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Transistores (3821)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1)
HUFA75545P3 Fairchild Semiconductor HUFA75545P3 0.8700
RFQ
 ECAD 345 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 345 N-canal 80 V 75A (TC) 10V 10mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 235 NC @ 20 V ± 20V 3750 pf @ 25 V - 270W (TC)
SS9013HBU Fairchild Semiconductor SS9013HBU 0.0200
RFQ
 ECAD 885 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 1,000 20 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 600mv @ 50 mA, 500 mA 144 @ 50mA, 1V -
FQD30N06TF Fairchild Semiconductor Fqd30n06tf -
RFQ
 ECAD 2403 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 21 N-canal 60 V 22.7a (TC) 10V 45mohm @ 11.4a, 10V 4V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 25V 945 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 44W (TC)
MMBT2907-D87Z Fairchild Semiconductor MMBT2907-D87Z 0.0300
RFQ
 ECAD 494 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 descascar No Aplicable EAR99 8541.21.0095 10,000 40 V 800 Ma 20NA (ICBO) PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V -
FJY4009R Fairchild Semiconductor FJY4009R 0.0200
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto Montaje en superficie SC-89, SOT-490 FJY400 200 MW SOT-523F descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 14,999 40 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 1 mapa, 10 ma 100 @ 1 mapa, 5v 200 MHz 4.7 kohms
RFD8P05SM Fairchild Semiconductor RFD8P05SM 1.0000
RFQ
 ECAD 7129 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar Rohs no conforme EAR99 8541.29.0095 75 Canal P 50 V 8a (TC) 300mohm @ 8a, 10v 4V @ 250 µA 80 NC @ 20 V -
HUF76419D3 Fairchild Semiconductor HUF76419D3 0.2400
RFQ
 ECAD 4250 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1.140 N-canal 60 V 20A (TC) 4.5V, 10V 37mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 27.5 NC @ 10 V ± 16V 900 pf @ 25 V - 75W (TC)
2N4402TFR Fairchild Semiconductor 2N4402TFR 0.0200
RFQ
 ECAD 6833 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2,166 40 V 600 mA - PNP 750mv @ 50 mm, 500 mA 50 @ 150mA, 2V -
SFF9250L Fairchild Semiconductor SFF9250L 0.6800
RFQ
 ECAD 9001 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO Mosfet (Óxido de metal) Un 3pf descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 360 Canal P 200 V 12.6a (TC) 5V 230mohm @ 6.3a, 5V 2V @ 250 µA 120 NC @ 5 V ± 20V 3250 pf @ 25 V - 90W (TC)
FDD6682 Fairchild Semiconductor FDD6682 0.9500
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 75A (TA) 4.5V, 10V 6.2mohm @ 17a, 10v 3V @ 250 µA 31 NC @ 5 V ± 20V 2400 pf @ 15 V - 71W (TA)
FQPF4N20 Fairchild Semiconductor FQPF4N20 0.2700
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 200 V 2.8a (TC) 10V 1.4ohm @ 1.4a, 10V 5V @ 250 µA 6.5 NC @ 10 V ± 30V 220 pf @ 25 V - 27W (TC)
2N3904 Fairchild Semiconductor 2N3904 0.0500
RFQ
 ECAD 9872 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Banda Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 2156-2N3904-FS EAR99 8541.21.0075 25 40 V 200 MA 50NA NPN 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 300MHz
2N6519TA Fairchild Semiconductor 2N6519TA 1.0000
RFQ
 ECAD 3902 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 300 V 500 mA 50NA (ICBO) PNP 1V @ 5 mm, 50 Ma 40 @ 50 mm, 10v 200MHz
SS9014CTA Fairchild Semiconductor Ss9014cta -
RFQ
 ECAD 6452 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 450 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 45 V 100 mA 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 1 mapa, 5v 270MHz
KSB1116YBU Fairchild Semiconductor Ksb1116ybu 1.0000
RFQ
 ECAD 6782 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 750 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 10,000 50 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 50 mm, 1a 135 @ 100 mapa, 2v 120MHz
