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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Real - Corte de Coleción (Max) | Resistencia - RDS (ON) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Drenaje real (ID) - Max |
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![]() | FGH30N6S2 | 0.9500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | 167 W | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 150 | 390V, 12a, 10ohm, 15V | - | 600 V | 45 A | 108 A | 2.5V @ 15V, 12A | 55 µJ (Encendido), 100 µJ (apaguado) | 23 NC | 6ns/40ns | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF9N50T | 0.9600 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 5.3a (TC) | 10V | 730mohm @ 2.65a, 10V | 5V @ 250 µA | 36 NC @ 10 V | ± 30V | 1450 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqd3n40tf | 0.3700 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 400 V | 2a (TC) | 10V | 3.4ohm @ 1a, 10v | 5V @ 250 µA | 7.5 NC @ 10 V | ± 30V | 230 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 30W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75343G3 | 1.0200 | ![]() | 821 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 150 | N-canal | 55 V | 75A (TC) | 10V | 9mohm @ 75a, 10v | 4V @ 250 µA | 205 NC @ 20 V | ± 20V | 3000 pf @ 25 V | - | 270W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS9933 | 0.3600 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | FDS99 | Mosfet (Óxido de metal) | 900MW | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 5A | 55mohm @ 3.2a, 4.5V | 1.2V @ 250 µA | 20NC @ 4.5V | 825pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75332S3ST | 0.4700 | ![]() | 44 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 55 V | 60A (TC) | 10V | 19mohm @ 60a, 10v | 4V @ 250 µA | 85 NC @ 20 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 145W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9V3036P3 | 1.4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Ecospark® | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Lógica | 150 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | 300V, 1KOHM, 5V | - | 360 V | 21 A | 1.6v @ 4V, 6a | - | 17 NC | -/4.8 µs | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksd227ybu | 0.0200 | ![]() | 69 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 400 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 25 V | 300 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 30 mA, 300 mA | 120 @ 50mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdd14an06la0 | 2.1500 | ![]() | 85 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 9.5A (TA), 50A (TC) | 5V, 10V | 11.6mohm @ 50A, 10V | 3V @ 250 µA | 32 NC @ 5 V | ± 20V | 2810 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD6680 | 1.4100 | ![]() | 199 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 12A (TA), 46A (TC) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 12a, 10v | 3V @ 250 µA | 18 NC @ 5 V | ± 20V | 1230 pf @ 15 V | - | 3.3W (TA), 56W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqnl2n50bbu | - | ![]() | 4931 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) | Mosfet (Óxido de metal) | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 6,000 | N-canal | 500 V | 350MA (TC) | 10V | 5.3ohm @ 175mA, 10V | 3.7V @ 250 µA | 8 NC @ 10 V | ± 30V | 230 pf @ 25 V | - | 1.5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc2330rta | - | ![]() | 1943 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) | 1 W | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 300 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 1 mapa, 10 ma | 40 @ 20MA, 10V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fjz594jbtf | 0.0200 | ![]() | 687 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-623F | 100 MW | SOT-623F | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 3.5pf @ 5V | 20 V | 150 µA @ 5 V | 600 MV @ 1 µA | 1 MA | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF10N20 | 0.4100 | ![]() | 3066 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 16 | N-canal | 200 V | 6.8a (TC) | 10V | 360mohm @ 3.4a, 10V | 5V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 30V | 670 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FDR8702H | 0.7500 | ![]() | 254 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.130 ", 3.30 mm de ancho) | FDR87 | Mosfet (Óxido de metal) | 800MW | Supersot ™ -8 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 3.6a, 2.6a | 38mohm @ 3.6a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 10NC @ 4.5V | 650pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3905TFR | 0.0200 | ![]() | 6136 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,373 | 40 V | 200 MA | - | PNP | 400mv @ 5 Ma, 50 Ma | 50 @ 10mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQA10N80C | - | ![]() | 6988 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3p | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 800 V | 10a (TC) | 10V | 1.1ohm @ 5a, 10v | 5V @ 250 µA | 58 NC @ 10 V | ± 30V | 2800 pf @ 25 V | - | 240W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FJPF5321TU | 0.2000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | 40 W | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.492 | 500 V | 5 A | 100 µA (ICBO) | NPN | 1V @ 600 Ma, 3a | 15 @ 600mA, 5V | 14MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB17N08TM | 0.2100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 80 V | 16.5a (TC) | 10V | 115mohm @ 8.25a, 10V | 4V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 25V | 450 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 65W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FDU8780 | 0.2900 | ![]() | 81 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 25 V | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 35a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 1440 pf @ 13 V | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FGA120N30DTU | 1.4000 | ![]() | 364 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | FGA120N30 | Estándar | 290 W | Un 3p | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | - | 21 ns | - | 300 V | 120 A | 300 A | 1.4V @ 15V, 25A | - | 120 NC | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FGA25S125P | - | ![]() | 6471 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | FGA25S125 | Estándar | 250 W | Un 3pn | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | - | Parada de Campo de Trinchera | 1250 V | 50 A | 75 A | 2.35V @ 15V, 25A | - | 204 NC | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN4391 | 1.0000 | ![]() | 1098 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | - | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | N-canal | 14pf @ 20V | 30 V | 50 Ma @ 20 V | 4 v @ 1 na | 30 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ndh8304p | 0.7000 | ![]() | 78 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.130 ", 3.30 mm de ancho) | NDH8304 | Mosfet (Óxido de metal) | 800MW | Supersot ™ -8 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 2.7a | 70mohm @ 2.7a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 23NC @ 4.5V | 865pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP3N25 | 0.2900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 250 V | 2.8a (TC) | 10V | 2.2ohm @ 1.4a, 10V | 5V @ 250 µA | 5.2 NC @ 10 V | ± 30V | 170 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FGS15N40LTF | 0.5100 | ![]() | 161 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Estándar | 2 W | 8-Soico | descascar | Rohs no conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | - | Zanja | 400 V | 130 A | 8V @ 4V, 130a | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75842S3S | 0.9000 | ![]() | 542 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 150 V | 43a (TC) | 10V | 42mohm @ 43a, 10v | 4V @ 250 µA | 175 NC @ 20 V | ± 20V | 2730 pf @ 25 V | - | 230W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FJP13009 | 1.0000 | ![]() | 1903 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 100 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.200 | 400 V | 12 A | - | NPN | 3V @ 3a, 12a | 8 @ 5a, 5v | 4MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSB1116GTA | 0.0400 | ![]() | 2375 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 750 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 1.855 | 50 V | 1 A | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 50 mm, 1a | 200 @ 100 mapa, 2v | 120MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF19N60 | 2.6500 | ![]() | 681 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 360 | N-canal | 600 V | 11.2a (TC) | 10V | 380mohm @ 5.6a, 10V | 5V @ 250 µA | 90 NC @ 10 V | ± 30V | 3600 pf @ 25 V | - | 120W (TC) |
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