SIC
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Transistores (3821)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Resistencia - RDS (ON) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
FDMS9408 Fairchild Semiconductor FDMS9408 0.6700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo FDMS940 - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 3.000 -
FDMA0104 Fairchild Semiconductor FDMA0104 0.3100
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 6 wdfn FDMA01 Mosfet (Óxido de metal) 6-Microfet (2x2) - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 3.000 N-canal 20 V 9.4a (TA) 14.5mohm @ 9.4a, 4.5V 1V @ 250 µA 17.5 NC @ 4.5 V 1680 pf @ 10 V - 1.9W (TA)
FDT434P Fairchild Semiconductor FDT434P 1.0000
RFQ
 ECAD 3191 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA FDT43 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-4 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 4.000 Canal P 20 V 6a (TA) 2.5V, 4.5V 50mohm @ 6a, 4.5V 1V @ 250 µA 19 NC @ 4.5 V ± 8V 1187 pf @ 10 V - 3W (TA)
FDPC1012S Fairchild Semiconductor FDPC1012S 0.4300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN FDPC1 Mosfet (Óxido de metal) 800MW (TA), 900MW (TA) PowerClip-33 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 428 2 Asimétrico del canal (dual) 25V 13a (TA), 35a (TC), 26a (TA), 88a (TC) 7mohm @ 12a, 4.5V, 2.2mohm @ 23a, 4.5V 2.2V @ 250 µA, 2.2V @ 1MA 8NC @ 4.5V, 25NC @ 4.5V 1075pf @ 13V, 3456pf @ 13V -
FDZ197PZ Fairchild Semiconductor FDZ197PZ 0.2300
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-UFBGA, WLCSP FDZ19 Mosfet (Óxido de metal) 6-WLCSP (1.0x1.5) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 5,000 Canal P 20 V 3.8a (TA) 1.5V, 4.5V 64mohm @ 2a, 4.5V 1V @ 250 µA 25 NC @ 4.5 V ± 8V 1570 pf @ 10 V - 1.9W (TA)
FDI9406 Fairchild Semiconductor FDI9406 1.8500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo FDI940 - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1 -
FDMC0222 Fairchild Semiconductor FDMC0222 0.1400
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo FDMC02 - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 3.000 -
FQPF13N50C Fairchild Semiconductor FQPF13N50C 1.2000
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FQPF1 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 1 N-canal 500 V 13a (TC) 10V 480mohm @ 6.5a, 10v 4V @ 250 µA 56 NC @ 10 V ± 30V 2055 pf @ 25 V - 48W (TC)
KSP2222ATF Fairchild Semiconductor KSP2222ATF 1.0000
RFQ
 ECAD 8252 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales KSP22 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 2,000 40 V 600 mA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10 MV 300MHz
D45H2A Fairchild Semiconductor D45H2A 0.7500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 D45H 60 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 30 V 8 A 10 µA (ICBO) PNP 1V @ 400 Ma, 8a 100 @ 8a, 5v 25MHz
D45C11 Fairchild Semiconductor D45C11 0.3600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 D45C 60 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 80 V 4 A 10 µA PNP 500mv @ 50 mm, 1a 40 @ 200Ma, 1V 32MHz
FJV3115RMTF Fairchild Semiconductor FJV3115RMTF -
RFQ
 ECAD 7742 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 FJV311 200 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 33 @ 10mA, 5V 250 MHz 2.2 kohms 10 kohms
MMBT2369A Fairchild Semiconductor Mmbt2369a -
RFQ
 ECAD 3975 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT2369 225 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 15 V 200 MA 400NA (ICBO) NPN 500mv @ 10 Ma, 100 Ma 40 @ 10mA, 1V -
MMBT918 Fairchild Semiconductor MMBT918 -
RFQ
 ECAD 9946 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT918 225MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 15dB 15V 50mera NPN 20 @ 3mA, 1V 600MHz 6dB @ 60MHz
FJD3076TM Fairchild Semiconductor Fjd3076tm 0.2400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FJD3076 1 W D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 1.268 32 V 2 A 1 µA (ICBO) NPN 800mv @ 200MA, 2A 130 @ 500 mA, 3V 100MHz
BC560CTA Fairchild Semiconductor BC560CTA 1.0000
RFQ
 ECAD 1751 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC560 500 MW Un 92-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 45 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 420 @ 2mA, 5V 150MHz
HUFA75852G3-F085 Fairchild Semiconductor HUFA75852G3-F085 3.1200
RFQ
 ECAD 166 0.00000000 Semiconductor de fairchild Automotive, AEC-Q101, UltraFet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 HUFA75 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 150 V 75A (TC) 10V 16mohm @ 75a, 10V 4V @ 250 µA 480 NC @ 20 V ± 20V 7690 pf @ 25 V - 500W (TC)
MMBT3906SL Fairchild Semiconductor Mmbt3906sl 0.0300
RFQ
 ECAD 119 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-923F 227 MW SOT-923F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 8,000 40 V 200 MA 50NA PNP 400mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 250MHz
SGS23N60UFDTU Fairchild Semiconductor Sgs23n60ufdtu 1.0000
RFQ
 ECAD 8772 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero SGS23N60 Estándar 73 W Un 220F - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 1 300V, 12a, 23ohm, 15V 60 ns - 600 V 23 a 92 A 2.6V @ 15V, 12A 115 µJ (Encendido), 135 µJ (apaguado) 49 NC 17ns/60ns
FJAFS1720TU Fairchild Semiconductor FJAFS1720TU 2.8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild ESBC ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO FJAFS172 60 W Un 3pf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 800 V 12 A 100 µA NPN 250mv @ 3.33a, 10a 8.5 @ 11a, 5v 15MHz
HUF76131SK8T_NB82084 Fairchild Semiconductor HUF76131SK8T_NB82084 -
RFQ
 ECAD 8464 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo HUF76131 - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido 1 -
BD435STU Fairchild Semiconductor Bd435stu -
RFQ
 ECAD 3434 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 36 W A-126-3 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 32 V 4 A 100 µA NPN 500mv @ 200MA, 2a 50 @ 2a, 1v 3MHz
MMBFJ310 Fairchild Semiconductor MMBFJ310 -
RFQ
 ECAD 1654 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 25 V TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mmbfj3 450MHz Jfet Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 N-canal 60mera 10 Ma - 12dB 3DB 10 V
MMBFJ177 Fairchild Semiconductor Mmbfj177 -
RFQ
 ECAD 7221 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mmbfj1 225 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 Canal P - 30 V 1.5 Ma @ 15 V 800 MV @ 10 na 300 ohmios
BSR15 Fairchild Semiconductor BSR15 -
RFQ
 ECAD 1370 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BSR15 350 MW Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 40 V 800 Ma 20NA (ICBO) PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V 200MHz
BD677AS Fairchild Semiconductor Bd677as -
RFQ
 ECAD 6526 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 BD677 40 W A-126-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 60 V 4 A 500 µA NPN - Darlington 2.8V @ 40 mm, 2a 750 @ 2a, 3V -
MMBTA14-NB05232 Fairchild Semiconductor MMBTA14-NB05232 0.1400
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.21.0075 3.000
SFR9230BTMAM002 Fairchild Semiconductor SFR9230BTMAM002 -
RFQ
 ECAD 7165 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo SFR9230 - - No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8542.39.0001 2.500 -
KST14MTF Fairchild Semiconductor KST14MTF 0.0300
RFQ
 ECAD 287 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 KST14 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 30 V 300 mA 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1.5V @ 100 µA, 100 mA 20000 @ 100MA, 5V 125MHz
FJMA790 Fairchild Semiconductor FJMA790 1.0000
RFQ
 ECAD 2286 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-vdfn exposición almohadilla FJMA79 1.56 W 6-Microfet (2x2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 35 V 2 A 100NA (ICBO) PNP 450mv @ 50 mm, 2a 100 @ 1.5a, 1.5V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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