SIC
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Transistores (3821)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C
FDU6676AS Fairchild Semiconductor FDU6676As 0.2700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 30 V 90A (TA) 4.5V, 10V 5.8mohm @ 16a, 10v 3V @ 250 µA 64 NC @ 10 V ± 20V 2470 pf @ 15 V - 70W (TA)
ISL9N308AS3ST Fairchild Semiconductor Isl9n308as3st 0.8100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) Un 263ab descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 30 V 75A (TC) 4.5V, 10V 8ohm @ 75a, 10v 3V @ 250 µA 68 NC @ 10 V ± 20V 2600 pf @ 15 V - 100W (TC)
ISL9N310AP3 Fairchild Semiconductor ISL9N310AP3 0.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 62a (TC) 4.5V, 10V 10ohm @ 62a, 10a 3V @ 250 µA 48 NC @ 10 V ± 20V 1800 pf @ 15 V - 70W (TA)
ISL9N310AD3 Fairchild Semiconductor ISL9N310Ad3 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (ipak) descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 35A (TC) 4.5V, 10V 10ohm @ 35a, 10a 3V @ 250 µA 48 NC @ 10 V ± 20V 1800 pf @ 15 V - 70W (TA)
ISL9N312AD3 Fairchild Semiconductor ISL9N312Ad3 0.2900
RFQ
 ECAD 211 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 50A (TC) 4.5V, 10V 12mohm @ 50A, 10V 3V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 20V 1450 pf @ 15 V - 75W (TA)
ISL9N312AD3ST_NL Fairchild Semiconductor ISL9N312Ad3ST_NL -
RFQ
 ECAD 9363 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 184 N-canal 30 V 50A (TC) 4.5V, 10V 12mohm @ 50A, 10V 3V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 20V 1450 pf @ 15 V - 75W (TA)
ISL9N310AS3ST Fairchild Semiconductor Isl9n310as3st 0.3300
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) Un 263ab descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 30 V 62a (TC) 4.5V, 10V 10ohm @ 62a, 10a 3V @ 250 µA 48 NC @ 10 V ± 20V 1800 pf @ 15 V - 70W (TA)
FDU6644 Fairchild Semiconductor FDU6644 1.4800
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (ipak) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 204 N-canal 30 V 67a (TA) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 16a, 10v 3V @ 250 µA 35 NC @ 5 V ± 16V 3087 pf @ 15 V - 1.6w (TA)
IRFR214BTFFP001 Fairchild Semiconductor IRFR214BTFFP001 0.1200
RFQ
 ECAD 8950 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 250 V 2.2a (TC) 10V 2ohm @ 1.1a, 10v 4V @ 250 µA 10.5 NC @ 10 V ± 30V 275 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 25W (TC)
FDI038AN06A0_NL Fairchild Semiconductor FDI038AN06A0_NL 3.8100
RFQ
 ECAD 169 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 60 V 17a (TA), 80a (TC) 6V, 10V 3.8mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 124 NC @ 10 V ± 20V 6400 pf @ 25 V - 310W (TC)
FDS6900S Fairchild Semiconductor Fds6900s 0.5300
RFQ
 ECAD 296 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS69 Mosfet (Óxido de metal) 900MW (TA) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 30V 6.9a (TA), 8.2a (TA) 30mohm @ 6.9a, 10v, 22mohm @ 8.2a, 10v 3V @ 250 µA, 3V @ 1MA 11NC @ 5V, 17NC @ 5V 771pf @ 15V, 1238pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
FGP90N30TU Fairchild Semiconductor Fgp90n30tu 1.0000
RFQ
 ECAD 1406 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Estándar 192 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 - - 300 V 90 A 130 A 1.4V @ 15V, 20a - 130 NC -
FDU6682 Fairchild Semiconductor FDU6682 0.6100
RFQ
 ECAD 188 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (ipak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 75A (TA) 4.5V, 10V 6.2mohm @ 17a, 10v 3V @ 250 µA 31 NC @ 5 V ± 20V 2400 pf @ 15 V - 1.6w (TA)
FDD6690S Fairchild Semiconductor FDD6690S 0.6300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 40a (TA) 10V 16mohm @ 10a, 10v 3V @ 1MA 24 NC @ 10 V ± 20V 2010 pf @ 15 V - 1.3W (TA)
IRFI614BTUFP001 Fairchild Semiconductor IRFI614BTUFP001 0.1200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 250 V 2.8a (TC) 10V 2ohm @ 1.4a, 10v 4V @ 250 µA 10.5 NC @ 10 V ± 30V 275 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 40W (TC)
