SIC
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Transistores (3821)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Resistencia - RDS (ON) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
FDB8445-F085 Fairchild Semiconductor FDB8445-F085 1.0000
RFQ
 ECAD 7636 0.00000000 Semiconductor de fairchild Automotriz, AEC-Q101, Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar No Aplicable EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 70A (TC) 10V 9mohm @ 70a, 10v 4V @ 250 µA 62 NC @ 10 V ± 20V 3805 pf @ 25 V - 92W (TC)
FDC796N Fairchild Semiconductor FDC796N 0.6400
RFQ
 ECAD 988 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6 SSOT Plano, SuperSot ™ -6 FLMP Mosfet (Óxido de metal) Supersot ™ -6 flmp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 12.5a (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 12.5a, 10v 3V @ 250 µA 20 NC @ 5 V ± 20V 1444 pf @ 15 V - 2W (TA)
FQB7N65CTM Fairchild Semiconductor FQB7N65CTM 1.4400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 650 V 7a (TC) 10V 1.4ohm @ 3.5a, 10v 4V @ 250 µA 36 NC @ 10 V ± 30V 1245 pf @ 25 V - 173W (TC)
HUFA76413D3S Fairchild Semiconductor HUFA76413D3S 0.2700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1.800 N-canal 60 V 20A (TC) 4.5V, 10V 49mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 16V 645 pf @ 25 V - 60W (TC)
BC327A Fairchild Semiconductor BC327A 0.0200
RFQ
 ECAD 7273 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1.803 45 V 800 Ma 100na PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
BC636TFR Fairchild Semiconductor BC636TFR -
RFQ
 ECAD 2847 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 1 W Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 7,695 45 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150mA, 2V 100MHz
JFTJ105 Fairchild Semiconductor JFTJ105 -
RFQ
 ECAD 9816 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA 1 W SOT-223-4 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal - 25 V 500 mA @ 15 V 4.5 V @ 1 µA 3 ohmios
KSC2335RTU Fairchild Semiconductor Ksc2335rtu 1.0000
RFQ
 ECAD 2324 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 1.5 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 400 V 7 A 10 µA (ICBO) NPN 1V @ 600 Ma, 3a 20 @ 1a, 5v -
BC549BBU Fairchild Semiconductor Bc549bbu -
RFQ
 ECAD 7555 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1,000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
FQP5N30 Fairchild Semiconductor Fqp5n30 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 300 V 5.4a (TC) 10V 900mohm @ 2.7a, 10V 5V @ 250 µA 13 NC @ 10 V ± 30V 430 pf @ 25 V - 70W (TC)
FQP5P20 Fairchild Semiconductor FQP5P20 1.0000
RFQ
 ECAD 1738 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 200 V 4.8a (TC) 10V 1.4ohm @ 2.4a, 10v 5V @ 250 µA 13 NC @ 10 V ± 30V 430 pf @ 25 V - 75W (TC)
BC32725TF Fairchild Semiconductor Bc32725tf -
RFQ
 ECAD 9485 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 45 V 800 Ma 100na PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 160 @ 100mA, 1V 100MHz
BC32725 Fairchild Semiconductor BC32725 0.0600
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 45 V 800 Ma 100na PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 160 @ 100mA, 1V 100MHz
BCX71G Fairchild Semiconductor Bcx71g 0.0200
RFQ
 ECAD 7800 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 369 45 V 100 mA 20NA PNP 550mv @ 1.25 mA, 50 mA 120 @ 2mA, 5V -
HUFA76445S3S Fairchild Semiconductor HUFA76445S3S 1.0600
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 75A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 75a, 10v 3V @ 250 µA 150 NC @ 10 V ± 16V 4965 pf @ 25 V - 310W (TC)
BC640 Fairchild Semiconductor BC640 0.0600
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW TO-92 (TO-226) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0075 5,000 80 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150mA, 2V 150MHz
ISL9V3036D3ST Fairchild Semiconductor ISL9V3036D3ST 1.9600
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Semiconductor de fairchild Ecospark® Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Lógica 150 W TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 300V, 1KOHM, 5V - 360 V 21 A 1.6v @ 4V, 6a - 17 NC -/4.8 µs
FDS9933BZ Fairchild Semiconductor Fds9933bz 0.5100
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS99 Mosfet (Óxido de metal) 900MW 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 20V 4.9a 46mohm @ 4.9a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 15NC @ 4.5V 985pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
FDS6694 Fairchild Semiconductor FDS6694 0.4600
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 12a (TA) 4.5V, 10V 11mohm @ 12a, 10v 3V @ 250 µA 19 NC @ 5 V ± 20V 1293 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
FQD3N30TF Fairchild Semiconductor Fqd3n30tf 0.2900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 300 V 2.4a (TC) 10V 2.2ohm @ 1.2a, 10V 5V @ 250 µA 7 NC @ 10 V ± 30V 230 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 30W (TC)
FDMS3616S Fairchild Semiconductor FDMS3616S 0.8300
RFQ
 ECAD 65 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto Montaje en superficie 8-Powertdfn FDMS3616 Mosfet (Óxido de metal) 1W 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Asimétrico del canal (dual) 25V 16a, 18a 6.6mohm @ 16a, 10v 2.5V @ 250 µA 27nc @ 10V 1765pf @ 13V Puerta de Nivel Lógico
FQAF19N20L Fairchild Semiconductor FQAF19N20L 1.0900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO Mosfet (Óxido de metal) Un 3pf descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 360 N-canal 200 V 16a (TC) 5V, 10V 140mohm @ 8a, 10v 2V @ 250 µA 35 NC @ 5 V ± 20V 2200 pf @ 25 V - 85W (TC)
BD14010S Fairchild Semiconductor BD14010S 1.0000
RFQ
 ECAD 6439 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 1.25 W A-126-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 250 80 V 1.5 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mA, 500 mA 63 @ 150mA, 2V -
BC546 Fairchild Semiconductor BC546 0.0400
RFQ
 ECAD 114 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 65 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 110 @ 2mA, 5V 300MHz
BC338 Fairchild Semiconductor BC338 0.0400
RFQ
 ECAD 8136 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 258 25 V 800 Ma 100na NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
KSA940H2TU Fairchild Semiconductor KSA940H2TU -
RFQ
 ECAD 1692 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 1.5 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 150 V 1.5 A 10 µA (ICBO) PNP 1.5V @ 50 Ma, 500 Ma 40 @ 500mA, 10V 4MHz
BC556CBU Fairchild Semiconductor Bc556cbu -
RFQ
 ECAD 6600 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 11,478 65 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 420 @ 2mA, 5V 150MHz
BC856AMTF Fairchild Semiconductor Bc856amtf 0.0500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 310 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 3.000 65 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 110 @ 2mA, 5V 150MHz
FJC1386PTF Fairchild Semiconductor FJC1386PTF 0.1100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 500 MW SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 4.000 20 V 5 A 500NA (ICBO) PNP 1v @ 100 mapa, 4a 80 @ 500mA, 2V -
BUT12A Fairchild Semiconductor Pero12a 0.9400
RFQ
 ECAD 820 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 100 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 200 450 V 8 A 1mera NPN 1.5V @ 1.2a, 6a - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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