SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
HUF76419S3ST Fairchild Semiconductor HUF76419S3ST 0.6700
RFQ
ECAD 42 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 29a (TC) 4.5V, 10V 35mohm @ 29a, 10v 3V @ 250 µA 28 NC @ 10 V ± 16V 900 pf @ 25 V - 75W (TC)
FDFS2P102A Fairchild Semiconductor FDFS2P102A 1.0800
RFQ
ECAD 193 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2.500 Canal P 20 V 3.3a (TA) 4.5V, 10V 125mohm @ 3.3a, 10V 3V @ 250 µA 3 NC @ 5 V ± 20V 182 pf @ 10 V Diodo Schottky (Aislado) 900MW (TA)
FDU8870 Fairchild Semiconductor FDU8870 0.9800
RFQ
ECAD 55 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1.800 N-canal 30 V 21a (TA), 160A (TC) 4.5V, 10V 3.9mohm @ 35a, 10V 2.5V @ 250 µA 118 NC @ 10 V ± 20V 5160 pf @ 15 V - 160W (TC)
FMG1G50US60L Fairchild Semiconductor Fmg1g50us60l 36.8400
RFQ
ECAD 46 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis 7 pm-ga 250 W Estándar 7 pm-ga descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 15 Soltero - 600 V 50 A 2.8V @ 15V, 50A 250 µA No 3.46 NF @ 30 V
FDG6302P Fairchild Semiconductor FDG6302P 0.2300
RFQ
ECAD 257 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 FDG6302 Mosfet (Óxido de metal) 300MW SC-88 (SC-70-6) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 25V 140 Ma 10ohm @ 140mA, 4.5V 1.5V @ 250 µA 0.31NC @ 4.5V 12pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
FDD20AN06A0 Fairchild Semiconductor Fdd20an06a0 1.0000
RFQ
ECAD 3032 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 8A (TA), 45A (TC) 10V 20mohm @ 45a, 10V 4V @ 250 µA 19 NC @ 10 V ± 20V 950 pf @ 25 V - 90W (TC)
MPSA28 Fairchild Semiconductor MPSA28 0.0700
RFQ
ECAD 9106 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW TO-92 (TO-226) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 1.198 80 V 500 mA 500NA NPN - Darlington 1.5V @ 100 µA, 100 mA 10000 @ 100mA, 5V 200MHz
HUFA75637P3 Fairchild Semiconductor HUFA75637P3 0.6000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 100 V 44a (TC) 10V 30mohm @ 44a, 10V 4V @ 250 µA 108 NC @ 20 V ± 20V 1700 pf @ 25 V - 155W (TC)
FDB7030L Fairchild Semiconductor FDB7030L 5.3400
RFQ
ECAD 65 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 30 V 80a (TA) 4.5V, 10V 7mohm @ 40a, 10v 3V @ 250 µA 33 NC @ 5 V ± 20V 2440 pf @ 15 V - 68W (TC)
HUFA76419P3 Fairchild Semiconductor HUFA76419P3 0.2800
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 60 V 29a (TC) 4.5V, 10V 35mohm @ 29a, 10v 3V @ 250 µA 28 NC @ 10 V ± 16V 900 pf @ 25 V - 75W (TC)
PN200 Fairchild Semiconductor PN200 0.0500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 6.217 45 V 500 mA 50NA PNP 400mv @ 20 mm, 200 mA 100 @ 150mA, 1V 250MHz
FQB3N40TM Fairchild Semiconductor Fqb3n40tm 0.3700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 400 V 2.5A (TC) 10V 3.4ohm @ 1.25a, 10V 5V @ 250 µA 7.5 NC @ 10 V ± 30V 230 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 55W (TC)
MPS6534 Fairchild Semiconductor MPS6534 0.0400
RFQ
ECAD 82 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2,000 40 V 800 Ma 50NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 90 @ 100mA, 1V -
SGS5N150UFTU Fairchild Semiconductor Sgs5n150uftu 3.1500
RFQ
ECAD 1185 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Sgs5n Estándar 50 W Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 66 600V, 5a, 10ohm, 10V - 1500 V 10 A 20 A 5.5V @ 10V, 5a 190 µJ (Encendido), 100 µJ (apaguado) 30 NC 10ns/30ns
KSA733CLTA Fairchild Semiconductor Ksa733clta 0.0200
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 250 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 350 @ 1 MMA, 6V 180MHz
FQA7N80 Fairchild Semiconductor FQA7N80 1.4200
RFQ
ECAD 780 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 800 V 7.2a (TC) 10V 1.5ohm @ 3.6a, 10v 5V @ 250 µA 52 NC @ 10 V ± 30V 1850 pf @ 25 V - 198W (TC)
KSA539YBU Fairchild Semiconductor Ksa539ybu 0.0300
RFQ
ECAD 8619 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 400 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 9,000 45 V 200 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 15 mA, 150 mA 120 @ 50mA, 1V -
FDMS2506SDC Fairchild Semiconductor FDMS2506SDC 1.8400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild Dual Cool ™, Powertrench®, Syncfet ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 25 V 39A (TA), 49A (TC) 4.5V, 10V 1.45mohm @ 30a, 10v 3V @ 1MA 93 NC @ 10 V ± 20V 5945 pf @ 13 V - 3.3W (TA), 89W (TC)
NDS8434A Fairchild Semiconductor NDS8434A -
RFQ
ECAD 1167 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 20 V 7.8a (TA) 2.5V, 4.5V 24mohm @ 7.9a, 4.5V 1V @ 250 µA 55 NC @ 4.5 V ± 8V 1730 pf @ 10 V - 2.5W (TA)
FJP5321TU Fairchild Semiconductor Fjp5321tu 0.4300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 100 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 500 V 5 A 100 µA (ICBO) NPN 1V @ 600 Ma, 3a 15 @ 600mA, 5V 14MHz
FJY4013R Fairchild Semiconductor FJY4013R 0.0200
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto Montaje en superficie SC-89, SOT-490 FJY401 200 MW SOT-523F descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5MA, 5V 200 MHz 2.2 kohms 47 kohms
KSB601YTU Fairchild Semiconductor Ksb601ytu 0.5200
RFQ
ECAD 26 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 1.5 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 100 V 5 A 10 µA (ICBO) PNP - Darlington 1.5V @ 3MA, 3A 5000 @ 3a, 2v -
MPSH10 Fairchild Semiconductor MPSH10 0.0900
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 350MW descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 5,000 - 25V NPN 60 @ 4MA, 10V 650MHz -
ECH8320-TL-H Fairchild Semiconductor ECH8320-TL-H 0.3900
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano Mosfet (Óxido de metal) SOT-28FL/ECH8 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 9.5a (TA) 14.5mohm @ 5a, 4.5V 1.3V @ 1MA 25 NC @ 4.5 V ± 10V 2300 pf @ 10 V - 1.6w (TA)
FQB3N60CTM Fairchild Semiconductor Fqb3n60ctm 0.6100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 600 V 3A (TC) 10V 3.4ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250 µA 14 NC @ 10 V ± 30V 565 pf @ 25 V - 75W (TC)
KSC2688YSTU Fairchild Semiconductor Ksc2688ystu 0.1900
RFQ
ECAD 156 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 1.25 W A-126-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0075 60 300 V 200 MA 100 µA (ICBO) NPN 1.5V @ 5 mm, 50 Ma 100 @ 10mA, 10V 80MHz
FJN3303TA Fairchild Semiconductor Fjn3303ta 0.0700
RFQ
ECAD 5957 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 1.1 W Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 489 400 V 1.5 A 10 µA (ICBO) NPN 3V @ 500mA, 1.5a 14 @ 500mA, 2V 4MHz
FQD630TF Fairchild Semiconductor Fqd630tf 0.3100
RFQ
ECAD 207 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 200 V 7a (TC) 10V 400mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 25V 550 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 46W (TC)
FDP5680 Fairchild Semiconductor FDP5680 1.6500
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 40A (TC) 6V, 10V 20mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 46 NC @ 10 V ± 20V 1850 pf @ 25 V - 65W (TC)
FQPF7N20L Fairchild Semiconductor FQPF7N20L 0.3100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 200 V 5A (TC) 5V, 10V 750mohm @ 2.5a, 10v 2V @ 250 µA 9 NC @ 5 V ± 20V 500 pf @ 25 V - 37W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock