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Transistores (3821)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
SSD2007ATF Fairchild Semiconductor SSD2007ATF 0.5300
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) SSD2007 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-Soico descascar Rohs no conforme EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 50V 2a 300mohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250 µA 15NC @ 10V - Puerta de Nivel Lógico
SGU15N40LTU Fairchild Semiconductor SGU15N40LTU 0.8000
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA SGU15 Estándar 45 W I-pak descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 70 - Zanja 400 V 130 A 8V @ 4.5V, 130a - -
SGW23N60UFDTM Fairchild Semiconductor Sgw23n60ufdtm 0.8300
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Sgw23 Estándar 100 W D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 300V, 12a, 23ohm, 15V 60 ns - 600 V 23 a 92 A 2.6V @ 15V, 12A 115 µJ (Encendido), 135 µJ (apaguado) 49 NC 17ns/60ns
SS9015ABU Fairchild Semiconductor Ss9015abu 0.0200
RFQ
 ECAD 3817 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 450 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 2156-SS9015ABU-FS EAR99 8541.21.0075 1,000 45 V 100 mA 50NA (ICBO) PNP 700mv @ 5 ma, 100 ma 60 @ 1 MMA, 5V 190MHz
FQPF13N10 Fairchild Semiconductor FQPF13N10 0.6100
RFQ
 ECAD 146 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 8.7a (TC) 10V 180mohm @ 4.35a, 10V 4V @ 250 µA 16 NC @ 10 V ± 25V 450 pf @ 25 V - 30W (TC)
FGPF120N30TU Fairchild Semiconductor FGPF120N30TU 4.2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Estándar 60 W Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 - - 300 V 120 A 180 A 1.4V @ 15V, 25A - 112 NC -
KSA1242YTU Fairchild Semiconductor Ksa1242ytu 0.1800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA 10 W I-pak descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0075 5.040 20 V 5 A 100 µA (ICBO) PNP 1v @ 100 mapa, 4a 160 @ 500 mA, 2V 180MHz
FDW2503N Fairchild Semiconductor FDW2503N 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) FDW25 Mosfet (Óxido de metal) 600MW 8-TSOP descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 20V 5.5a 21mohm @ 5.5a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 17NC @ 4.5V 1082pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
FQB17P10TM Fairchild Semiconductor Fqb17p10tm 1.0100
RFQ
 ECAD 5526 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 281 Canal P 100 V 16.5a (TC) 10V 190mohm @ 8.25a, 10v 4V @ 250 µA 39 NC @ 10 V ± 30V 1100 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 100W (TC)
PN2222TFR Fairchild Semiconductor PN2222TFR -
RFQ
 ECAD 6552 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 10,000 30 V 600 mA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V 300MHz
PN2222ANLBU Fairchild Semiconductor Pn2222anlbu 1.0000
RFQ
 ECAD 3032 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 - ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 10,000 40 V 1 A 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V 300MHz
SGP15N60RUFTU Fairchild Semiconductor Sgp15n60ruftu 3.0300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Sgp15n Estándar 160 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 300V, 15a, 13ohm, 15V - 600 V 24 A 45 A 2.8V @ 15V, 15a 320 µJ (Encendido), 356 µJ (apagado) 42 NC 17ns/44ns
PN3563 Fairchild Semiconductor PN3563 0.0400
RFQ
 ECAD 65 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 350MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 14db ~ 26db 15V 50mera NPN 20 @ 8 mm, 10v 1.5 GHz -
TN6714A Fairchild Semiconductor TN6714A 0.2400
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 1 W Un 226-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 1.500 30 V 2 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100 mm, 1a 50 @ 1a, 1v -
KSD1616ALBU Fairchild Semiconductor Ksd1616albu 0.0700
RFQ
 ECAD 490 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 750 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 10,000 60 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 50 mm, 1a 300 @ 100 mapa, 2v 160MHz
