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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FCPF380N60-F152 | 0.9600 | ![]() | 476 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Superfet® II | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | FCPF380 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 600 V | 10.2a (TC) | 10V | 380mohm @ 5a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 1665 pf @ 25 V | - | 31W (TC) | ||||||||||||
![]() | Ksa1156oststu | 0.1800 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | KSA1156 | 1 W | A-126-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 400 V | 500 mA | 100 µA (ICBO) | PNP | 1V @ 10 Ma, 100 Ma | 60 @ 100mA, 5V | - | ||||||||||||||||
![]() | Bc856alt1g | - | ![]() | 3244 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Bc856al | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 225 MW | SOT-23-3 (TO-236) | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-BC856ALT1G-600039 | 1 | 65 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 125 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||
![]() | FDG314P | 0.1000 | ![]() | 335 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-88 (SC-70-6) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 25 V | 650 mA (TA) | 2.7V, 4.5V | 1.1ohm @ 500mA, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 1.5 NC @ 4.5 V | ± 8V | 63 pf @ 10 V | - | 750MW (TA) | |||||||||||||||
![]() | HUF76121S3ST | 0.4600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 47a (TC) | 4.5V, 10V | 21mohm @ 47a, 10v | 3V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 850 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | |||||||||||||
![]() | FDMS2508SDC | 1.4300 | ![]() | 31 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Dual Cool ™, Powertrench®, Syncfet ™ | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PQFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 34a (TA), 49A (TC) | 4.5V, 10V | 1.95mohm @ 28a, 10v | 3V @ 1MA | 69 NC @ 10 V | ± 20V | 4515 pf @ 13 V | - | 3.3W (TA), 78W (TC) | |||||||||||||||
![]() | Bd681stu | - | ![]() | 9620 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | BD681 | 40 W | A-126-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 100 V | 4 A | 500 µA | NPN - Darlington | 2.5V @ 30mA, 1.5a | 750 @ 1.5a, 3V | - | ||||||||||||||||
![]() | FDMS8670 | 0.8700 | ![]() | 74 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PQFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 24a (TA), 42A (TC) | 4.5V, 10V | 2.6mohm @ 24a, 10v | 3V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 3940 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 78W (TC) | |||||||||||||||
![]() | FDS5692Z | 1.0700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 50 V | 5.8a (TA) | 4.5V, 10V | 24mohm @ 5.8a, 10V | 3V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 1025 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||
![]() | FDA8440 | 3.9800 | ![]() | 7543 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pn | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 40 V | 30A (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 2.1mohm @ 80a, 10v | 3V @ 250 µA | 450 NC @ 10 V | ± 20V | 24740 pf @ 25 V | - | 306W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | FGI3236 | 1.2300 | ![]() | 82 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCH077N65F-F155 | 6.0400 | ![]() | 66 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | FRFET®, Superfet® II | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-247-3 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 66 | N-canal | 650 V | 54a (TC) | 10V | 77mohm @ 27a, 10v | 5V @ 5.4MA | 164 NC @ 10 V | ± 20V | 7109 pf @ 100 V | - | 481W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | FDC5661N | - | ![]() | 2482 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Mosfet (Óxido de metal) | TSOT-23-6 | descascar | EAR99 | 8542.29.0095 | 1 | N-canal | 60 V | 4.3a (TA) | 4.5V, 10V | 47mohm @ 4.3a, 10v | 3V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 763 pf @ 25 V | - | 1.6w (TA) | ||||||||||||||||
![]() | FDS2170N3 | 2.0700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 200 V | 3a (TA) | 10V | 128mohm @ 3a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 36 NC @ 10 V | ± 20V | 1292 pf @ 100 V | - | 3W (TA) | |||||||||||||||
![]() | Fdp16an08a0 | 0.9100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 357 | N-canal | 75 V | 9A (TA), 58A (TC) | 6V, 10V | 16mohm @ 58a, 10v | 4V @ 250 µA | 42 NC @ 10 V | ± 20V | 1857 pf @ 25 V | - | 135W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | FDC697P | 0.7200 | ![]() | 69 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6 SSOT Plano, SuperSot ™ -6 FLMP | Mosfet (Óxido de metal) | Supersot ™ -6 flmp | descascar | Vendedor indefinido | Vendedor indefinido | 2156-FDC697P-600039 | 1 | Canal P | 20 V | 8a (TA) | 1.8V, 4.5V | 20mohm @ 8a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 55 NC @ 4.5 V | ± 8V | 3524 pf @ 10 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||||
![]() | Fqpf19n10l | 0.5700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 13.6a (TC) | 5V, 10V | 100mohm @ 6.8a, 10V | 2V @ 250 µA | 18 NC @ 5 V | ± 20V | 870 pf @ 25 V | - | 38W (TC) | |||||||||||||||
![]() | Ksc900lta | 0.0200 | ![]() | 8238 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 250 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2.925 | 25 V | 50 Ma | 50NA (ICBO) | NPN | 200 MV @ 2mA, 20 Ma | 350 @ 500 µA, 3V | 100MHz | |||||||||||||||||||
2SA1707S-AN-FS | - | ![]() | 9949 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | SC-71 | 2SA1707 | 1 W | 3-NMP | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 50 V | 3 A | 1 µA (ICBO) | PNP | 700mv @ 100 mm, 2a | 140 @ 100mA, 2V | 150MHz | |||||||||||||||||
![]() | Fjv3113rmtf | 0.0200 | ![]() | 60 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | FJV311 | 200 MW | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||
![]() | PN222222ATF | 0.0400 | ![]() | 2756 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92-3 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 50 | 40 V | 1 A | 10NA (ICBO) | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | 300MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | Bc858amtf | 0.0600 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 310 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 110 @ 2mA, 5V | 150MHz | |||||||||||||||||||
![]() | Fqi2p25tu | 0.7500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak (TO-262) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 250 V | 2.3a (TC) | 10V | 4ohm @ 1.15a, 10V | 5V @ 250 µA | 8.5 NC @ 10 V | ± 30V | 250 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 52W (TC) | |||||||||||||||
![]() | Pn2907atfr | - | ![]() | 1876 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92-3 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 60 V | 800 Ma | 20NA (ICBO) | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | 200MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | FDFMA3P029Z | 0.2500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 6 wdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 6-MLP (2x2) | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal P | 30 V | 3.3a (TA) | 87mohm @ 3.3a, 10v | 3V @ 250 µA | 10 NC @ 10 V | 435 pf @ 15 V | Diodo Schottky (Aislado) | 1.4W (TA) | ||||||||||||||||||
![]() | FDU7030BL | 0.6400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.800 | N-canal | 30 V | 14a (TA), 56a (TC) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 14a, 10v | 3V @ 250 µA | 20 NC @ 5 V | ± 20V | 1425 pf @ 15 V | - | 2.8W (TA), 60W (TC) | |||||||||||||||
![]() | KST4403MTF | 0.0300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | KST44 | 350 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 3.000 | 40 V | 600 mA | - | PNP | 750mv @ 50 mm, 500 mA | 100 @ 150mA, 2V | 200MHz | ||||||||||||||||
![]() | Fgh40n60sftu | 2.4800 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 122 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqi50n06tu | 0.7300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak (TO-262) | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 10V | 22mohm @ 25A, 10V | 4V @ 250 µA | 41 NC @ 10 V | ± 25V | 1540 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 120W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | Fqpf7n10l | 0.2700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 5.5a (TC) | 5V, 10V | 350mohm @ 2.75a, 10V | 2V @ 250 µA | 6 NC @ 5 V | ± 20V | 290 pf @ 25 V | - | 23W (TC) |
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