IRFI630BTU Fairchild Semiconductor Irfi630btu 0.2300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 200 V 9A (TC) 10V 400mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250 µA 29 NC @ 10 V ± 30V 720 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 72W (TC)
FDP6676S Fairchild Semiconductor Fdp6676s 0.9800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 76a (TA) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 38a, 10V 3V @ 1MA 56 NC @ 5 V ± 16V 4853 pf @ 15 V - 70W (TC)
FDP7042L Fairchild Semiconductor FDP7042L 0.6600
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 50A (TA) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 25A, 10V 2V @ 250 Ma 51 NC @ 4.5 V ± 12V 2418 pf @ 15 V - 83W (TA)
FDW2509NZ Fairchild Semiconductor FDW2509NZ 0.4600
RFQ
 ECAD 220 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) FDW25 Mosfet (Óxido de metal) 1.1W (TA) 8-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 2.500 2 canales (dual) Drenaje Común 20V 7.1a (TA) 20mohm @ 7.1a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 19NC @ 4.5V 1263pf @ 10V -
FDU6692 Fairchild Semiconductor FDU6692 1.2800
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (ipak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 54a (TA) 4.5V, 10V 12mohm @ 14a, 10v 3V @ 250 µA 25 NC @ 5 V ± 16V 2164 pf @ 15 V - 1.6w (TA)
FDU6682_NL Fairchild Semiconductor FDU6682_NL 0.9600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (ipak) descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 75A (TA) 4.5V, 10V 6.2mohm @ 17a, 10v 3V @ 250 µA 31 NC @ 5 V ± 20V 2400 pf @ 15 V - 1.6w (TA)
RF1K4915696 Fairchild Semiconductor RF1K4915696 0.8200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 365 N-canal 30 V 6.3a (TA) 5V 30mohm @ 6.3a, 5V 2V @ 250 µA 65 NC @ 10 V ± 10V 2030 pf @ 25 V - 2W (TA)
SFP9620 Fairchild Semiconductor SFP9620 0.4300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 200 V 3.5A (TC) 10V 1.5ohm @ 1.8a, 10V 4V @ 250 µA 19 NC @ 10 V ± 30V 540 pf @ 25 V - 38W (TC)
SFI9510TU Fairchild Semiconductor Sfi9510tu 0.7300
RFQ
 ECAD 950 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 100 V 3.6a (TC) 10V 1.2ohm @ 1.8a, 10V 4V @ 250 µA 10 NC @ 10 V ± 30V 335 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 32W (TC)
RF1K4909096 Fairchild Semiconductor RF1K4909096 0.6200
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Rf1k4 Mosfet (Óxido de metal) 2W (TA) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 12V 3.5a (TA) 50mohm @ 3.5a, 5V 2V @ 250 µA 25nc @ 10V 750pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
RF1K4915796 Fairchild Semiconductor RF1K4915796 0.8200
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 6.3a (TA) 4.5V, 10V 30mohm @ 6.3a, 10v 3V @ 250 µA 88 NC @ 20 V ± 20V 1575 pf @ 25 V - 2W (TA)
RF1K49156 Fairchild Semiconductor RF1K49156 0.7800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 6.3a (TA) 5V 30mohm @ 6.3a, 5V 2V @ 250 µA 65 NC @ 10 V ± 10V 2030 pf @ 25 V - 2W (TA)
SFR9034TM Fairchild Semiconductor SFR9034TM -
RFQ
 ECAD 1457 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 60 V 14a (TC) 10V 140mohm @ 7a, 10v 4V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 25V 1155 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 49W (TC)
SFR9214TF Fairchild Semiconductor SFR9214TF 0.1400
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252-3 (DPAK) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 250 V 1.53a (TC) 10V 4ohm @ 770ma, 10v 4V @ 250 µA 11 NC @ 10 V ± 30V 295 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 19W (TC)
SSW7N60BTM Fairchild Semiconductor Ssw7n60btm 0.7200
RFQ
 ECAD 697 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 600 V 7a (TC) 10V 1.2ohm @ 3.5a, 10v 4V @ 250 µA 50 NC @ 10 V ± 30V 1800 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 147W (TC)
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

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    Unidad de producto estándar

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