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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HUFA75623S3ST | 0.5100 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 592 | N-canal | 100 V | 22a (TC) | 10V | 64mohm @ 22a, 10v | 4V @ 250 µA | 52 NC @ 20 V | ± 20V | 790 pf @ 25 V | - | 85W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | MJD350 | 1.0000 | ![]() | 5452 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | - | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 15 W | Dpak | descascar | Rohs no conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | 300 V | 500 mA | 100 µA | PNP | - | 30 @ 50mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | FDMS8662 | - | ![]() | 5208 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PQFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 190 | N-canal | 30 V | 28a (TA), 49A (TC) | 4.5V, 10V | 2mohm @ 28a, 10v | 3V @ 250 µA | 100 NC @ 10 V | ± 20V | 6420 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 83W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | Ksc5039ftu | 0.6000 | ![]() | 951 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | 30 W | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V | 5 A | 10 µA (ICBO) | NPN | 1.5V @ 500 Ma, 2.5a | 10 @ 300mA, 5V | 10MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | FQPF2NA90 | - | ![]() | 4799 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 364 | N-canal | 900 V | 1.7a (TC) | 10V | 5.8ohm @ 850mA, 10V | 5V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 30V | 680 pf @ 25 V | - | 39W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | FQPF5N60 | - | ![]() | 9157 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 2.8a (TC) | 10V | 2ohm @ 1.4a, 10v | 5V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 30V | 730 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | FQPF16N25 | 0.8500 | ![]() | 79 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 250 V | 9.5A (TC) | 10V | 230mohm @ 4.75a, 10V | 5V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 30V | 1200 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | FDN372S | 0.1500 | ![]() | 111 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 2.6a (TA) | 4.5V, 10V | 40mohm @ 2.6a, 10V | 3V @ 1MA | 8.1 NC @ 5 V | ± 16V | 630 pf @ 15 V | - | 500MW (TA) | |||||||||||||||||
![]() | Fqpf18n20v2ydtu | 1.0800 | ![]() | 101 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 Paqueto completo, Pechos Formados | Mosfet (Óxido de metal) | TO20F-3 (Formación y) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 18a (TC) | 10V | 140mohm @ 9a, 10v | 5V @ 250 µA | 26 NC @ 10 V | ± 30V | 1080 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | FQPF2P25 | 0.3700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 250 V | 1.8a (TC) | 10V | 4ohm @ 900 mA, 10V | 5V @ 250 µA | 8.5 NC @ 10 V | ± 30V | 250 pf @ 25 V | - | 32W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | FQB9N50CFTM | 1.0400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | FRFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 500 V | 9A (TC) | 10V | 850mohm @ 4.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 30V | 1030 pf @ 25 V | - | 173W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | Fqe10n20ctu | 0.2600 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | Mosfet (Óxido de metal) | A-126-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.920 | N-canal | 200 V | 4A (TC) | 10V | 360mohm @ 2a, 10v | 4V @ 250 µA | 26 NC @ 10 V | ± 30V | 510 pf @ 25 V | - | 12.8W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | TIP31 | 0.3300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 2 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.200 | 40 V | 3 A | 300 µA | NPN | 1.2V @ 375MA, 3A | 10 @ 3a, 4v | 3MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | Fqu2n50btu | 0.4100 | ![]() | 60 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.040 | N-canal | 500 V | 1.6a (TC) | 10V | 5.3ohm @ 800 mA, 10V | 3.7V @ 250 µA | 8 NC @ 10 V | ± 30V | 230 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 30W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | TIP116 | 0.2000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 50 W | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.200 | 80 V | 2 A | 2mera | PNP - Darlington | 2.5V @ 8MA, 2A | 1000 @ 1a, 4V | 25MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | KSD401G | 1.0000 | ![]() | 9388 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 25 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.200 | 150 V | 2 A | 50 µA (ICBO) | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 200 @ 400mA, 10V | 5MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | Ksa709yta | 0.0600 | ![]() | 395 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 800 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 150 V | 700 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 400mv @ 20 mm, 200 mA | 120 @ 50mA, 2V | 50MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | FQP3N90 | 0.5900 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 900 V | 3.6a (TC) | 10V | 4.25ohm @ 1.8a, 10V | 5V @ 250 µA | 26 NC @ 10 V | ± 30V | 910 pf @ 25 V | - | 130W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | HUF75344S3ST | 0.6700 | ![]() | 41 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 55 V | 75A (TC) | 10V | 8mohm @ 75a, 10v | 4V @ 250 µA | 210 NC @ 20 V | ± 20V | 3200 pf @ 25 V | - | 285W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | NZT6728 | 0.1000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Un 261-3 | 1 W | SOT-223-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 60 V | 1.2 A | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 10 Ma, 250 Ma | 50 @ 250 Ma, 1V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | Ksa642gbu | 0.0200 | ![]() | 6342 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 400 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.726 | 25 V | 300 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 200 @ 50mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | FDD6796 | 0.6100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 V | 20A (TA), 40A (TC) | 4.5V, 10V | 5.7mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 2315 pf @ 13 V | - | 3.7W (TA), 42W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | Fqi11n40tu | 0.9600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 V | 11.4a (TC) | 10V | 480mohm @ 5.7a, 10V | 5V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 30V | 1400 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 147W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | FDP5N50 | 0.5300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Unifet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 5A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 2.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 30V | 640 pf @ 25 V | - | 85W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | Ksc945cybu | 0.0300 | ![]() | 5266 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 250 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 9,723 | 50 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 10 Ma, 100 Ma | 120 @ 1 MMA, 6V | 300MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | FQPF13N06 | 0.3100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 9.4a (TC) | 10V | 135mohm @ 4.7a, 10V | 4V @ 250 µA | 7.5 NC @ 10 V | ± 25V | 310 pf @ 25 V | - | 24W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | Fqi3n30tu | 0.5000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak (TO-262) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 300 V | 3.2a (TC) | 10V | 2.2ohm @ 1.6a, 10V | 5V @ 250 µA | 7 NC @ 10 V | ± 30V | 230 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 55W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | FDP7030L | 2.1300 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Tubo | Obsoleto | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 30 V | 80a (TA) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 40a, 10v | 3V @ 250 µA | 33 NC @ 5 V | ± 20V | 2440 pf @ 15 V | - | 68W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | KSP8099TF | 0.0200 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 15,000 | 80 V | 500 mA | 100na | NPN | 300mv @ 10 Ma, 100 Ma | 100 @ 1 mapa, 5v | 150MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | SGR15N40LTF | - | ![]() | 2207 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SGR15 | Estándar | 45 W | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | - | Zanja | 400 V | 130 A | 8V @ 4.5V, 130a | - | - |
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