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Transistores (3821)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
BDW93C Fairchild Semiconductor Bdw93c 1.0000
RFQ
 ECAD 3705 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 80 W Un 220-3 descascar EAR99 8541.29.0095 1 100 V 12 A 1mera NPN - Darlington 3V @ 100 Ma, 10a 750 @ 5a, 3V -
BC557CTA Fairchild Semiconductor BC557CTA 0.0500
RFQ
 ECAD 762 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC557 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 1 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 420 @ 2mA, 5V 150MHz
BC638BU Fairchild Semiconductor Bc638bu 1.0000
RFQ
 ECAD 4505 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 1 W Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0075 1,000 60 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150mA, 2V 100MHz
2SA2205-E Fairchild Semiconductor 2SA2205-E -
RFQ
 ECAD 4800 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA 800 MW TP descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-2SA2205-E-600039 1 100 V 2 A 1 µA (ICBO) PNP 240mv @ 100 mm, 1a 200 @ 100 mapa, 5v 300MHz
FDP46N30 Fairchild Semiconductor FDP46N30 -
RFQ
 ECAD 6188 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-FDP46N30-600039 0000.00.0000 1
HUF75637P3 Fairchild Semiconductor HUF75637P3 0.5200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 100 V 44a (TC) 10V 30mohm @ 44a, 10V 4V @ 250 µA 108 NC @ 20 V ± 20V 1700 pf @ 25 V - 155W (TC)
FDMC8298 Fairchild Semiconductor FDMC8298 1.0000
RFQ
 ECAD 4977 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo - Montaje en superficie Morir FDMC82 - - Morir - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 3.000 - - - - - - - -
FDU6670AS Fairchild Semiconductor FDU6670As 0.7200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo FDU6670 - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1 -
KSP44TF Fairchild Semiconductor Ksp44tf 1.0000
RFQ
 ECAD 6560 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar 0000.00.0000 1 400 V 300 mA 500NA NPN 750mv @ 5 mm, 50 Ma 50 @ 10 mapa, 10v -
SFR9210TF Fairchild Semiconductor SFR9210TF -
RFQ
 ECAD 7818 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252-3 (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 200 V 1.6a (TC) 10V 3ohm @ 800 mA, 10V 4V @ 250 µA 11 NC @ 10 V ± 30V 285 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 19W (TC)
FDMS2572 Fairchild Semiconductor FDMS2572 -
RFQ
 ECAD 8742 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Mosfet (Óxido de metal) 8-MLP (5x6), Power56 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 150 V 4.5a (TA), 27a (TC) 6V, 10V 47mohm @ 4.5a, 10v 4V @ 250 µA 43 NC @ 10 V ± 20V 2610 pf @ 75 V - 2.5W (TA), 78W (TC)
FDY1002PZ Fairchild Semiconductor Fdy1002pz -
RFQ
 ECAD 1950 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 FDY1002 Mosfet (Óxido de metal) 446MW SOT-563F descascar EAR99 8542.39.0001 20 2 Canal P (Dual) 20V 830mA 500MOHM @ 830MA, 4.5V 1V @ 250 µA 3.1NC @ 4.5V 135pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
KSD1417TU Fairchild Semiconductor KSD1417TU -
RFQ
 ECAD 3788 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2 W Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 60 V 7 A 100 µA (ICBO) NPN - Darlington 2V @ 14MA, 7a 2000 @ 3a, 3V -
FDD8880_F054 Fairchild Semiconductor FDD8880_F054 0.4200
RFQ
 ECAD 501 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1
FQD13N10TM Fairchild Semiconductor Fqd13n10tm 1.0000
RFQ
 ECAD 8426 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 100 V 10a (TC) 10V 180mohm @ 5a, 10v 4V @ 250 µA 16 NC @ 10 V ± 25V 450 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 40W (TC)
HUF76013D3S Fairchild Semiconductor HUF76013D3S 0.2300