KSB744AYSTU Fairchild Semiconductor Ksb744aystu 0.1600
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 1 W A-126-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0075 60 60 V 3 A 1 µA (ICBO) PNP 2V @ 150MA, 1.5a 160 @ 500 Ma, 5V 45MHz
HGTP7N60C3D Fairchild Semiconductor HGTP7N60C3D 1.0000
RFQ
 ECAD 6918 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero Un 220-3 Estándar 60 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 400 480V, 7a, 50ohm, 15V - 600 V 14 A 56 A 2V @ 15V, 7a 165 µJ (Encendido), 600 µJ (apaguado) 23 NC -
HUFA75344S3ST Fairchild Semiconductor HUFA75344S3ST 0.9500
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 55 V 75A (TC) 10V 8mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 210 NC @ 20 V ± 20V 3200 pf @ 25 V - 285W (TC)
2N6518TA Fairchild Semiconductor 2n6518ta 0.0500
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 250 V 500 mA 50NA (ICBO) PNP 1V @ 5 mm, 50 Ma 45 @ 50 mm, 10v 200MHz
KSB564ACYBU Fairchild Semiconductor Ksb564acybu 0.0200
RFQ
 ECAD 92 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 800 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1,000 25 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100 mm, 1a 120 @ 100mA, 1V 110MHz
KSA1406CSTU Fairchild Semiconductor KSA1406CSTU -
RFQ
 ECAD 1151 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 1.2 W A-126-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0075 1.920 200 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP 800mv @ 3 mm, 30 mA 40 @ 10mA, 10V 400MHz
TIP31B Fairchild Semiconductor TIP31B 0.1500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TIP31 2 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 80 V 3 A 300 µA NPN 1.2V @ 375MA, 3A 10 @ 3a, 4v 3MHz
HGTG11N120CN Fairchild Semiconductor Hgtg11n120cn 2.0400
RFQ
 ECAD 971 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 298 W To-247 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 150 960V, 11a, 10ohm, 15V Escrutinio 1200 V 43 A 80 A 2.4V @ 15V, 11a 400 µJ (Encendido), 1.3MJ (apaguado) 100 NC 23ns/180ns
FQPF2N30 Fairchild Semiconductor FQPF2N30 0.2900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 300 V 1.34a (TC) 10V 3.7ohm @ 670 mm, 10v 5V @ 250 µA 5 NC @ 10 V ± 30V 130 pf @ 25 V - 16W (TC)
FQI5P10TU Fairchild Semiconductor Fqi5p10tu 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 100 V 4.5A (TC) 10V 1.05ohm @ 2.25a, 10V 4V @ 250 µA 8.2 NC @ 10 V ± 30V 250 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 40W (TC)
IRFU120ATU Fairchild Semiconductor Irfu120atu 0.9300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 70 N-canal 100 V 8.4a (TC) 10V 200mohm @ 4.2a, 10V 4V @ 250 µA 22 NC @ 10 V - 480 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 32W (TC)
FQB55N06TM Fairchild Semiconductor FQB55N06TM 0.8800
RFQ
 ECAD 696 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 55A (TC) 10V 20mohm @ 27.5a, 10V 4V @ 250 µA 46 NC @ 10 V ± 25V 1690 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 133W (TC)
FQP16N25C Fairchild Semiconductor Fqp16n25c 1.0100
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 250 V 15.6a (TC) 10V 270mohm @ 7.8a, 10V 4V @ 250 µA 53.5 NC @ 10 V ± 30V 1080 pf @ 25 V - 139W (TC)
FQB10N20LTM Fairchild Semiconductor FQB10N20LTM 0.5900
RFQ
 ECAD 5050 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 457 N-canal 200 V 10a (TC) 5V, 10V 360mohm @ 5a, 10v 2V @ 250 µA 17 NC @ 5 V ± 20V 830 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 87W (TC)
HUFA76639S3S Fairchild Semiconductor HUFA76639S3S 0.6700
RFQ
 ECAD 9021 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 353 N-canal 100 V 51a (TC) 4.5V, 10V 26mohm @ 51a, 10v 3V @ 250 µA 86 NC @ 10 V ± 16V 2400 pf @ 25 V - 180W (TC)
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  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

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