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Transistores (3821)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Condición de PrueBa Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
KSH127TF-FS Fairchild Semiconductor KSH127TF-FS 1.0000
RFQ
 ECAD 3250 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 1.75 W Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 2,000 100 V 8 A 10 µA PNP - Darlington 4V @ 80MA, 8A 1000 @ 4a, 4V -
MMBT5401-FS Fairchild Semiconductor MMBT5401-FS 0.0300
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 10,000 150 V 600 mA 50NA (ICBO) PNP 500mV @ 5 mm, 50 Ma 60 @ 10mA, 5V 300MHz
KSA812YMTF-FS Fairchild Semiconductor KSA812MTF-FS 0.0200
RFQ
 ECAD 974 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 150 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 135 @ 1 MMA, 6V 180MHz
MMBTH10-FS Fairchild Semiconductor Mmbth10-fs -
RFQ
 ECAD 3518 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 225MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 - 25V - NPN 60 @ 4MA, 10V 650MHz -
FGH40T65SHD-F155 Fairchild Semiconductor FGH40T65SHD-F155 1.0000
RFQ
 ECAD 5048 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 FGH40 Estándar 268 W TO-247 LARGOS LARGOS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 400V, 40a, 6ohm, 15V 31.8 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 80 A 120 A 2.1V @ 15V, 40A 1.01MJ (Encendido), 297 µJ (apagado) 72.2 NC 19.2ns/65.6ns
FJAF4210YTU Fairchild Semiconductor Fjaf4210ytu 1.2300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO FJAF4210 80 W Un 3pf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 140 V 10 A 10 µA (ICBO) PNP 500mv @ 500 Ma, 5a 90 @ 3a, 4v 30MHz
FOD817X_5701W Fairchild Semiconductor FOD817X_5701W 0.1100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1
FJA4313RTU Fairchild Semiconductor Fja4313rtu 1.0000
RFQ
 ECAD 2549 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 130 W Un 3pn descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 250 V 17 A 5 µA (ICBO) NPN 3V @ 800mA, 8A 55 @ 1a, 5v 30MHz
FJN3303RTA Fairchild Semiconductor Fjn3303rta -
RFQ
 ECAD 3848 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales FJN330 300 MW Un 92-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 56 @ 5MA, 5V 250 MHz 22 kohms 22 kohms
FDB12N50UTM Fairchild Semiconductor FDB12N50UTM 0.9000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo FDB12N - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 800 -
KSA1182YMTF Fairchild Semiconductor KSA1182MTF 0.0300
RFQ
 ECAD 614 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 KSA1182 150 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 30 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 120 @ 100mA, 1V 200MHz
HUF75639S3ST_Q Fairchild Semiconductor HUF75639S3ST_Q 1.1700
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo HUF75639 - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 800 -
HUFA75639S3ST Fairchild Semiconductor HUFA75639S3ST 1.4800
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Semiconductor de fairchild Automotive, AEC-Q101, UltraFet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab HUFA75 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (TO-263AB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 800 N-canal 100 V 56a (TC) 10V 25mohm @ 56a, 10v 4V @ 250 µA 130 NC @ 10 V ± 20V 2000 pf @ 25 V - 200W (TC)
PN3685 Fairchild Semiconductor PN3685 0.2400
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo - A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) PN368 Mosfet (Óxido de metal) Un 92-3 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal - - - - -
HUF76629DS3 Fairchild Semiconductor HUF76629DS3 1.0000
RFQ
 ECAD 5109 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo HUF76629 - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido 1 -
BC81816MTF Fairchild Semiconductor BC81816MTF 1.0000
RFQ
 ECAD 6249 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 25 V 800 Ma 100na NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
FGB3236-F085 Fairchild Semiconductor FGB3236-F085 1.4900
