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Transistores (3821)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
FJV4113RMTF Fairchild Semiconductor Fjv4113rmtf -
RFQ
 ECAD 4762 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 FJV411 200 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5MA, 5V 200 MHz 2.2 kohms 47 kohms
PN100TF Fairchild Semiconductor PN100TF 0.0500
RFQ
 ECAD 177 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 6.662
MMBT4403 Fairchild Semiconductor MMBT4403 -
RFQ
 ECAD 9368 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT4403 250 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1 40 V 600 mA 100na PNP 750mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 150mA, 2V 200MHz
FFB2222A Fairchild Semiconductor FFB2222A 1.0000
RFQ
 ECAD 9966 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 FFB22 300MW SC-88 (SC-70-6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 40V 500mA 10NA (ICBO) 2 NPN (dual) 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V 300MHz
FDMS8560S Fairchild Semiconductor FDMS8560S -
RFQ
 ECAD 2883 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench®, Syncfet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn FDMS85 Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 3.000 N-canal 25 V 30A (TA), 70A (TC) 4.5V, 10V 1.8mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 1MA 68 NC @ 10 V ± 12V 4350 pf @ 13 V - 2.5W (TA), 65W (TC)
KSH45H11TM Fairchild Semiconductor Ksh45h11tm 0.3400
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 1.75 W TO-252-3 (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 500 80 V 8 A 10 µA PNP 1V @ 400 Ma, 8a 60 @ 2a, 1v 40MHz
D44H11TU Fairchild Semiconductor D44h11tu 1.0000
RFQ
 ECAD 1296 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 D44H 60 W Un 220-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 80 V 10 A 10 µA NPN 1V @ 400 Ma, 8a 40 @ 4a, 1v 50MHz
BCW61BMTF Fairchild Semiconductor Bcw61bmtf 0.0200
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCW61 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 32 V 100 mA 20NA PNP 550mv @ 1.25 mA, 50 mA 140 @ 2mA, 5V -
FCB20N60F Fairchild Semiconductor FCB20N60F -
RFQ
 ECAD 4081 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo FCB20N - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 -
MJE2955TTU Fairchild Semiconductor Mje2955ttu -
RFQ
 ECAD 3619 0.00000000 Semiconductor de fairchild MJE2955T Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 600 MW Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 60 V 10 A 700 µA PNP 8V @ 3.3a, 10a 20 @ 4a, 4V 2MHz
FGD3440G2 Fairchild Semiconductor FGD3440G2 -
RFQ
 ECAD 5523 0.00000000 Semiconductor de fairchild Ecospark® Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Fgd3 Lógica 166 W Un 252AA - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1 300V, 6.5a, 1kohm, 5V - 400 V 26.9 A 1.2v @ 4V, 6a - 24 NC -/5.3 µs
FDB7030BL Fairchild Semiconductor FDB7030BL 0.4600
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FDB703 Mosfet (Óxido de metal) Un 263ab descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 2.500 N-canal 30 V 60A (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 30a, 10v 3V @ 250 µA 24 NC @ 5 V ± 20V 1760 pf @ 15 V - 60W (TC)
5HP01M-TL-E-FS Fairchild Semiconductor 5HP01M-TL-E-FS 0.1000
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 3.000
2SA1708T-AN-FS Fairchild Semiconductor 2SA1708T-AN-FS 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero SC-71 2SA1708 1 W 3-NMP descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 100NA (ICBO) 600mv @ 40 mm, 400 mA 200 @ 100 mapa, 10v 120MHz
FCPF7N60NT Fairchild Semiconductor FCPF7N60NT 1.4900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de fairchild Supremos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar EAR99 8541.29.0095 202 N-canal 600 V 6.8a (TC) 10V 520mohm @ 3.4a, 10V 4V @ 250 µA 35.6 NC @ 10 V ± 30V 960 pf @ 100 V - 30.5W (TC)
FDB024N06 Fairchild Semiconductor FDB024N06 -
RFQ
 ECAD 8933 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 60 V 120a (TC) 10V 2.4mohm @ 75a, 10v 4.5V @ 250 µA 226 NC @ 10 V ± 20V 14885 pf @ 25 V - 395W (TC)
FGA6540WDF Fairchild Semiconductor FGA6540WDF 1.0000
