SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Resistencia - RDS (ON) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Drenaje real (ID) - Max
FGH30N6S2 Fairchild Semiconductor FGH30N6S2 0.9500
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 167 W To-247 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 150 390V, 12a, 10ohm, 15V - 600 V 45 A 108 A 2.5V @ 15V, 12A 55 µJ (Encendido), 100 µJ (apaguado) 23 NC 6ns/40ns
FQPF9N50T Fairchild Semiconductor FQPF9N50T 0.9600
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 500 V 5.3a (TC) 10V 730mohm @ 2.65a, 10V 5V @ 250 µA 36 NC @ 10 V ± 30V 1450 pf @ 25 V - 50W (TC)
FQD3N40TF Fairchild Semiconductor Fqd3n40tf 0.3700
RFQ
ECAD 26 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 400 V 2a (TC) 10V 3.4ohm @ 1a, 10v 5V @ 250 µA 7.5 NC @ 10 V ± 30V 230 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 30W (TC)
HUFA75343G3 Fairchild Semiconductor HUFA75343G3 1.0200
RFQ
ECAD 821 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 150 N-canal 55 V 75A (TC) 10V 9mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 205 NC @ 20 V ± 20V 3000 pf @ 25 V - 270W (TC)
FDS9933 Fairchild Semiconductor FDS9933 0.3600
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS99 Mosfet (Óxido de metal) 900MW 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 20V 5A 55mohm @ 3.2a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 20NC @ 4.5V 825pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
HUFA75332S3ST Fairchild Semiconductor HUFA75332S3ST 0.4700
RFQ
ECAD 44 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 55 V 60A (TC) 10V 19mohm @ 60a, 10v 4V @ 250 µA 85 NC @ 20 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 145W (TC)
ISL9V3036P3 Fairchild Semiconductor ISL9V3036P3 1.4100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild Ecospark® Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Lógica 150 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 400 300V, 1KOHM, 5V - 360 V 21 A 1.6v @ 4V, 6a - 17 NC -/4.8 µs
KSD227YBU Fairchild Semiconductor Ksd227ybu 0.0200
RFQ
ECAD 69 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 400 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 10,000 25 V 300 mA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 30 mA, 300 mA 120 @ 50mA, 1V -
FDD14AN06LA0 Fairchild Semiconductor Fdd14an06la0 2.1500
RFQ
ECAD 85 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 9.5A (TA), 50A (TC) 5V, 10V 11.6mohm @ 50A, 10V 3V @ 250 µA 32 NC @ 5 V ± 20V 2810 pf @ 25 V - 125W (TC)
FDD6680 Fairchild Semiconductor FDD6680 1.4100
RFQ
ECAD 199 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 12A (TA), 46A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 12a, 10v 3V @ 250 µA 18 NC @ 5 V ± 20V 1230 pf @ 15 V - 3.3W (TA), 56W (TC)
FQNL2N50BBU Fairchild Semiconductor Fqnl2n50bbu -
RFQ
ECAD 4931 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) Mosfet (Óxido de metal) Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 6,000 N-canal 500 V 350MA (TC) 10V 5.3ohm @ 175mA, 10V 3.7V @ 250 µA 8 NC @ 10 V ± 30V 230 pf @ 25 V - 1.5W (TC)
KSC2330RTA Fairchild Semiconductor Ksc2330rta -
RFQ
ECAD 1943 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) 1 W Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0075 2,000 300 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 1 mapa, 10 ma 40 @ 20MA, 10V 50MHz
FJZ594JBTF Fairchild Semiconductor Fjz594jbtf 0.0200
RFQ
ECAD 687 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-623F 100 MW SOT-623F descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 3.5pf @ 5V 20 V 150 µA @ 5 V 600 MV @ 1 µA 1 MA
FQPF10N20 Fairchild Semiconductor FQPF10N20 0.4100
RFQ
ECAD 3066 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 16 N-canal 200 V 6.8a (TC) 10V 360mohm @ 3.4a, 10V 5V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 30V 670 pf @ 25 V - 40W (TC)
FDR8702H Fairchild Semiconductor FDR8702H 0.7500
RFQ