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Semiconductor de fairchild Automotive, AEC-Q101, EcoSpark® Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Lógica 187 W D2PAK (TO-263) descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 219 300V, 1KOHM, 5V - 360 V 44 A 1.4V @ 4V, 6A - 20 NC -/5.4 µs
KSA1156YSTSTU Fairchild Semiconductor Ksa1156yststu -
RFQ
 ECAD 6983 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 KSA1156 1 W A-126-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 400 V 500 mA 100 µA (ICBO) PNP 1V @ 10 Ma, 100 Ma 100 @ 100 maja, 5v -
FDB8896-F085 Fairchild Semiconductor FDB8896-F085 -
RFQ
 ECAD 6463 0.00000000 Semiconductor de fairchild Automotriz, AEC-Q101, Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FDB8896 Mosfet (Óxido de metal) Un 263ab descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 19A (TA), 93A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 35a, 10v 2.5V @ 250 µA 67 NC @ 10 V ± 20V 2525 pf @ 15 V - 80W (TC)
HGT1S12N60A4DS Fairchild Semiconductor HGT1S12N60A4DS 3.7100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Estándar 167 W Un 263ab descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 1 390V, 12a, 10ohm, 15V 30 ns - 600 V 54 A 96 A 2.7V @ 15V, 12A 55 µJ (Encendido), 50 µJ (apaguado) 120 NC 17ns/96ns
HUF75842S3 Fairchild Semiconductor HUF75842S3 1.5000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo HUF75842 - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1 -
FGPF4633TU Fairchild Semiconductor Fgpf4633tu 1.0000
RFQ
 ECAD 8367 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Estándar 30.5 W Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 1 200v, 20a, 5ohm, 15v Zanja 330 V 300 A 1.8v @ 15V, 70a - 60 NC 8ns/52ns
FDB8030L Fairchild Semiconductor FDB8030L -
RFQ
 ECAD 2705 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FDB803 Mosfet (Óxido de metal) Un 263ab descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 91 N-canal 30 V 80a (TA) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 80a, 10v 2V @ 250 µA 170 NC @ 5 V ± 20V 10500 pf @ 15 V - 187W (TC)
MMBTA64 Fairchild Semiconductor Mmbta64 -
RFQ
 ECAD 1649 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mmbta64 350 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 1.2 A 100NA (ICBO) PNP - Darlington 1.5V @ 100 µA, 100 mA 20000 @ 100MA, 5V 125MHz
BD17610STU Fairchild Semiconductor Bd17610stu 0.2000
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 BD176 30 W A-126-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 45 V 3 A 100 µA (ICBO) PNP 800mv @ 100 mm, 1a 63 @ 150mA, 2V 3MHz
FCP25N60N Fairchild Semiconductor FCP25N60N 4.0200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild Supremos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FCP25 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 600 V 25A (TC) 10V 125mohm @ 12.5a, 10V 4V @ 250 µA 74 NC @ 10 V ± 30V 3352 pf @ 100 V - 216W (TC)
KSH47TF Fairchild Semiconductor KSH47TF 1.0000
RFQ
 ECAD 5767 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 KSH47 1.56 W D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 2,000 250 V 1 A 200 µA NPN 1V @ 200MA, 1A 30 @ 300mA, 10V 10MHz
2N5210BU Fairchild Semiconductor 2N5210BU -
RFQ
 ECAD 6560 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N5210 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 50 V 100 mA 50NA NPN 700mv @ 1 MMA, 10 Ma 200 @ 100 µA, 5V 30MHz
FGPF50N33BTTU Fairchild Semiconductor FGPF50N33BTTU 0.8000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FGPF5 Estándar 43 W Un 220F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 1 - Zanja 330 V 50 A 160 A 1.5V @ 15V, 20a - 35 NC -
FQI15P12TU Fairchild Semiconductor Fqi15p12tu 0.6600
RFQ
 ECAD 901 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Fqi1 Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8542.39.0001 1 Canal P 120 V 15A (TC) 10V 200mohm @ 7.5a, 10v 4V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 30V 1100 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 100W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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