Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Fqd30n06tf | - | ![]() | 2403 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 21 | N-canal | 60 V | 22.7a (TC) | 10V | 45mohm @ 11.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 25V | 945 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 44W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | MMBT2907-D87Z | 0.0300 | ![]() | 494 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23-3 | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 40 V | 800 Ma | 20NA (ICBO) | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | FJY4009R | 0.0200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | FJY400 | 200 MW | SOT-523F | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 14,999 | 40 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 1 mapa, 10 ma | 100 @ 1 mapa, 5v | 200 MHz | 4.7 kohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | SS9013HBU | 0.0200 | ![]() | 885 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 20 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 50 mA, 500 mA | 144 @ 50mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | Fjx4009rtf | 0.0500 | ![]() | 44 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | FJX400 | 200 MW | SC-70-3 (SOT323) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 1 mapa, 10 ma | 100 @ 1 mapa, 5v | 200 MHz | 4.7 kohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | Mmbt4401k | 0.0800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 V | 600 mA | - | NPN | 750mv @ 50 mm, 500 mA | 100 @ 150mA, 1V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | NDS8426A | 0.4100 | ![]() | 296 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 20 V | 10.5a (TA) | 2.7V, 4.5V | 13.5mohm @ 10.5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 60 NC @ 4.5 V | ± 8V | 2150 pf @ 10 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||
![]() | HUFA75545P3 | 0.8700 | ![]() | 345 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 345 | N-canal | 80 V | 75A (TC) | 10V | 10mohm @ 75a, 10v | 4V @ 250 µA | 235 NC @ 20 V | ± 20V | 3750 pf @ 25 V | - | 270W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | Hgtg11n120cn | 2.0400 | ![]() | 971 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | 298 W | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 150 | 960V, 11a, 10ohm, 15V | Escrutinio | 1200 V | 43 A | 80 A | 2.4V @ 15V, 11a | 400 µJ (Encendido), 1.3MJ (apaguado) | 100 NC | 23ns/180ns | ||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76639S3S | 0.6700 | ![]() | 9021 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 353 | N-canal | 100 V | 51a (TC) | 4.5V, 10V | 26mohm @ 51a, 10v | 3V @ 250 µA | 86 NC @ 10 V | ± 16V | 2400 pf @ 25 V | - | 180W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | TIP31B | 0.1500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | TIP31 | 2 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 V | 3 A | 300 µA | NPN | 1.2V @ 375MA, 3A | 10 @ 3a, 4v | 3MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | Ksb1116ybu | 1.0000 | ![]() | 6782 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 750 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 50 V | 1 A | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 50 mm, 1a | 135 @ 100 mapa, 2v | 120MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | Ksb744aystu | 0.1600 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | 1 W | A-126-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0075 | 60 | 60 V | 3 A | 1 µA (ICBO) | PNP | 2V @ 150MA, 1.5a | 160 @ 500 Ma, 5V | 45MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | HGTP7N60C3D | 1.0000 | ![]() | 6918 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Estándar | 60 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | 480V, 7a, 50ohm, 15V | - | 600 V | 14 A | 56 A | 2V @ 15V, 7a | 165 µJ (Encendido), 600 µJ (apaguado) | 23 NC | - | ||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75344S3ST | 0.9500 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 55 V | 75A (TC) | 10V | 8mohm @ 75a, 10v | 4V @ 250 µA | 210 NC @ 20 V | ± 20V | 3200 pf @ 25 V | - | 285W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | 2n6518ta | 0.0500 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 250 V | 500 mA | 50NA (ICBO) | PNP | 1V @ 5 mm, 50 Ma | 45 @ 50 mm, 10v | 200MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | Ksb564acybu | 0.0200 | ![]() | 92 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 800 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 25 V | 1 A | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 100 mm, 1a | 120 @ 100mA, 1V | 110MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | KSA1406CSTU | - | ![]() | 1151 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | 1.2 W | A-126-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0075 | 1.920 | 200 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 800mv @ 3 mm, 30 mA | 40 @ 10mA, 10V | 400MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc945cybu | 0.0300 | ![]() | 5266 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 250 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 9,723 | 50 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 10 Ma, 100 Ma | 120 @ 1 MMA, 6V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | FDD6796 | 0.6100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 V | 20A (TA), 40A (TC) | 4.5V, 10V | 5.7mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 2315 pf @ 13 V | - | 3.7W (TA), 42W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | Fqi11n40tu | 0.9600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 V | 11.4a (TC) | 10V | 480mohm @ 5.7a, 10V | 5V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 30V | 1400 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 147W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | FDP5N50 | 0.5300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Unifet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 5A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 2.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 30V | 640 pf @ 25 V | - | 85W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | FDD6778A | 0.4100 | ![]() | 128 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 V | 12a (TA), 10a (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 10a, 10v | 3V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 870 pf @ 13 V | - | 3.7W (TA), 24W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | FQPF13N06 | 0.3100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 9.4a (TC) | 10V | 135mohm @ 4.7a, 10V | 4V @ 250 µA | 7.5 NC @ 10 V | ± 25V | 310 pf @ 25 V | - | 24W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | Fqi3n30tu | 0.5000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak (TO-262) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 300 V | 3.2a (TC) | 10V | 2.2ohm @ 1.6a, 10V | 5V @ 250 µA | 7 NC @ 10 V | ± 30V | 230 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 55W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | FDP7030L | 2.1300 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Tubo | Obsoleto | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 30 V | 80a (TA) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 40a, 10v | 3V @ 250 µA | 33 NC @ 5 V | ± 20V | 2440 pf @ 15 V | - | 68W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | KSP8099TF | 0.0200 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 15,000 | 80 V | 500 mA | 100na | NPN | 300mv @ 10 Ma, 100 Ma | 100 @ 1 mapa, 5v | 150MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | Fgpf45n45ttu | 1.0700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Estándar | 51.6 W | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | - | Zanja | 450 V | 180 A | 1.5V @ 15V, 20a | - | 100 NC | - | |||||||||||||||||||||
![]() | BC549B | 0.0400 | ![]() | 41 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | FDU6612A | 0.3400 | ![]() | 44 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.800 | N-canal | 30 V | 9.5A (TA), 30A (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 9.5a, 10v | 3V @ 250 µA | 9.4 NC @ 5 V | ± 20V | 660 pf @ 15 V | - | 2.8W (TA), 36W (TC) |
Volumen de RFQ promedio diario
Unidad de producto estándar
Fabricantes mundiales
Almacén en stock