ZTX749A Fairchild Semiconductor ZTX749A 0.1400
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 1 W Un 226 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0075 1.500 35 V 2 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 200MA, 2a 100 @ 1a, 2v 100MHz
FDS7060N7 Fairchild Semiconductor FDS7060N7 1.6000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 188 N-canal 30 V 19a (TA) 4.5V, 10V 5mohm @ 19a, 10v 3V @ 250 µA 56 NC @ 5 V ± 20V 3274 pf @ 15 V - 3W (TA)
FDMS0308CS Fairchild Semiconductor FDMS0308CS 1.5000
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 22a (TA) 3mohm @ 21a, 10v 3V @ 1MA 66 NC @ 10 V 4225 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 65W (TC)
FQB2P25TM Fairchild Semiconductor Fqb2p25tm -
RFQ
 ECAD 8715 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 Canal P 250 V 2.3a (TC) 10V 4ohm @ 1.15a, 10V 5V @ 250 µA 8.5 NC @ 10 V ± 30V 250 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 52W (TC)
FJNS3202RTA Fairchild Semiconductor Fjns3202rta -
RFQ
 ECAD 5508 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 Cuerpo Corto FJNS32 300 MW Un Los 92 - ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5MA, 5V 250 MHz 10 kohms 10 kohms
FQAF8N80 Fairchild Semiconductor FQAF8N80 1.6700
RFQ
 ECAD 557 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO Mosfet (Óxido de metal) Un 3pf descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 360 N-canal 800 V 5.9a (TC) 10V 1.2ohm @ 2.95a, 10V 5V @ 250 µA 57 NC @ 10 V ± 30V 2350 pf @ 25 V - 107W (TC)
FJAF6810AYDTBTU Fairchild Semiconductor Fjaf6810aydtbtu 0.5100
RFQ
 ECAD 4819 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO 60 W Un 3pf - ROHS3 Cumplante 2156-FJAF6810AYDTBTU-FS EAR99 8541.29.0095 30 750 V 10 A 1mera NPN 3V @ 1.5a, 6a 5 @ 6a, 5v -
HGT1N30N60A4D Fairchild Semiconductor HGT1N30N60A4D 18.2300
RFQ
 ECAD 844 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita 255 W Estándar Sot-227b descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 60 Soltero - 600 V 96 A 2.7V @ 15V, 30a 250 µA No
FGA15N120FTDTU Fairchild Semiconductor Fga15n120ftdtu -
RFQ
 ECAD 3612 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FGA15N120 Estándar 220 W Un 3p descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 30 - 575 ns Parada de Campo de Trinchera 1200 V 30 A 45 A 2V @ 15V, 15a - 100 NC -
FDI33N25TU Fairchild Semiconductor FDI33N25TU 1.0000
RFQ
 ECAD 7880 0.00000000 Semiconductor de fairchild Unifet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 250 V 33A (TC) 10V 94mohm @ 16.5a, 10V 5V @ 250 µA 48 NC @ 10 V ± 30V 2135 pf @ 25 V - 235W (TC)
FDS7064N7 Fairchild Semiconductor FDS7064N7 1.0000
RFQ
 ECAD 8665 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 16.5a (TA) 4.5V 7mohm @ 16.5a, 4.5V 2V @ 250 µA 48 NC @ 4.5 V ± 12V 3355 pf @ 15 V - 3W (TA)
FQPF3N80CYDTU Fairchild Semiconductor Fqpf3n80cydtu 0.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 Paqueto completo, Pechos Formados Mosfet (Óxido de metal) TO20F-3 (Formación y) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 3A (TC) 10V 4.8ohm @ 1.5a, 10V 5V @ 250 µA 16.5 NC @ 10 V ± 30V 705 pf @ 25 V - 39W (TC)
NDC632P Fairchild Semiconductor NDC632P 1.0000
RFQ
 ECAD 2348 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 Mosfet (Óxido de metal) Supersot ™ -6 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 2.7a (TA) 2.7V, 4.5V 140mohm @ 2.7a, 4.5V 1V @ 250 µA 15 NC @ 4.5 V -8v 550 pf @ 10 V - 1.6w (TA)
2N4400TF Fairchild Semiconductor 2N4400TF 0.0200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2,000 40 V 600 mA - NPN 750mv @ 50 mm, 500 mA 50 @ 150mA, 1V -
HUFA75309P3 Fairchild Semiconductor HUFA75309P3 0.2500
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 55 V 19a (TC) 10V 70mohm @ 19a, 10v 4V @ 250 µA 24 NC @ 20 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 55W (TC)
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

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