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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Real - Corte de Coleción (Max) | Resistencia - RDS (ON) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Figura de Ruido (db typ @ f) |
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![]() | KST10MTF | - | ![]() | 3534 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350MW | Sot-23-3 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 25V | - | NPN | 60 @ 4MA, 10V | 650MHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGA30N60LSDTU | 2.9000 | ![]() | 551 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | FGA30N60 | Estándar | 480 W | Un 3p | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 104 | 400V, 30A, 6.8OHM, 15V | 35 ns | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 60 A | 90 A | 1.4V @ 15V, 30a | 1.1MJ (Encendido), 21MJ (apagado) | 225 NC | 18ns/250ns | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS3624S | - | ![]() | 6729 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | FDMS3624 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.2W (TA), 2.5W (TA) | 8-PQFN (5x6) | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 Asimétrico del canal (dual) | 25V | 17.5A (TA), 30A (TC), 30A (TA), 60A (TC) | 1.8mohm @ 30a, 10v, 5mohm @ 17.5a, 10V | 2V @ 250 µA, 2.2V @ 1MA | 26nc @ 10V, 59nc @ 10V | 1570pf @ 13V, 4045pf @ 13V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS7570S | 0.5400 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench®, Syncfet ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PQFN (5x6) | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 558 | N-canal | 25 V | 28a (TA), 49A (TC) | 4.5V, 10V | 1.95mohm @ 28a, 10v | 3V @ 1MA | 69 NC @ 10 V | ± 20V | 4515 pf @ 13 V | - | 2.5W (TA), 83W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fgh60n60sftu | 3.7100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 81 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bc33740bu | - | ![]() | 7351 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | - | 0000.00.0000 | 1 | 45 V | 800 Ma | 100na | NPN | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 250 @ 100mA, 1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bd17510stu | - | ![]() | 3315 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | 30 W | A-126-3 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 553 | 45 V | 3 A | 100 µA (ICBO) | NPN | 800mv @ 100 mm, 1a | 63 @ 150mA, 2V | 3MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN2222ATA | 1.0000 | ![]() | 6789 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92-3 | - | 0000.00.0000 | 1 | 40 V | 1 A | 10NA (ICBO) | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fcpf7n60ydtu | 1.0100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Superfet ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 Paqueto completo, Pechos Formados | Mosfet (Óxido de metal) | TO20F-3 (Formación y) | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 V | 7a (TC) | 10V | 600mohm @ 3.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 30V | 920 pf @ 25 V | - | 31W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDPF12N50NZ | 0.9800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Unifet-ii ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 306 | N-canal | 500 V | 11.5A (TC) | 10V | 520mohm @ 5.75a, 10V | 5V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 25V | 1235 pf @ 25 V | - | 42W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc2073tu | 0.3100 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 25 W | Un 220-3 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 969 | 150 V | 1.5 A | 10 µA (ICBO) | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 40 @ 500mA, 10V | 4MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc1008cobu | 0.0200 | ![]() | 1626 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 800 MW | Un 92-3 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.786 | 60 V | 700 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 50 mA, 500 mA | 70 @ 50 mm, 2v | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD8870 | 1.0000 | ![]() | 5773 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 30 V | 21a (TA), 160A (TC) | 4.5V, 10V | 3.9mohm @ 35a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 118 NC @ 10 V | ± 20V | 5160 pf @ 15 V | - | 160W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGH20N60SFDTU-F085 | - | ![]() | 4352 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | 165 W | To-247 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V, 20a, 10ohm, 15V | 40 ns | Parada de Campo | 600 V | 40 A | 60 A | 2.8V @ 15V, 20a | 430 µJ (Encendido), 130 µJ (apaguado) | 66 NC | 13ns/90ns | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGB40N60SM | - | ![]() | 2594 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Estándar | 349 W | D2PAK (TO-263) | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 400V, 40a, 6ohm, 15V | Parada de Campo | 600 V | 80 A | 120 A | 2.3V @ 15V, 40A | 870 µJ (Encendido), 260 µJ (apagado) | 119 NC | 12ns/92ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ndt451an | - | ![]() | 4547 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223-4 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 30 V | 7.2a (TA) | 4.5V, 10V | 35mohm @ 7.2a, 10v | 3V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 720 pf @ 15 V | - | 3W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDT3055 | - | ![]() | 1770 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223-4 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 60 V | 4A (TA) | 10V | 100mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 250 pf @ 30 V | - | 1.1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDS9952A | - | ![]() | 3220 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | NDS995 | Mosfet (Óxido de metal) | 900MW | 8-Soico | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Vecino del canal | 30V | 3.7a, 2.9a | 80mohm @ 1a, 10v | 2.8V @ 250 µA | 25nc @ 10V | 320pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | J175-D26Z | 0.1400 | ![]() | 135 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 350 MW | Un 92-3 | descascar | 0000.00.0000 | 2,213 | Canal P | - | 30 V | 7 Ma @ 15 V | 3 V @ 10 na | 125 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJD350TF | - | ![]() | 9699 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 1.56 W | Dpak-3 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-MJD350TF-600039 | 1 | 300 V | 500 mA | 100 µA | PNP | 1V @ 10 Ma, 100 Ma | 30 @ 50mA, 10V | 10MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 30A02MH-TL-H | - | ![]() | 7539 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, Plano Plano | 600 MW | 3 mcph | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-30A02MH-TL-H-600039 | 1 | 30 V | 700 Ma | 100na | PNP | 220MV @ 10 Ma, 200 Ma | 200 @ 10mA, 2V | 520MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSVF6003SB6T1G | - | ![]() | 2058 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | 800MW | 6-cph | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-NSVF6003SB6T1G-600039 | 1 | 9db | 12V | 150 Ma | NPN | 100 @ 50mA, 5V | 7GHz | 3db @ 1ghz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLM120ATF | - | ![]() | 3206 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223-4 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-ILM120ATF-600039 | 1 | N-canal | 100 V | 2.3a (TC) | 5V | 220mohm @ 1.15a, 5V | 2V @ 250 µA | 15 NC @ 5 V | ± 20V | 440 pf @ 25 V | - | 2.7W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB8442-F085 | - | ![]() | 5463 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-FDB8442-F085-600039 | 1 | N-canal | 40 V | 28a (TA), 80a (TC) | 10V | 2.9mohm @ 80a, 10v | 4V @ 250 µA | 235 NC @ 10 V | ± 20V | 12200 pf @ 25 V | - | 254W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1708T-A | - | ![]() | 8379 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | SC-71 | 1 W | 3-NMP | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-2SA1708T-AN-600039 | 1 | 100 V | 1 A | 100na | PNP | 600mv @ 40 mm, 400 mA | 200 @ 100 mapa, 5v | 120MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZT6715 | - | ![]() | 3259 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 1 W | SOT-223-4 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-NZT6715-600039 | 1 | 40 V | 1.5 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 100 mm, 1a | 60 @ 100mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGTG40N60C3 | - | ![]() | 7264 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UFS | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | 291 W | To-247 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-HGTG40N60C3-600039 | 1 | 480v, 40a, 3ohm, 15V | - | 600 V | 75 A | 300 A | 1.8V @ 15V, 40A | 850MJ (Encendido), 1 MJ (Apaguado) | 395 NC | 47ns/185ns | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Hgtg7n60a4d | - | ![]() | 3040 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | SMPS | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | 125 W | TO-247-3 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-HGTG7N60A4D-600039 | 1 | 390v, 7a, 25ohm, 15V | 34 ns | - | 600 V | 34 A | 56 A | 2.7V @ 15V, 7a | 55 µJ (Encendido), 60 µJ (apaguado) | 37 NC | 11ns/100ns | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFP50N06 | - | ![]() | 6246 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-RFP50N06-600039 | 1 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 10V | 22mohm @ 50A, 10V | 4V @ 250 µA | 150 NC @ 20 V | ± 20V | 2020 pf @ 25 V | - | 131W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT6515 | - | ![]() | 1506 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23-3 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-MMBT6515-600039 | 1 | 25 V | 200 MA | 50NA (ICBO) | NPN | 500mV @ 5 mm, 50 Ma | 250 @ 2mA, 10V | - |
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