RFQ
 ECAD 2254 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1.212 N-canal 20 V 20A (TC) 5V, 10V 22mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 20V 624 pf @ 20 V - 50W (TC)
FQB2N50TM Fairchild Semiconductor FQB2N50TM 1.0000
RFQ
 ECAD 3880 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 500 V 2.1a (TC) 10V 5.3ohm @ 1.05a, 10V 5V @ 250 µA 8 NC @ 10 V ± 30V 230 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 55W (TC)
FDS8936A Fairchild Semiconductor FDS8936A 1.3500
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS89 Mosfet (Óxido de metal) 900MW (TA) 8-Soico descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 1 2 Canal N (Dual) 30V 6a (TA) 28mohm @ 6a, 10v 3V @ 250 µA 27nc @ 10V 650pf @ 15V -
FCH20N60 Fairchild Semiconductor FCH20N60 2.6500
RFQ
 ECAD 838 0.00000000 Semiconductor de fairchild Superfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 20A (TC) 10V 190mohm @ 10a, 10v 5V @ 250 µA 98 NC @ 10 V ± 30V 3080 pf @ 25 V - 208W (TC)
BC309CBU Fairchild Semiconductor Bc309cbu 0.0200
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1,000 25 V 100 mA 15NA PNP 500mv @ 5 mm, 100 mapa 380 @ 2mA, 5V 130MHz
HUF75631S3ST Fairchild Semiconductor HUF75631S3ST 2.1100
RFQ
 ECAD 321 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 100 V 33A (TC) 10V 40mohm @ 33a, 10V 4V @ 250 µA 79 NC @ 20 V ± 20V 1220 pf @ 25 V - 120W (TC)
SS8550BBU Fairchild Semiconductor Ss8550bbu 0.0300
RFQ
 ECAD 2249 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 1 W Un 92-3 descascar EAR99 8541.29.0075 2.493 25 V 1.5 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 80mA, 800 mA 85 @ 100mA, 1V 200MHz
BC557ATA Fairchild Semiconductor Bc557ata 0.0400
RFQ
 ECAD 145 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales Un 92-3 descascar EAR99 8541.21.0075 7.322 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 110 @ 2mA, 5V 150MHz
FQB12N50TM Fairchild Semiconductor FQB12N50TM 1.0700
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo FQB12N - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 800 -
FDS8672S Fairchild Semiconductor FDS8672S 0.9800
RFQ
 ECAD 363 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench®, Syncfet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar EAR99 8542.39.0001 307 N-canal 30 V 18a (TA) 4.5V, 10V 4.8mohm @ 18a, 10v 3V @ 1MA 41 NC @ 10 V ± 20V 2670 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
KSH122TF Fairchild Semiconductor KSH122TF -
RFQ
 ECAD 8567 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 1.75 W TO-252-3 (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 2,000 100 V 8 A 10 µA NPN - Darlington 4V @ 80MA, 8A 1000 @ 4a, 4V -
KSC5021RTU Fairchild Semiconductor KSC5021RTU -
RFQ
 ECAD 5843 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 KSC5021 50 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 500 V 5 A 10 µA (ICBO) NPN 1V @ 600 Ma, 3a 15 @ 600mA, 5V 18mhz
2N5550TFR Fairchild Semiconductor 2N5550TFR 0.0400
RFQ
 ECAD 76 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar EAR99 8541.21.0075 7,416 140 V 600 mA 100NA (ICBO) NPN 250 MV a 5 mm, 50 Ma 60 @ 10mA, 5V 300MHz
KSD986YSTSSTU Fairchild Semiconductor Ksd986ystsstu 1.0000
RFQ
 ECAD 3733 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 1 W A-126-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.880 80 V 1.5 A 10 µA (ICBO) NPN - Darlington 1.5V @ 1MA, 1A 8000 @ 1a, 2v -
FDS5692Z Fairchild Semiconductor FDS5692Z 1.0700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 50 V 5.8a (TA) 4.5V, 10V 24mohm @ 5.8a, 10V 3V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 20V 1025 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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