SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
FCA20N60 Fairchild Semiconductor FCA20N60 -
RFQ
ECAD 5993 0.00000000 Semiconductor de fairchild Superfet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FCA20 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pn descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 N-canal 600 V 20A (TC) 10V 190mohm @ 10a, 10v 5V @ 250 µA 98 NC @ 10 V ± 30V 3080 pf @ 25 V - 208W (TC)
FDMS9408-F085 Fairchild Semiconductor FDMS9408-F085 -
RFQ
ECAD 9562 0.00000000 Semiconductor de fairchild Automotriz, AEC-Q101, Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn FDMS94 Mosfet (Óxido de metal) Power56 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 40 V 80a (TC) 10V 1.8mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 92 NC @ 10 V ± 20V 5120 pf @ 25 V - 214W (TJ)
MMBT4126 Fairchild Semiconductor MMBT4126 -
RFQ
ECAD 9358 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT4126 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 25 V 200 MA 50NA (ICBO) PNP 400mv @ 5 Ma, 50 Ma 120 @ 2mA, 1V 250MHz
FDSS2407S_B82086 Fairchild Semiconductor FDSS2407S_B82086 0.7000
RFQ
ECAD 783 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Fdss24 Mosfet (Óxido de metal) 2.27W (TA) 8-Soico descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 2 Canal N (Dual) 62V 3.3a (TA) 110mohm @ 3.3a, 10v 3V @ 250 µA 4.3nc @ 5V 300pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
BC857S Fairchild Semiconductor BC857S -
RFQ
ECAD 2842 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 BC857 300MW SC-88 (SC-70-6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 45V 200 MMA 15NA (ICBO) 2 PNP (dual) 650mv @ 5 mm, 100 mapa 125 @ 2mA, 5V 200MHz
FFB3904 Fairchild Semiconductor FFB3904 0.0800
RFQ
ECAD 423 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 FFB39 300MW SC-88 (SC-70-6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 40V 200 MMA - 2 NPN (dual) 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 250MHz
FDP2710_F085 Fairchild Semiconductor FDP2710_F085 2.2000
RFQ
ECAD 3713 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 100 N-canal 250 V 4A (TA), 50A (TC) 10V 47mohm @ 50A, 10V 5V @ 250 µA 101 NC @ 10 V ± 30V 5690 pf @ 25 V - 403W (TC)
FJN4309RTA Fairchild Semiconductor Fjn4309rta 0.0200
RFQ
ECAD 131 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales FJN430 300 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 40 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 1 mapa, 10 ma 100 @ 1 mapa, 5v 200 MHz 4.7 kohms
TIP107TU Fairchild Semiconductor TIP107TU -
RFQ
ECAD 9367 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TIP107 2 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 100 V 8 A 50 µA PNP - Darlington 2.5V @ 80MA, 8A 1000 @ 3a, 4v -
FJV3105RMTF Fairchild Semiconductor FJV3105RMTF 0.0300
RFQ
ECAD 36 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 FJV310 200 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5MA, 5V 250 MHz 4.7 kohms 10 kohms
FJV1845PMTF Fairchild Semiconductor Fjv1845pmtf -
RFQ
ECAD 3428 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 120 V 50 Ma 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 1 mapa, 10 ma 200 @ 1 MMA, 6V 110MHz
TIP31A Fairchild Semiconductor TIP31A -
RFQ
ECAD 4435 0.00000000 Semiconductor de fairchild TIP31A Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 2 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 60 V 3 A 300 µA NPN 1.2V @ 375MA, 3A 25 @ 1a, 4v 3MHz
FJV992PMTF Fairchild Semiconductor Fjv992pmtf -
RFQ
ECAD 5408 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 120 V 50 Ma - PNP 300mv @ 1 mapa, 10 ma 200 @ 1 MMA, 6V 50MHz
KSB1151YSTSTU Fairchild Semiconductor Ksb1151yststu 0.2900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 KSB11 1.3 W A-126-3 - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1 60 V 5 A 10 µA (ICBO) PNP 300mv @ 200MA, 2a 160 @ 2a, 1v -
FDD6796A Fairchild Semiconductor FDD6796A 0.5200
RFQ
ECAD 749 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 750 N-canal 25 V 20A (TA), 40A (TC) 5.7mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 34 NC @ 10 V ± 20V 1780 pf @ 13 V - 3.7W (TA), 42W (TC)
FAN5009AMX Fairchild Semiconductor Fan5009amx 0.3000
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo Fan5009 - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 2.500 -
FCP11N65 Fairchild Semiconductor FCP11N65 1.4900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo FCP11 - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1 -
KSH112TM Fairchild Semiconductor Ksh112tm -
RFQ
ECAD 3267 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Ksh11 1.75 W D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 2.500 100 V 2 A 20 µA NPN - Darlington 3V @ 40mA, 4A 1000 @ 2a, 3V 25MHz
FDMC0223 Fairchild Semiconductor FDMC0223 0.1700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - No Aplicable 3 (168 Horas) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 3.000
FGI3236-F085 Fairchild Semiconductor FGI3236-F085 2.0500
RFQ
ECAD 971 0.00000000 Semiconductor de fairchild Automotive, AEC-Q101, EcoSpark® Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Lógica 187 W I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 300V, 1KOHM, 5V - 360 V 44 A 1.4V @ 4V, 6A - 20 NC -/5.4 µs
BC848BMTF Fairchild Semiconductor Bc848bmtf 0.0200
RFQ
ECAD 271 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
FJX945GTF Fairchild Semiconductor Fjx945gtf 0.0500
RFQ
ECAD 88 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 200 MW Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 200 @ 1 MMA, 6V 300MHz
73389 Fairchild Semiconductor 73389 1.3700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - - No Aplicable 3 (168 Horas) 0000.00.0000 220
BC857BMTF Fairchild Semiconductor Bc857bmtf 0.0200
RFQ
ECAD 6711 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 310 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 10,592 45 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 200 @ 2mA, 5V 150MHz
HUFA76429D3ST_QF085 Fairchild Semiconductor HUFA76429D3ST_QF085 -
RFQ
ECAD 5621 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo HUFA76429 - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 300 -
HUFA76419D3ST Fairchild Semiconductor HUFA76419D3ST 0.5300
RFQ
ECAD 713 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 HUFA76419 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 713 N-canal 60 V 20A (TC) 4.5V, 10V 37mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 27.5 NC @ 10 V ± 16V 900 pf @ 25 V - 75W (TC)
MJD340TF Fairchild Semiconductor Mjd340tf -
RFQ
ECAD 9301 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MJD34 1.56 W D-Pak descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 1 300 V 500 mA 100 µA NPN - 30 @ 50mA, 10V -
BDX54C Fairchild Semiconductor Bdx54c -
RFQ
ECAD 5656 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 60 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 100 V 8 A 500 µA PNP - Darlington 2V @ 12 mm, 3a 750 @ 3a, 3V -
FQPF13N50CSDTU Fairchild Semiconductor Fqpf13n50csdtu 0.9600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FQPF1 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 500 V 13a (TC) 10V 480mohm @ 6.5a, 10v 4V @ 250 µA 56 NC @ 10 V ± 30V 2055 pf @ 25 V - 48W (TC)
FQPF44N08T Fairchild Semiconductor Fqpf44n08t 0.6700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Fqpf4 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 80 V 25A (TC) 10V 34mohm @ 12.5a, 10V 4V @ 250 µA 50 NC @ 10 V ± 25V 1430 pf @ 25 V - 41W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock