SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Resistencia - RDS (ON) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
KST10MTF Fairchild Semiconductor KST10MTF -
RFQ
ECAD 3534 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350MW Sot-23-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 - 25V - NPN 60 @ 4MA, 10V 650MHz -
FGA30N60LSDTU Fairchild Semiconductor FGA30N60LSDTU 2.9000
RFQ
ECAD 551 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FGA30N60 Estándar 480 W Un 3p descascar EAR99 8542.39.0001 104 400V, 30A, 6.8OHM, 15V 35 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 60 A 90 A 1.4V @ 15V, 30a 1.1MJ (Encendido), 21MJ (apagado) 225 NC 18ns/250ns
FDMS3624S Fairchild Semiconductor FDMS3624S -
RFQ
ECAD 6729 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn FDMS3624 Mosfet (Óxido de metal) 2.2W (TA), 2.5W (TA) 8-PQFN (5x6) descascar EAR99 8542.39.0001 1 2 Asimétrico del canal (dual) 25V 17.5A (TA), 30A (TC), 30A (TA), 60A (TC) 1.8mohm @ 30a, 10v, 5mohm @ 17.5a, 10V 2V @ 250 µA, 2.2V @ 1MA 26nc @ 10V, 59nc @ 10V 1570pf @ 13V, 4045pf @ 13V -
FDMS7570S Fairchild Semiconductor FDMS7570S 0.5400
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench®, Syncfet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar EAR99 8542.39.0001 558 N-canal 25 V 28a (TA), 49A (TC) 4.5V, 10V 1.95mohm @ 28a, 10v 3V @ 1MA 69 NC @ 10 V ± 20V 4515 pf @ 13 V - 2.5W (TA), 83W (TC)
FGH60N60SFTU Fairchild Semiconductor Fgh60n60sftu 3.7100
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo descascar EAR99 8542.39.0001 81
BC33740BU Fairchild Semiconductor Bc33740bu -
RFQ
ECAD 7351 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 - 0000.00.0000 1 45 V 800 Ma 100na NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 250 @ 100mA, 1V 100MHz
BD17510STU Fairchild Semiconductor Bd17510stu -
RFQ
ECAD 3315 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 30 W A-126-3 descascar EAR99 8541.29.0095 553 45 V 3 A 100 µA (ICBO) NPN 800mv @ 100 mm, 1a 63 @ 150mA, 2V 3MHz
PN2222ATA Fairchild Semiconductor PN2222ATA 1.0000
RFQ
ECAD 6789 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 - 0000.00.0000 1 40 V 1 A 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V 300MHz
FCPF7N60YDTU Fairchild Semiconductor Fcpf7n60ydtu 1.0100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild Superfet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 Paqueto completo, Pechos Formados Mosfet (Óxido de metal) TO20F-3 (Formación y) descascar EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 600 V 7a (TC) 10V 600mohm @ 3.5a, 10V 5V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 30V 920 pf @ 25 V - 31W (TC)
FDPF12N50NZ Fairchild Semiconductor FDPF12N50NZ 0.9800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild Unifet-ii ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar EAR99 8541.29.0095 306 N-canal 500 V 11.5A (TC) 10V 520mohm @ 5.75a, 10V 5V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 25V 1235 pf @ 25 V - 42W (TC)
KSC2073TU Fairchild Semiconductor Ksc2073tu 0.3100
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 25 W Un 220-3 descascar EAR99 8542.39.0001 969 150 V 1.5 A 10 µA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 40 @ 500mA, 10V 4MHz
KSC1008COBU Fairchild Semiconductor Ksc1008cobu 0.0200
RFQ
ECAD 1626 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 800 MW Un 92-3 descascar EAR99 8542.39.0001 3.786 60 V 700 Ma 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 50 mA, 500 mA 70 @ 50 mm, 2v 50MHz
FDD8870 Fairchild Semiconductor FDD8870 1.0000
RFQ
ECAD 5773 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar 0000.00.0000 1 N-canal 30 V 21a (TA), 160A (TC) 4.5V, 10V 3.9mohm @ 35a, 10V 2.5V @ 250 µA 118 NC @ 10 V ± 20V 5160 pf @ 15 V - 160W (TC)
FGH20N60SFDTU-F085 Fairchild Semiconductor FGH20N60SFDTU-F085 -
RFQ
ECAD 4352 0.00000000 Semiconductor de fairchild Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 165 W To-247 descascar EAR99 8541.29.0095 1 400V, 20a, 10ohm, 15V 40 ns Parada de Campo 600 V 40 A 60 A 2.8V @ 15V, 20a 430 µJ (Encendido), 130 µJ (apaguado) 66 NC 13ns/90ns
FGB40N60SM Fairchild Semiconductor FGB40N60SM -
RFQ
ECAD 2594 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Estándar 349 W D2PAK (TO-263) descascar EAR99 8542.39.0001 1 400V, 40a, 6ohm, 15V Parada de Campo 600 V 80 A 120 A 2.3V @ 15V, 40A 870 µJ (Encendido), 260 µJ (apagado) 119 NC 12ns/92ns
