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Transistores (3821)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
KSC2223OMTF Fairchild Semiconductor Ksc2223omtf 0.0200
RFQ
 ECAD 9984 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 150 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1,101 20 V 20 Ma 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 1 mapa, 10 ma 60 @ 1 MMA, 6V 600MHz
FDU6030BL Fairchild Semiconductor FDU6030BL 0.5900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1.800 N-canal 30 V 10a (TA), 42a (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 10a, 10v 3V @ 250 µA 31 NC @ 10 V ± 20V 1143 pf @ 15 V - 3.8W (TA), 50W (TC)
KSC2785YBU Fairchild Semiconductor Ksc2785ybu 0.0200
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 Cuerpo Corto 250 MW Un Los 92 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1,000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 120 @ 1 MMA, 6V 300MHz
FQPF46N15 Fairchild Semiconductor Fqpf46n15 1.2400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 150 V 25.6a (TC) 10V 42mohm @ 12.8a, 10V 4V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 25V 3250 pf @ 25 V - 66W (TC)
FJC2383OTF Fairchild Semiconductor FJC2383OTF 0.0700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 500 MW SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 4.000 160 V 1 A 1 µA (ICBO) NPN 1.5V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 200Ma, 5V 100MHz
FJN4303RBU Fairchild Semiconductor Fjn4303rbu 0.0200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) FJN430 300 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 56 @ 5MA, 5V 200 MHz 22 kohms 22 kohms
HUF75321D3S Fairchild Semiconductor HUF75321D3S 0.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1.800 N-canal 55 V 20A (TC) 10V 36mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 44 NC @ 20 V ± 20V 680 pf @ 25 V - 93W (TC)
FDJ129P Fairchild Semiconductor FDJ129P 0.4600
RFQ
 ECAD 243 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-75-6 FLMP Mosfet (Óxido de metal) SC75-6 FLMP descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 4.2a (TA) 2.5V, 4.5V 70mohm @ 4.2a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 6 NC @ 4.5 V ± 12V 780 pf @ 10 V - 1.6w (TA)
FDZ293P Fairchild Semiconductor FDZ293P 0.2400
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 9-vfbga Mosfet (Óxido de metal) 9-BGA (1.5x1.6) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 4.6a (TA) 2.5V, 4.5V 46mohm @ 4.6a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 11 NC @ 4.5 V ± 12V 754 pf @ 10 V - 1.7w (TA)
FDD6606 Fairchild Semiconductor FDD6606 0.7200
RFQ
 ECAD 214 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 75A (TA) 4.5V, 10V 6mohm @ 17a, 10v 3V @ 250 µA 31 NC @ 5 V ± 20V 2400 pf @ 15 V - 71W (TC)
NZT749 Fairchild Semiconductor NZT749 0.2400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA 1.2 W SOT-223-4 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0075 1.268 25 V 4 A 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 100 mapa, 1a 80 @ 1a, 2v 75MHz
BC556 Fairchild Semiconductor BC556 0.0400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 65 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 110 @ 2mA, 5V 150MHz
FQPF17P06 Fairchild Semiconductor Fqpf17p06 0.5500
RFQ
 ECAD 64 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 60 V 12a (TC) 10V 120mohm @ 6a, 10v 4V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 25V 900 pf @ 25 V - 39W (TC)
FDMS8674 Fairchild Semiconductor FDMS8674 0.5300
RFQ
 ECAD 147 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 17a (TA), 21a (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 17a, 10v 3V @ 250 µA 37 NC @ 10 V ± 20V 2320 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 78W (TC)
FQPF3N50C Fairchild Semiconductor FQPF3N50C 0.7000
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 3A (TC) 10V 2.5ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250 µA 13 NC @ 10 V ± 30V 365 pf @ 25 V - 25W (TC)
FDPF7N50U Fairchild Semiconductor FDPF7N50U 0.8700
RFQ
 ECAD 335 0.00000000 Semiconductor de fairchild Unifet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 5A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.5a, 10V 5V @ 250 µA 16.6 NC @ 10 V ± 30V 940 pf @ 25 V - 39W (TC)
2N5551YBU Fairchild Semiconductor 2N5551YBU 1.0000
RFQ
 ECAD 9131 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 10,000 160 V 600 mA - NPN 200 MV a 5 mm, 50 Ma 180 @ 10mA, 5V 100MHz
KSA733CGTA Fairchild Semiconductor KSA733CGTA 0.0200
RFQ
 ECAD 67 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 250 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 200 @ 1 MMA, 6V 180MHz
KSD526OTU Fairchild Semiconductor Ksd526otu 1.0000
RFQ
 ECAD 1311 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 30 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 80 V 4 A 30 µA (ICBO) NPN 1.5V @ 300mA, 3A 70 @ 500mA, 5V 8MHz
FQA6N90 Fairchild Semiconductor Fqa6n90 1.0000
RFQ
 ECAD 2704 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 450 N-canal 900 V 6.4a (TC) 10V 1.9ohm @ 3.2a, 10v 5V @ 250 µA 52 NC @ 10 V ± 30V 1880 pf @ 25 V - 198W (TC)
FDC699P Fairchild Semiconductor FDC699P 0.5500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6 SSOT Plano, SuperSot ™ -6 FLMP Mosfet (Óxido de metal) Supersot ™ -6 flmp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 7a (TA) 2.5V, 4.5V 22mohm @ 7a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 38 NC @ 5 V ± 12V 2640 pf @ 10 V - 2W (TA)
FDA16N50 Fairchild Semiconductor FDA16N50 1.6000
RFQ
 ECAD 384 0.00000000 Semiconductor de fairchild Unifet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pn descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 500 V 16.5a (TC) 10V 380mohm @ 8.3a, 10v 5V @ 250 µA 45 NC @ 10 V ± 30V 1945 pf @ 25 V - 205W (TC)
FQI9N50CTU Fairchild Semiconductor Fqi9n50ctu 1.2500
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 500 V 9A (TC) 10V 800mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 30V 1030 pf @ 25 V - 135W (TC)
FQP630 Fairchild Semiconductor FQP630 0.3400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 200 V 9A (TC) 10V 400mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 25V 550 pf @ 25 V - 78W (TC)
FQPF34N20 Fairchild Semiconductor FQPF34N20 1.0000
RFQ
 ECAD 4376 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 200 V 17.5a (TC) 10V 75mohm @ 8.75a, 10v 5V @ 250 µA 78 NC @ 10 V ± 30V 3100 pf @ 25 V - 55W (TC)
FDS4070N7 Fairchild Semiconductor FDS4070N7 1.6200
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 15.3a (TA) 10V 7mohm @ 15.3a, 10v 5V @ 250 µA 67 NC @ 10 V ± 20V 2819 pf @ 20 V - 3W (TA)
HUF76629D3S Fairchild Semiconductor HUF76629D3S 0.7000
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1.800 N-canal 100 V 20A (TC) 52mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 46 NC @ 10 V ± 16V 1285 pf @ 25 V - 110W (TC)
PN4917 Fairchild Semiconductor PN4917 0.0400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2,000 30 V 200 MA 25NA PNP 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 150 @ 10mA, 1V -
FJN965TA Fairchild Semiconductor Fjn965ta -
RFQ
 ECAD 6748 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 750 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 945 20 V 5 A 1 µA NPN 1v @ 100 mapa, 3a 230 @ 500 mA, 2V 150MHz
HUF75631SK8T Fairchild Semiconductor HUF75631SK8T -
RFQ
 ECAD 6747 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 5.5a (TA) 10V 39mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250 µA 79 NC @ 20 V ± 20V 1225 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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