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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Condición de PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Figura de Ruido (db typ @ f) |
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![]() | FQPF4N80 | 0.8300 | ![]() | 4136 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 334 | N-canal | 800 V | 2.2a (TC) | 10V | 3.6ohm @ 1.1a, 10V | 5V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 30V | 880 pf @ 25 V | - | 43W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fds7764a | 0.9900 | ![]() | 75 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 15a (TA) | 7.5mohm @ 15a, 4.5V | 2V @ 250 µA | 40 NC @ 4.5 V | 3451 pf @ 15 V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc1675cybu | 0.0500 | ![]() | 112 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 250 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 30 V | 50 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 1 mapa, 10 ma | 120 @ 1 MMA, 6V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqi5n20tu | 0.3100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak (TO-262) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 200 V | 4.5A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2.25a, 10V | 5V @ 250 µA | 7.5 NC @ 10 V | ± 30V | 270 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 52W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDH5500 | 1.5600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 300 | N-canal | 55 V | 75A (TC) | 10V | 7mohm @ 75a, 10v | 4V @ 250 µA | 268 NC @ 20 V | ± 30V | 3565 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6572A | 1.7300 | ![]() | 373 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 20 V | 16a (TA) | 2.5V, 4.5V | 6mohm @ 16a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 80 NC @ 4.5 V | ± 12V | 5914 pf @ 10 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF40N25 | 2.9800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 360 | N-canal | 250 V | 24a (TC) | 10V | 70mohm @ 12a, 10v | 5V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 30V | 4000 pf @ 25 V | - | 108W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fds6679z | - | ![]() | 1993 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 13a (TA) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 13a, 10v | 3V @ 250 µA | 94 NC @ 10 V | +20V, -25V | 3803 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sgp13n60uftu | 0.2300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SGP13N60 | Estándar | 60 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 300V, 6.5a, 50ohm, 15V | - | 600 V | 13 A | 52 A | 2.6V @ 15V, 6.5a | 85 µJ (Encendido), 95 µJ (apaguado) | 25 NC | 20ns/70ns | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mmbt2907ak | 1.0000 | ![]() | 1193 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 V | 600 mA | 10NA (ICBO) | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPS5179 | - | ![]() | 9849 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 200MW | TO-92 (TO-226) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 774 | - | 12V | 50mera | NPN | 25 @ 3mA, 1V | 2GHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4124TFR | 0.0200 | ![]() | 2405 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 2156-2N4124TFR-FSTR | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 25 V | 200 MA | 50NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 5 Ma, 50 Ma | 120 @ 2mA, 1V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqd16n15tm | 0.5300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 150 V | 11.8a (TC) | 10V | 160mohm @ 5.9a, 10V | 4V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 25V | 910 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 55W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
FDW2503NZ | 0.5500 | ![]() | 136 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | FDW25 | Mosfet (Óxido de metal) | 600MW | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 5.5a | 20mohm @ 5.5a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 17NC @ 4.5V | 1286pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQA6N80 | 1.0900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3p | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 800 V | 6.3a (TC) | 10V | 1.95ohm @ 3.15a, 10V | 5V @ 250 µA | 31 NC @ 10 V | ± 30V | 1500 pf @ 25 V | - | 185W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD6780 | 0.2500 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 V | 16.5A (TA), 30A (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 16.5a, 10v | 3V @ 250 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 1590 pf @ 13 V | - | 3.7W (TA), 32.6W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFP9634 | 0.4100 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 250 V | 5A (TC) | 10V | 1.3ohm @ 2.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 37 NC @ 10 V | ± 30V | 975 pf @ 25 V | - | 70W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75645P3 | 1.1800 | ![]() | 5354 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 | N-canal | 100 V | 75A (TC) | 10V | 14mohm @ 75a, 10v | 4V @ 250 µA | 238 NC @ 20 V | ± 20V | 3790 pf @ 25 V | - | 310W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KST3904LGEMTF | 0.0600 | ![]() | 236 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 5.323 | 40 V | 200 MA | - | NPN | 300mv @ 5 Ma, 50 Ma | 100 @ 10mA, 1V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sgw13n60ufdtm | 1.7100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | - | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sgw13 | Estándar | 60 W | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | 300V, 6.5a, 50ohm, 15V | 55 ns | - | 600 V | 13 A | 52 A | 2.6V @ 15V, 6.5a | 85 µJ (Encendido), 95 µJ (apaguado) | 25 NC | 20ns/70ns | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5950 | - | ![]() | 8947 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 30 V | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | - | Jfet | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | N-canal | 15 Ma | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF3N80 | 0.7800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 800 V | 1.8a (TC) | 10V | 5ohm @ 900 mA, 10v | 5V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 30V | 690 pf @ 25 V | - | 39W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSE13003TH2ATU | 0.4600 | ![]() | 900 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 20 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V | 1.5 A | - | NPN | 3V @ 500mA, 1.5a | 14 @ 500mA, 2V | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQU3N40TU | 0.5300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 70 | N-canal | 400 V | 2a (TC) | 10V | 3.4ohm @ 1a, 10v | 5V @ 250 µA | 7.5 NC @ 10 V | ± 30V | 230 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 30W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDS9953A | 0.5700 | ![]() | 282 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | NDS995 | Mosfet (Óxido de metal) | 900MW | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 2.9a | 130mohm @ 1a, 10v | 2.8V @ 250 µA | 25nc @ 10V | 350pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bf244c | 0.3400 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 450MHz | - | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | - | 25 Ma | - | - | 1.5db | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF9P25 | 1.1300 | ![]() | 590 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 360 | Canal P | 250 V | 7.1a (TC) | 10V | 620mohm @ 3.55a, 10V | 5V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 30V | 1180 pf @ 25 V | - | 70W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA709GTA | - | ![]() | 3660 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 800 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 150 V | 700 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 400mv @ 20 mm, 200 mA | 200 @ 50mA, 2v | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fjp3835tu | 0.1800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 50 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0075 | 1.767 | 120 V | 8 A | 100 µA (ICBO) | NPN | 500mv @ 300mA, 3A | 120 @ 3a, 4V | 30MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP2P25 | - | ![]() | 3576 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 750 | Canal P | 250 V | 2.3a (TC) | 10V | 4ohm @ 1.15a, 10V | 5V @ 250 µA | 8.5 NC @ 10 V | ± 30V | 250 pf @ 25 V | - | 52W (TC) |
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