NDT451AN Fairchild Semiconductor Ndt451an -
RFQ
ECAD 4547 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-4 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 30 V 7.2a (TA) 4.5V, 10V 35mohm @ 7.2a, 10v 3V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 20V 720 pf @ 15 V - 3W (TA)
NDT3055 Fairchild Semiconductor NDT3055 -
RFQ
ECAD 1770 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-4 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 60 V 4A (TA) 10V 100mohm @ 4a, 10v 4V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 20V 250 pf @ 30 V - 1.1W (TA)
NDS9952A Fairchild Semiconductor NDS9952A -
RFQ
ECAD 3220 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) NDS995 Mosfet (Óxido de metal) 900MW 8-Soico descascar EAR99 8542.39.0001 1 Vecino del canal 30V 3.7a, 2.9a 80mohm @ 1a, 10v 2.8V @ 250 µA 25nc @ 10V 320pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
J175-D26Z Fairchild Semiconductor J175-D26Z 0.1400
RFQ
ECAD 135 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 350 MW Un 92-3 descascar 0000.00.0000 2,213 Canal P - 30 V 7 Ma @ 15 V 3 V @ 10 na 125 ohmios
MJD350TF Fairchild Semiconductor MJD350TF -
RFQ
ECAD 9699 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 1.56 W Dpak-3 - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-MJD350TF-600039 1 300 V 500 mA 100 µA PNP 1V @ 10 Ma, 100 Ma 30 @ 50mA, 10V 10MHz
30A02MH-TL-H Fairchild Semiconductor 30A02MH-TL-H -
RFQ
ECAD 7539 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, Plano Plano 600 MW 3 mcph - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-30A02MH-TL-H-600039 1 30 V 700 Ma 100na PNP 220MV @ 10 Ma, 200 Ma 200 @ 10mA, 2V 520MHz
NSVF6003SB6T1G Fairchild Semiconductor NSVF6003SB6T1G -
RFQ
ECAD 2058 0.00000000 Semiconductor de fairchild Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 800MW 6-cph - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-NSVF6003SB6T1G-600039 1 9db 12V 150 Ma NPN 100 @ 50mA, 5V 7GHz 3db @ 1ghz
IRLM120ATF Fairchild Semiconductor IRLM120ATF -
RFQ
ECAD 3206 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-4 - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-ILM120ATF-600039 1 N-canal 100 V 2.3a (TC) 5V 220mohm @ 1.15a, 5V 2V @ 250 µA 15 NC @ 5 V ± 20V 440 pf @ 25 V - 2.7W (TC)
FDB8442-F085 Fairchild Semiconductor FDB8442-F085 -
RFQ
ECAD 5463 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-FDB8442-F085-600039 1 N-canal 40 V 28a (TA), 80a (TC) 10V 2.9mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 235 NC @ 10 V ± 20V 12200 pf @ 25 V - 254W (TC)
2SA1708T-AN Fairchild Semiconductor 2SA1708T-A -
RFQ
ECAD 8379 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero SC-71 1 W 3-NMP - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-2SA1708T-AN-600039 1 100 V 1 A 100na PNP 600mv @ 40 mm, 400 mA 200 @ 100 mapa, 5v 120MHz
NZT6715 Fairchild Semiconductor NZT6715 -
RFQ
ECAD 3259 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA 1 W SOT-223-4 - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-NZT6715-600039 1 40 V 1.5 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100 mm, 1a 60 @ 100mA, 1V -
HGTG40N60C3 Fairchild Semiconductor HGTG40N60C3 -
RFQ
ECAD 7264 0.00000000 Semiconductor de fairchild UFS Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 291 W To-247 - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-HGTG40N60C3-600039 1 480v, 40a, 3ohm, 15V - 600 V 75 A 300 A 1.8V @ 15V, 40A 850MJ (Encendido), 1 MJ (Apaguado) 395 NC 47ns/185ns
HGTG7N60A4D Fairchild Semiconductor Hgtg7n60a4d -
RFQ
ECAD 3040 0.00000000 Semiconductor de fairchild SMPS Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 125 W TO-247-3 - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-HGTG7N60A4D-600039 1 390v, 7a, 25ohm, 15V 34 ns - 600 V 34 A 56 A 2.7V @ 15V, 7a 55 µJ (Encendido), 60 µJ (apaguado) 37 NC 11ns/100ns
RFP50N06 Fairchild Semiconductor RFP50N06 -
RFQ
ECAD 6246 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-RFP50N06-600039 1 N-canal 60 V 50A (TC) 10V 22mohm @ 50A, 10V 4V @ 250 µA 150 NC @ 20 V ± 20V 2020 pf @ 25 V - 131W (TC)
MMBT6515 Fairchild Semiconductor MMBT6515 -
RFQ
ECAD 1506 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-MMBT6515-600039 1 25 V 200 MA 50NA (ICBO) NPN 500mV @ 5 mm, 50 Ma 250 @ 2mA, 10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock