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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Figura de Ruido (db typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HUF76419S3ST | 0.6700 | ![]() | 42 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 29a (TC) | 4.5V, 10V | 35mohm @ 29a, 10v | 3V @ 250 µA | 28 NC @ 10 V | ± 16V | 900 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDFS2P102A | 1.0800 | ![]() | 193 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | Canal P | 20 V | 3.3a (TA) | 4.5V, 10V | 125mohm @ 3.3a, 10V | 3V @ 250 µA | 3 NC @ 5 V | ± 20V | 182 pf @ 10 V | Diodo Schottky (Aislado) | 900MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDU8870 | 0.9800 | ![]() | 55 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.800 | N-canal | 30 V | 21a (TA), 160A (TC) | 4.5V, 10V | 3.9mohm @ 35a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 118 NC @ 10 V | ± 20V | 5160 pf @ 15 V | - | 160W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fmg1g50us60l | 36.8400 | ![]() | 46 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 7 pm-ga | 250 W | Estándar | 7 pm-ga | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Soltero | - | 600 V | 50 A | 2.8V @ 15V, 50A | 250 µA | No | 3.46 NF @ 30 V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDG6302P | 0.2300 | ![]() | 257 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | FDG6302 | Mosfet (Óxido de metal) | 300MW | SC-88 (SC-70-6) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 25V | 140 Ma | 10ohm @ 140mA, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 0.31NC @ 4.5V | 12pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdd20an06a0 | 1.0000 | ![]() | 3032 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 8A (TA), 45A (TC) | 10V | 20mohm @ 45a, 10V | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 950 pf @ 25 V | - | 90W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA28 | 0.0700 | ![]() | 9106 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | TO-92 (TO-226) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 1.198 | 80 V | 500 mA | 500NA | NPN - Darlington | 1.5V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100mA, 5V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75637P3 | 0.6000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 100 V | 44a (TC) | 10V | 30mohm @ 44a, 10V | 4V @ 250 µA | 108 NC @ 20 V | ± 20V | 1700 pf @ 25 V | - | 155W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB7030L | 5.3400 | ![]() | 65 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 80a (TA) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 40a, 10v | 3V @ 250 µA | 33 NC @ 5 V | ± 20V | 2440 pf @ 15 V | - | 68W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76419P3 | 0.2800 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 60 V | 29a (TC) | 4.5V, 10V | 35mohm @ 29a, 10v | 3V @ 250 µA | 28 NC @ 10 V | ± 16V | 900 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN200 | 0.0500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 6.217 | 45 V | 500 mA | 50NA | PNP | 400mv @ 20 mm, 200 mA | 100 @ 150mA, 1V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqb3n40tm | 0.3700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 400 V | 2.5A (TC) | 10V | 3.4ohm @ 1.25a, 10V | 5V @ 250 µA | 7.5 NC @ 10 V | ± 30V | 230 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 55W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPS6534 | 0.0400 | ![]() | 82 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 40 V | 800 Ma | 50NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 10 Ma, 100 Ma | 90 @ 100mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sgs5n150uftu | 3.1500 | ![]() | 1185 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Sgs5n | Estándar | 50 W | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 66 | 600V, 5a, 10ohm, 10V | - | 1500 V | 10 A | 20 A | 5.5V @ 10V, 5a | 190 µJ (Encendido), 100 µJ (apaguado) | 30 NC | 10ns/30ns | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksa733clta | 0.0200 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 250 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 50 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 10 Ma, 100 Ma | 350 @ 1 MMA, 6V | 180MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQA7N80 | 1.4200 | ![]() | 780 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3p | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 800 V | 7.2a (TC) | 10V | 1.5ohm @ 3.6a, 10v | 5V @ 250 µA | 52 NC @ 10 V | ± 30V | 1850 pf @ 25 V | - | 198W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksa539ybu | 0.0300 | ![]() | 8619 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 400 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 9,000 | 45 V | 200 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 15 mA, 150 mA | 120 @ 50mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS2506SDC | 1.8400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Dual Cool ™, Powertrench®, Syncfet ™ | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PQFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 39A (TA), 49A (TC) | 4.5V, 10V | 1.45mohm @ 30a, 10v | 3V @ 1MA | 93 NC @ 10 V | ± 20V | 5945 pf @ 13 V | - | 3.3W (TA), 89W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDS8434A | - | ![]() | 1167 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 20 V | 7.8a (TA) | 2.5V, 4.5V | 24mohm @ 7.9a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 55 NC @ 4.5 V | ± 8V | 1730 pf @ 10 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fjp5321tu | 0.4300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 100 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 500 V | 5 A | 100 µA (ICBO) | NPN | 1V @ 600 Ma, 3a | 15 @ 600mA, 5V | 14MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJY4013R | 0.0200 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | FJY401 | 200 MW | SOT-523F | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5MA, 5V | 200 MHz | 2.2 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksb601ytu | 0.5200 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 1.5 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 100 V | 5 A | 10 µA (ICBO) | PNP - Darlington | 1.5V @ 3MA, 3A | 5000 @ 3a, 2v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSH10 | 0.0900 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 350MW | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,000 | - | 25V | NPN | 60 @ 4MA, 10V | 650MHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
ECH8320-TL-H | 0.3900 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-28FL/ECH8 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 9.5a (TA) | 14.5mohm @ 5a, 4.5V | 1.3V @ 1MA | 25 NC @ 4.5 V | ± 10V | 2300 pf @ 10 V | - | 1.6w (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqb3n60ctm | 0.6100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 600 V | 3A (TC) | 10V | 3.4ohm @ 1.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 30V | 565 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc2688ystu | 0.1900 | ![]() | 156 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | 1.25 W | A-126-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0075 | 60 | 300 V | 200 MA | 100 µA (ICBO) | NPN | 1.5V @ 5 mm, 50 Ma | 100 @ 10mA, 10V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fjn3303ta | 0.0700 | ![]() | 5957 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 1.1 W | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 489 | 400 V | 1.5 A | 10 µA (ICBO) | NPN | 3V @ 500mA, 1.5a | 14 @ 500mA, 2V | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqd630tf | 0.3100 | ![]() | 207 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 200 V | 7a (TC) | 10V | 400mohm @ 3.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 25V | 550 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 46W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP5680 | 1.6500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Tubo | Obsoleto | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 40A (TC) | 6V, 10V | 20mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 46 NC @ 10 V | ± 20V | 1850 pf @ 25 V | - | 65W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF7N20L | 0.3100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 200 V | 5A (TC) | 5V, 10V | 750mohm @ 2.5a, 10v | 2V @ 250 µA | 9 NC @ 5 V | ± 20V | 500 pf @ 25 V | - | 37W (TC) |
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