SIC
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Transistores (3821)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Condición de PrueBa Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
FQI9N50CTU Fairchild Semiconductor Fqi9n50ctu 1.2500
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 500 V 9A (TC) 10V 800mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 30V 1030 pf @ 25 V - 135W (TC)
FQP630 Fairchild Semiconductor FQP630 0.3400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 200 V 9A (TC) 10V 400mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 25V 550 pf @ 25 V - 78W (TC)
FQPF34N20 Fairchild Semiconductor FQPF34N20 1.0000
RFQ
 ECAD 4376 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 200 V 17.5a (TC) 10V 75mohm @ 8.75a, 10v 5V @ 250 µA 78 NC @ 10 V ± 30V 3100 pf @ 25 V - 55W (TC)
FDS4070N7 Fairchild Semiconductor FDS4070N7 1.6200
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 15.3a (TA) 10V 7mohm @ 15.3a, 10v 5V @ 250 µA 67 NC @ 10 V ± 20V 2819 pf @ 20 V - 3W (TA)
IRF710 Fairchild Semiconductor IRF710 0.3700
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar Rohs no conforme EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 400 V 2a (TC) 3.6ohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250 µA 12 NC @ 10 V ± 20V 135 pf @ 25 V - 36W (TC)
HUF75631SK8T Fairchild Semiconductor HUF75631SK8T -
RFQ
 ECAD 6747 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 5.5a (TA) 10V 39mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250 µA 79 NC @ 20 V ± 20V 1225 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
KST64MTF Fairchild Semiconductor KST64MTF 0.0500
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP - Darlington 1.5V @ 100 µA, 100 mA 20000 @ 100MA, 5V 125MHz
FJX4004RTF Fairchild Semiconductor Fjx4004rtf 0.0500
RFQ
 ECAD 9275 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto Montaje en superficie SC-70, SOT-323 FJX400 200 MW SC-70-3 (SOT323) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 971 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5MA, 5V 200 MHz 47 kohms 47 kohms
PN4122 Fairchild Semiconductor PN4122 -
RFQ
 ECAD 5603 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 1,446 40 V 100 mA 25NA PNP 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 150 @ 1mA, 1V -
FGPF50N30TTU Fairchild Semiconductor Fgpf50n30ttu 1.3200
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Estándar 46.8 W Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 - Zanja 300 V 120 A 1.5V @ 15V, 15a - 97 NC -
BDW93 Fairchild Semiconductor BDW93 0.5200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 80 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1.200 45 V 12 A 1mera NPN - Darlington 3V @ 100 Ma, 10a 750 @ 5a, 3V -
PN5134 Fairchild Semiconductor PN5134 0.0500
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2,000 10 V 500 mA 400NA NPN 250 MV @ 1 Mapa, 10 Ma 20 @ 10mA, 1V -
2N3905BU Fairchild Semiconductor 2N3905BU -
RFQ
 ECAD 9899 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 1,000 40 V 200 MA - PNP 400mv @ 5 Ma, 50 Ma 50 @ 10mA, 1V -
FQPF14N15 Fairchild Semiconductor Fqpf14n15 0.5500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 150 V 9.8a (TC) 10V 210mohm @ 4.9a, 10v 4V @ 250 µA 23 NC @ 10 V ± 25V 715 pf @ 25 V - 48W (TC)
SFM9014TF Fairchild Semiconductor SFM9014TF 0.5300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-4 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal P 60 V 1.8a (TA) 10V 500mohm @ 900 mA, 10V 4V @ 250 µA 11 NC @ 10 V ± 30V 350 pf @ 25 V - 2.8W (TA)
2N5366 Fairchild Semiconductor 2N5366 0.0400
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2,000 40 V 500 mA 100na PNP 1v @ 30 mm, 300 mA 100 @ 50mA, 1V -
FJN965TA Fairchild Semiconductor Fjn965ta -
RFQ
 ECAD 6748 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 750 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 945 20 V 5 A 1 µA NPN 1v @ 100 mapa, 3a 230 @ 500 mA, 2V 150MHz
FDD6606 Fairchild Semiconductor FDD6606 0.7200
RFQ
 ECAD 214 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 75A (TA) 4.5V, 10V 6mohm @ 17a, 10v 3V @ 250 µA 31 NC @ 5 V ± 20V 2400 pf @ 15 V - 71W (TC)
NZT749 Fairchild Semiconductor NZT749 0.2400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA 1.2 W SOT-223-4 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0075 1.268 25 V 4 A 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 100 mapa, 1a 80 @ 1a, 2v 75MHz
BC556 Fairchild Semiconductor BC556 0.0400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 65 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 110 @ 2mA, 5V 150MHz
FQD2N60TF Fairchild Semiconductor Fqd2n60tf 0.5100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 600 V 2a (TC) 10V 4.7ohm @ 1a, 10v 5V @ 250 µA 11 NC @ 10 V ± 30V 350 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 45W (TC)
FQAF6N80 Fairchild Semiconductor Fqaf6n80 1.6000
RFQ
 ECAD 892 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO Mosfet (Óxido de metal) Un 3pf descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 360 N-canal 800 V 4.4a (TC) 10V 1.95ohm @ 2.2a, 10v 5V @ 250 µA 31 NC @ 10 V ± 30V 1500 pf @ 25 V - 90W (TC)
2N5086BU Fairchild Semiconductor 2N5086BU 0.0200
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 1,000 50 V 100 mA 50NA PNP 300mv @ 1 mapa, 10 ma 150 @ 100 µA, 5V 40MHz
IRL610A Fairchild Semiconductor IRL610A 0.1900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1.744 N-canal 200 V 3.3a (TC) 5V 1.5ohm @ 1.65a, 5V 2V @ 250 µA 9 NC @ 5 V ± 20V 240 pf @ 25 V - 33W (TC)
BC328 Fairchild Semiconductor BC328 0.0600
RFQ
 ECAD 1460 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1.083 25 V 800 Ma 100na PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
FDFS2P103 Fairchild Semiconductor FDFS2P103 0.4300
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2.500 Canal P 30 V 5.3a (TA) 4.5V, 10V 59mohm @ 5.3a, 10v 3V @ 250 µA 8 NC @ 5 V ± 25V 528 pf @ 15 V Diodo Schottky (Aislado) 900MW (TA)
FQD3N40TM Fairchild Semiconductor Fqd3n40tm 0.3200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 400 V 2a (TC) 10V 3.4ohm @ 1a, 10v 5V @ 250 µA 7.5 NC @ 10 V ± 30V 230 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 30W (TC)
2N3663 Fairchild Semiconductor 2N3663 1.0000
RFQ
 ECAD 3328 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 350MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 1.5db 12V 50mera NPN 20 @ 8 mm, 10v 2.1GHz 6.5dB @ 60MHz
FQB11N40TM Fairchild Semiconductor Fqb11n40tm 0.5200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 400 V 11.4a (TC) 10V 480mohm @ 5.7a, 10V 5V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 30V 1400 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 147W (TC)
SGS10N60RUFTU Fairchild Semiconductor Sgs10n60ruftu 0.5400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero SGS10N60 Estándar 55 W Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 300V, 10a, 20ohm, 15V - 600 V 16 A 30 A 2.8V @ 15V, 10a 141 µJ (Encendido), 215 µJ (apaguado) 30 NC 15ns/36ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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