ECAD 254 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.130 ", 3.30 mm de ancho) FDR87 Mosfet (Óxido de metal) 800MW Supersot ™ -8 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 3.000 Vecino del canal 20V 3.6a, 2.6a 38mohm @ 3.6a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 10NC @ 4.5V 650pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
2N3905TFR Fairchild Semiconductor 2N3905TFR 0.0200
RFQ
ECAD 6136 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 4,373 40 V 200 MA - PNP 400mv @ 5 Ma, 50 Ma 50 @ 10mA, 1V -
FQA10N80C Fairchild Semiconductor FQA10N80C -
RFQ
ECAD 6988 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 800 V 10a (TC) 10V 1.1ohm @ 5a, 10v 5V @ 250 µA 58 NC @ 10 V ± 30V 2800 pf @ 25 V - 240W (TC)
FJPF5321TU Fairchild Semiconductor FJPF5321TU 0.2000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 40 W Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1.492 500 V 5 A 100 µA (ICBO) NPN 1V @ 600 Ma, 3a 15 @ 600mA, 5V 14MHz
FQB17N08TM Fairchild Semiconductor FQB17N08TM 0.2100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 80 V 16.5a (TC) 10V 115mohm @ 8.25a, 10V 4V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 25V 450 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 65W (TC)
FDU8780 Fairchild Semiconductor FDU8780 0.2900
RFQ
ECAD 81 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 25 V 35A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 35a, 10v 2.5V @ 250 µA 29 NC @ 10 V ± 20V 1440 pf @ 13 V - 50W (TC)
FGA120N30DTU Fairchild Semiconductor FGA120N30DTU 1.4000
RFQ
ECAD 364 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FGA120N30 Estándar 290 W Un 3p descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 30 - 21 ns - 300 V 120 A 300 A 1.4V @ 15V, 25A - 120 NC -
FGA25S125P Fairchild Semiconductor FGA25S125P -
RFQ
ECAD 6471 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FGA25S125 Estándar 250 W Un 3pn descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 30 - Parada de Campo de Trinchera 1250 V 50 A 75 A 2.35V @ 15V, 25A - 204 NC -
PN4391 Fairchild Semiconductor PN4391 1.0000
RFQ
ECAD 1098 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 - ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 14pf @ 20V 30 V 50 Ma @ 20 V 4 v @ 1 na 30 ohmios
NDH8304P Fairchild Semiconductor Ndh8304p 0.7000
RFQ
ECAD 78 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.130 ", 3.30 mm de ancho) NDH8304 Mosfet (Óxido de metal) 800MW Supersot ™ -8 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 20V 2.7a 70mohm @ 2.7a, 4.5V 1V @ 250 µA 23NC @ 4.5V 865pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
FQP3N25 Fairchild Semiconductor FQP3N25 0.2900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 250 V 2.8a (TC) 10V 2.2ohm @ 1.4a, 10V 5V @ 250 µA 5.2 NC @ 10 V ± 30V 170 pf @ 25 V - 45W (TC)
FGS15N40LTF Fairchild Semiconductor FGS15N40LTF 0.5100
RFQ
ECAD 161 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Estándar 2 W 8-Soico descascar Rohs no conforme EAR99 8541.29.0095 3.000 - Zanja 400 V 130 A 8V @ 4V, 130a - -
HUFA75842S3S Fairchild Semiconductor HUFA75842S3S 0.9000
RFQ
ECAD 542 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 150 V 43a (TC) 10V 42mohm @ 43a, 10v 4V @ 250 µA 175 NC @ 20 V ± 20V 2730 pf @ 25 V - 230W (TC)
FJP13009 Fairchild Semiconductor FJP13009 1.0000
RFQ
ECAD 1903 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 100 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1.200 400 V 12 A - NPN 3V @ 3a, 12a 8 @ 5a, 5v 4MHz
KSB1116GTA Fairchild Semiconductor KSB1116GTA 0.0400
RFQ
ECAD 2375 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 750 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1.855 50 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 50 mm, 1a 200 @ 100 mapa, 2v 120MHz
FQAF19N60 Fairchild Semiconductor FQAF19N60 2.6500
RFQ
ECAD 681 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO Mosfet (Óxido de metal) Un 3pf descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 360 N-canal 600 V 11.2a (TC) 10V 380mohm @ 5.6a, 10V 5V @ 250 µA 90 NC @ 10 V ± 30V 3600 pf @ 25 V - 120W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock