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Transistores (3821)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
ISL9V2040S3S Fairchild Semiconductor ISL9V2040S3S 1.0000
RFQ
 ECAD 5345 0.00000000 Semiconductor de fairchild Ecospark® Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Lógica 130 W D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 400 300V, 1KOHM, 5V - 430 V 10 A 1.9V @ 4V, 6A - 12 NC -/3.64 µs
KSA1625KTA Fairchild Semiconductor Ksa1625kta 0.0700
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 750 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2,000 400 V 500 mA 1 µA (ICBO) PNP 1V @ 10 Ma, 100 Ma 100 @ 50mA, 5V 10MHz
FQP17N08L Fairchild Semiconductor Fqp17n08l 0.4300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 80 V 16.5a (TC) 5V, 10V 100mohm @ 8.25a, 10V 2V @ 250 µA 11.5 NC @ 5 V ± 20V 520 pf @ 25 V - 65W (TC)
FQPF5N90 Fairchild Semiconductor FQPF5N90 1.4700
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar EAR99 8542.39.0001 205 N-canal 900 V 3A (TC) 10V 2.3ohm @ 1.5a, 10v 5V @ 250 µA 40 NC @ 10 V ± 30V 1550 pf @ 25 V - 51W (TC)
FDMC6680AZ Fairchild Semiconductor FDMC6680AZ 0.2000
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo FDMC6680 - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 3.000 -
FDP3652 Fairchild Semiconductor FDP3652 1.0000
RFQ
 ECAD 6194 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 100 V 9A (TA), 61A (TC) 6V, 10V 16mohm @ 61a, 10v 4V @ 250 µA 53 NC @ 10 V ± 20V 2880 pf @ 25 V - 150W (TC)
HUF75639S3S Fairchild Semiconductor HUF75639S3S 1.3700
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 100 V 56a (TC) 10V 25mohm @ 56a, 10v 4V @ 250 µA 130 NC @ 20 V ± 20V 2000 pf @ 25 V - 200W (TC)
FGB30N6S2 Fairchild Semiconductor FGB30N6S2 0.9300
RFQ
 ECAD 5843 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Estándar 167 W D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 225 390V, 12a, 10ohm, 15V - 600 V 45 A 108 A 2.5V @ 15V, 12A 55 µJ (Encendido), 100 µJ (apaguado) 23 NC 6ns/40ns
FDMC7660DC Fairchild Semiconductor FDMC7660DC -
RFQ
 ECAD 9332 0.00000000 Semiconductor de fairchild Dual Cool ™, Perstrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) Dual Cool ™ 33 descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-FDMC7660DC-600039 1 N-canal 30 V 30A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 2.2mohm @ 22a, 10v 2.5V @ 250 µA 76 NC @ 10 V ± 20V 5170 pf @ 15 V - 3W (TA), 78W (TC)
BDX34A Fairchild Semiconductor Bdx34a 0.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 70 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1.070 60 V 10 A 500 µA PNP 2.5V @ 8MA, 4A 750 @ 4a, 3V -
FCPF220N80 Fairchild Semiconductor FCPF220N80 -
RFQ
 ECAD 2260 0.00000000 Semiconductor de fairchild Superfet® II Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FCPF220 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 800 V 23a (TC) 10V 220mohm @ 11.5a, 10V 4.5V @ 2.3MA 105 NC @ 10 V ± 20V 4560 pf @ 100 V - 44W (TC)
FDS3170N7 Fairchild Semiconductor FDS3170N7 2.0100
RFQ
 ECAD 179 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 6.7a (TA) 6V, 10V 26mohm @ 6.7a, 10v 4V @ 250 µA 77 NC @ 10 V ± 20V 2714 pf @ 50 V - 3W (TA)
KSA733GTA Fairchild Semiconductor KSA733GTA 0.0200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales KSA733 250 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 40 @ 1 MMA, 6V 180MHz
FDME910PZT Fairchild Semiconductor Fdme910pzt 1.0000
RFQ
 ECAD 3527 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-Powerufdfn Mosfet (Óxido de metal) Microfet 1.6x1.6 Delgado descascar EAR99 8542.39.0001 1 Canal P 20 V 8a (TA) 1.8V, 4.5V 24mohm @ 8a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 21 NC @ 4.5 V ± 8V 2110 pf @ 10 V - 2.1W (TA)
ISL9V5045S3ST Fairchild Semiconductor ISL9V5045S3ST -
RFQ