RFQ
 ECAD 9494 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Estándar 238 W Un 3pn descascar EAR99 8541.29.0095 1 400V, 40a, 6ohm, 15V 101 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 80 A 120 A 2.3V @ 15V, 40A 1.37MJ (Encendido), 250 µJ (apaguado) 55.5 NC 16.8ns/54.4ns
KSC1008GBU Fairchild Semiconductor Ksc1008gbu 0.0200
RFQ
 ECAD 3480 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 800 MW Un 92-3 descascar EAR99 8542.39.0001 11,270 60 V 700 Ma 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 50 mA, 500 mA 200 @ 50mA, 2v 50MHz
2N7002V Fairchild Semiconductor 2N7002V -
RFQ
 ECAD 3042 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 2N7002 Mosfet (Óxido de metal) 250MW SOT-563F descascar 0000.00.0000 1 2 Canal N (Dual) 60V 280 Ma 7.5ohm @ 50 mm, 5V 2.5V @ 250 µA - 50pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
FDG328P Fairchild Semiconductor FDG328P 1.0000
RFQ
 ECAD 6951 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 Mosfet (Óxido de metal) SC-88 (SC-70-6) descascar EAR99 8542.39.0001 1 Canal P 20 V 1.5a (TA) 2.5V, 4.5V 145mohm @ 1.5a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 6 NC @ 4.5 V ± 12V 337 pf @ 10 V - 750MW (TA)
FDB2532 Fairchild Semiconductor FDB2532 1.0000
RFQ
 ECAD 3378 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FDB253 Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 150 V 8A (TA), 79A (TC) 6V, 10V 16mohm @ 33a, 10v 4V @ 250 µA 107 NC @ 10 V ± 20V 5870 pf @ 25 V - 310W (TC)
FDD6685 Fairchild Semiconductor FDD6685 -
RFQ
 ECAD 2428 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar EAR99 8542.39.0001 1 Canal P 30 V 11a (TA), 40a (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 11a, 10v 3V @ 250 µA 24 NC @ 5 V ± 25V 1715 pf @ 15 V - 1.6w (TA)
HGTD7N60C3S9A Fairchild Semiconductor HGTD7N60C3S9A 1.2200
RFQ
 ECAD 249 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Estándar 60 W TO-252, (D-Pak) descascar EAR99 8541.29.0095 249 - - 600 V 14 A 56 A 2V @ 15V, 7a 165 µJ (Encendido), 600 µJ (apaguado) 23 NC -
BSR18A Fairchild Semiconductor BSR18A -
RFQ
 ECAD 7229 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 descascar EAR99 8541.21.0075 1 40 V 200 MA 50NA (ICBO) PNP 400mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 250MHz
FCP13N60N Fairchild Semiconductor FCP13N60N 2.5900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild Supremos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar EAR99 8542.39.0001 116 N-canal 600 V 13a (TC) 10V 258mohm @ 6.5a, 10v 4V @ 250 µA 39.5 NC @ 10 V ± 30V 1765 pf @ 100 V - 116W (TC)
FCPF380N60E Fairchild Semiconductor FCPF380N60E 1.0000
RFQ
 ECAD 3434 0.00000000 Semiconductor de fairchild Superfet® II Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FCPF380 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 600 V 10.2a (TC) 10V 380mohm @ 5a, 10v 3.5V @ 250 µA 45 NC @ 10 V ± 20V 1770 pf @ 25 V - 31W (TC)
FDP6030BL Fairchild Semiconductor FDP6030BL 0.6300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FDP60 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 30 V 40A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 17 NC @ 5 V ± 20V 1160 pf @ 15 V - 60W (TC)
FJE5304DTU Fairchild Semiconductor FJE5304DTU -
RFQ
 ECAD 1613 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo - A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 30 W A-126-3 descascar 0000.00.0000 1 400 V 4 A 100 µA NPN 1.5V @ 500 Ma, 2.5a 8 @ 2a, 5v -
FCU850N80Z Fairchild Semiconductor FCU850N80Z 1.1700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild Superfet® II Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar EAR99 8542.39.0001 257 N-canal 800 V 6a (TC) 10V 850mohm @ 3a, 10v 4.5V @ 600 µA 29 NC @ 10 V ± 20V 1315 pf @ 100 V - 75W (TC)
FGA30T65SHD Fairchild Semiconductor FGA30T65SHD -
RFQ
 ECAD 5102 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FGA30T65 Estándar 238 W Un 3pn descascar EAR99 8542.39.0001 1 400V, 30a, 6ohm, 15V 31.8 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 60 A 90 A 2.1V @ 15V, 30a 598 µJ (Encendido), 167 µJ (apagado) 54.7 NC 14.4ns/52.8ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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