 25 V - 85W (TC)
HUF75321S3ST Fairchild Semiconductor HUF75321S3ST 0.3400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 55 V 35A (TC) 10V 34mohm @ 35a, 10V 4V @ 250 µA 44 NC @ 20 V ± 20V 680 pf @ 25 V - 93W (TC)
IRLS540A Fairchild Semiconductor IRLS540A 0.7100
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 100 V 17a (TC) 5V 58mohm @ 8.5a, 5V 2V @ 250 µA 54 NC @ 5 V ± 20V 1580 pf @ 25 V - 44W (TC)
HUF76129S3ST Fairchild Semiconductor HUF76129S3ST -
RFQ
 ECAD 9570 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet® Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 641 N-canal 30 V 56a (TC) 4.5V, 10V 16ohm @ 56a, 10v 3V @ 250 µA 45 NC @ 10 V ± 20V 1350 pf @ 25 V - 105W (TC)
HUF76107P3 Fairchild Semiconductor HUF76107P3 0.4300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 20A (TC) 4.5V, 10V 52mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 10.3 NC @ 10 V ± 16V 315 pf @ 25 V - 45W (TC)
HUF76145S3S Fairchild Semiconductor HUF76145S3S 1.9000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) Un 263ab descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 75A (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 75a, 10V 3V @ 250 µA 156 NC @ 10 V ± 20V 4900 pf @ 25 V - 270W (TC)
HUF75939S3ST Fairchild Semiconductor HUF75939S3ST 2.3100
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 200 V 22a (TC) 10V 125mohm @ 22a, 10v 4V @ 250 µA 152 NC @ 20 V ± 20V 2200 pf @ 25 V - 180W (TC)
KST2907A-MTF Fairchild Semiconductor KST2907A-MTF 0.0200
RFQ
 ECAD 355 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 KST2907 350 MW Sot-23-3 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 60 V 600 mA 10NA (ICBO) PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V 200MHz
HUF76145S3 Fairchild Semiconductor HUF76145S3 -
RFQ
 ECAD 8130 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 75A (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 75a, 10V 3V @ 250 µA 156 NC @ 10 V ± 20V 4900 pf @ 25 V - 270W (TC)
HUF75229P3_NL Fairchild Semiconductor HUF75229P3_NL 0.7000
RFQ
 ECAD 1655 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 319 N-canal 50 V 44a (TC) 10V 22mohm @ 44a, 10V 4V @ 250 µA 75 NC @ 20 V ± 20V 1060 pf @ 25 V - 90W (TC)
HUF76129S3S Fairchild Semiconductor HUF76129S3S 0.5900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet® Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 56a (TC) 4.5V, 10V 16ohm @ 56a, 10v 3V @ 250 µA 45 NC @ 10 V ± 20V 1350 pf @ 25 V - 105W (TC)
HUF75945G3 Fairchild Semiconductor HUF75945G3 2.3100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 247ad descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 200 V 38a (TC) 10V 71mohm @ 38a, 10v 4V @ 250 µA 280 NC @ 20 V ± 20V 4023 pf @ 25 V - 310W (TC)
HUF75542S3S Fairchild Semiconductor HUF75542S3S 1.5900
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 80 V 75A (TC) 10V 14mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 180 NC @ 20 V ± 20V 2750 pf @ 25 V - 230W (TC)
HUF76132S3S Fairchild Semiconductor HUF76132S3S 0.9800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) Un 263ab descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 75A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 75a, 10v 3V @ 250 µA 52 NC @ 10 V ± 20V 1650 pf @ 25 V - 120W (TC)
HUF76121S3S Fairchild Semiconductor HUF76121S3S 0.7000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 47a (TC) 4.5V, 10V 21mohm @ 47a, 10v 3V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 20V 850 pf @ 25 V - 75W (TC)
HUF76432S3ST Fairchild Semiconductor HUF76432S3ST 0.9300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 60 V 59A (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 59a, 10v 3V @ 250 µA 53 NC @ 10 V ± 16V 1765 pf @ 25 V - 130W (TC)
HUF75639S3_NL Fairchild Semiconductor HUF75639S3_NL 1.1300
RFQ
 ECAD 655 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 100 V 56a (TC) 10V 25mohm @ 56a, 10v 4V @ 250 µA 130 NC @ 20 V ± 20V 2000 pf @ 25 V - 200W (TC)
SSR4N60BTM Fairchild Semiconductor Ssr4n60btm 1.0000
RFQ
 ECAD 6413 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252-3 (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 2.8a (TC) 10V 2.5ohm @ 1.4a, 10V 4V @ 250 µA 29 NC @ 10 V ± 30V 920 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 49W (TC)
SSR2N60BTF Fairchild Semiconductor SSR2N60BTF 0.1900
RFQ
 ECAD 196 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252-3 (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 600 V 1.8a (TC) 10V 5ohm @ 900 mA, 10v 4V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 30V 490 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 44W (TC)
SSS10N60B Fairchild Semiconductor SSS10N60B 0.7100
RFQ
 ECAD 470 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 470 N-canal 600 V 9a (TJ) 10V 800mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250 µA 70 NC @ 10 V ± 30V 2700 pf @ 25 V - 50W (TC)
SSS1N60B Fairchild Semiconductor SSS1N60B 0.1400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 600 V 1A (TJ) 10V 12ohm @ 500 mA, 10V 4V @ 250 µA 7.7 NC @ 10 V ± 30V 215 pf @ 25 V - 17W (TC)
SSP1N60B Fairchild Semiconductor SSP1N60B 0.1500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 600 V 1A (TC) 10V 12ohm @ 500 mA, 10V 4V @ 250 µA 7.7 NC @ 10 V ± 30V 215 pf @ 25 V - 34W (TC)
SSP4N90A Fairchild Semiconductor SSP4N90A -
RFQ
 ECAD 2494 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 900 V 4A (TC) 10V 5ohm @ 2a, 10v 3.5V @ 250 µA 46 NC @ 10 V ± 30V 950 pf @ 25 V - 120W (TC)
SFU9024TU Fairchild Semiconductor Sfu9024tu -
RFQ
 ECAD 7397 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 60 V 7.8a (TC) 10V 280mohm @ 3.9a, 10v 4V @ 250 µA 19 NC @ 10 V ± 30V 600 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 32W (TC)
SSR2N60B Fairchild Semiconductor SSR2N60B 0.3900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252-3 (DPAK) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 1.8a (TC) 10V 5ohm @ 900 mA, 10v 4V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 30V 490 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 44W (TC)
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