 ECAD 6049 0.00000000 Semiconductor de fairchild Ecospark® Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Lógica 300 W D2PAK (TO-263) descascar EAR99 8542.39.0001 30 300V, 1KOHM, 5V - 480 V 51 A 1.6v @ 4V, 10a - 32 NC -/10.8 µs
FDC6304P Fairchild Semiconductor FDC6304P 0.2200
RFQ
 ECAD 7373 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 FDC6304 Mosfet (Óxido de metal) 700MW Supersot ™ -6 descascar EAR99 8542.39.0001 2 2 Canal P (Dual) 25V 460ma 1.1ohm @ 500mA, 4.5V 1.5V @ 250 µA 1.5nc @ 4.5V 62pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
FGP3040G2 Fairchild Semiconductor FGP3040G2 1.0100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1
FMS7G15US60 Fairchild Semiconductor FMS7G15US60 20.4000
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis 25 PM-AA 73 W Rectificador de Puente Trifásico 25 PM-AA descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 30 Inversor trifásico con freno - 600 V 15 A 2.7V @ 15V, 15a 250 µA Si 935 pf @ 30 V
FQA90N10V2 Fairchild Semiconductor FQA90N10V2 4.0500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 100 V 105A (TC) 10V 10mohm @ 52.5a, 10v 4V @ 250 µA 191 NC @ 10 V ± 30V 6150 pf @ 25 V - 330W (TC)
KSA733YTA Fairchild Semiconductor Ksa733yta 0.0300
RFQ
 ECAD 217 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales KSA733 250 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 120 @ 1 MMA, 6V 180MHz
SS8050DTA Fairchild Semiconductor SS8050DTA 0.0600
RFQ
 ECAD 620 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 1 W Un 92-3 descascar 0000.00.0000 5.124 25 V 1.5 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 80mA, 800 mA 160 @ 100mA, 1V 100MHz
FDS6912 Fairchild Semiconductor FDS6912 0.9000
RFQ
 ECAD 79 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS69 Mosfet (Óxido de metal) 2W (TA) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 2.500 2 Canal N (Dual) 30V 6a (TA) 28mohm @ 6a, 10v 3V @ 250 µA 10NC @ 5V 740pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
ISL9V3040S3ST Fairchild Semiconductor ISL9V3040S3ST 1.2100
RFQ
 ECAD 1475 0.00000000 Semiconductor de fairchild Ecospark® Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Lógica 150 W D2PAK (TO-263) descascar EAR99 8542.39.0001 1 300V, 1KOHM, 5V - 430 V 21 A 1.6v @ 4V, 6a - 17 NC -/4.8 µs
FDD10AN06A0Q Fairchild Semiconductor Fdd10an06a0q 2.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 60 V 11a (TA) 10.5mohm @ 50A, 10V 4V @ 250 µA ± 20V 1840 pf @ 25 V 135W (TC)
BC32740BU Fairchild Semiconductor Bc32740bu -
RFQ
 ECAD 3513 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar EAR99 8541.21.0075 52 45 V 800 Ma 100na PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 250 @ 100mA, 1V 100MHz
FDS7082N3 Fairchild Semiconductor FDS7082N3 0.5300
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 17.5a (TA) 4.5V, 10V 6mohm @ 17.5a, 10v 3V @ 250 µA 53 NC @ 10 V ± 20V 2271 pf @ 15 V - 3W (TA)
BD13616S Fairchild Semiconductor Bd13616s 0.2500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 1.25 W A-126-3 descascar EAR99 8541.29.0095 1.195 45 V 1.5 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 2V -
KAR00061A Fairchild Semiconductor Kar00061a 3.7800
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 80
KSH117TF Fairchild Semiconductor KSH117TF -
RFQ
 ECAD 3635 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 1.75 W TO-252-3 (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 2,000 100 V 2 A 20 µA PNP - Darlington 3V @ 40mA, 4A 1000 @ 2a, 3V 25MHz
FQP11N50CF Fairchild Semiconductor FQP11N50CF 1.7700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild FRFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar Rohs no conforme EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 11a (TC) 10V 550mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250 µA 55 NC @ 10 V ± 30V 2055 pf @ 25 V - 195W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

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