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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Resistencia - RDS (ON) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Figura de Ruido (db typ @ f) |
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![]() | SS9015BTA | 0.0200 | ![]() | 2898 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 450 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 12,384 | 45 V | 100 mA | 50NA (ICBO) | PNP | 700mv @ 5 ma, 100 ma | 100 @ 1 mapa, 5v | 190MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksa1201ytf | - | ![]() | 8558 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 1 W | SOT-89-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 4.000 | 120 V | 800 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 120 @ 100 mapa, 5V | 120MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS9013GTA | 0.0200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 15,000 | 20 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 50 mA, 500 mA | 112 @ 50mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76504DK8T | 0.4300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | HUFA76504 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.5w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 80V | - | 200mohm @ 2.5a, 10v | 3V @ 250 µA | 10nc @ 10V | 270pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdd24an06la0 | 1.1300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 7.1a (TA), 40a (TC) | 5V, 10V | 19mohm @ 40a, 10v | 2V @ 250 µA | 21 NC @ 5 V | ± 20V | 1850 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJY4008R | 0.0200 | ![]() | 8624 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | FJY400 | 200 MW | SOT-523F | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5MA, 5V | 200 MHz | 47 kohms | 22 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMG2G300US60 | - | ![]() | 5459 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 7 PM-IA | 892 W | Estándar | 7 PM-IA | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Medio puente | - | 600 V | 300 A | 2.7V @ 15V, 300A | 250 µA | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB20N06TM | 0.3700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 20A (TC) | 10V | 60mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 25V | 590 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 53W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSB660 | 0.0900 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 500 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 60 V | 2 A | 100NA (ICBO) | PNP | 350mv @ 200MA, 2a | 100 @ 500mA, 2V | 75MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fds7066Asn3 | 1.1900 | ![]() | 623 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 19a (TA) | 4.5V, 10V | 4.8mohm @ 19a, 10v | 3V @ 1MA | 62 NC @ 10 V | ± 20V | 2460 pf @ 15 V | - | 3W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75333P3 | 0.8200 | ![]() | 139 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 55 V | 66a (TC) | 10V | 16mohm @ 66a, 10V | 4V @ 250 µA | 85 NC @ 20 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPS6518 | - | ![]() | 6828 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,365 | 40 V | 200 MA | 500NA (ICBO) | PNP | 500mV @ 5 mm, 50 Ma | 150 @ 2mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS7088SN3 | 1.4100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 21a (TA) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 21a, 10v | 3V @ 1MA | 80 NC @ 10 V | ± 20V | 3230 pf @ 15 V | - | 3W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMG1G100US60H | 41.1600 | ![]() | 60 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 7 pm-ga | 400 W | Estándar | 7 pm-ga | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Soltero | - | 600 V | 100 A | 2.8V @ 15V, 100A | 250 µA | No | 10.84 nf @ 30 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDP7061 | 2.3200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 64a (TC) | 10V | 16mohm @ 35a, 10v | 4V @ 250 µA | 100 NC @ 10 V | ± 20V | 1930 pf @ 25 V | - | 130W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TN3440A | 0.0700 | ![]() | 1238 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 1 W | Un 226-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 833 | 250 V | 100 mA | 50 µA | NPN | 500mv @ 4mA, 50 mA | 40 @ 20MA, 10V | 15MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN4093 | 0.3200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | N-canal | 16pf @ 20V | 40 V | 8 Ma @ 20 V | 1 v @ 1 na | 80 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN200RM | - | ![]() | 1823 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45 V | 500 mA | 50NA | PNP | 400mv @ 20 mm, 200 mA | 100 @ 150mA, 1V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFD16N05SM | 0.6600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 50 V | 16a (TC) | 10V | 47mohm @ 16a, 10v | 4V @ 250 µA | 80 NC @ 20 V | ± 20V | 900 pf @ 25 V | - | 72W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQA35N40 | 4.4800 | ![]() | 197 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3p | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | N-canal | 400 V | 35A (TC) | 10V | 105mohm @ 17.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 140 NC @ 10 V | ± 30V | 5600 pf @ 25 V | - | 310W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFW9Z34TM | 0.6400 | ![]() | 36 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 60 V | 18a (TC) | 10V | 140mohm @ 9a, 10v | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 30V | 1155 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 82W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc3123omtf | 0.0200 | ![]() | 8269 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 150MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,409 | 20dB ~ 23dB | 20V | 50mera | NPN | 90 @ 5MA, 10V | 1.4GHz | 3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS8947A | 1.9100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | FDS89 | Mosfet (Óxido de metal) | 900MW | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 4A | 52mohm @ 4a, 10v | 3V @ 250 µA | 27nc @ 10V | 730pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TN2907A | 0.2700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 226-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 1.500 | 60 V | 800 Ma | 10NA (ICBO) | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGH20N6S2 | 1.0000 | ![]() | 2465 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | 125 W | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 150 | 390v, 7a, 25ohm, 15V | - | 600 V | 28 A | 40 A | 2.7V @ 15V, 7a | 25 µJ (Encendido), 58 µJ (apaguado) | 30 NC | 7.7ns/87ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP5N40 | - | ![]() | 5148 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 V | 4.5A (TC) | 10V | 1.6ohm @ 2.25a, 10v | 5V @ 250 µA | 13 NC @ 10 V | ± 30V | 460 pf @ 25 V | - | 70W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqi2n90tu | 0.5100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak (TO-262) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 900 V | 2.2a (TC) | 10V | 7.2ohm @ 1.1a, 10v | 5V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 30V | 500 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 85W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqh140n10 | - | ![]() | 7619 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | N-canal | 100 V | 140A (TC) | 10V | 10mohm @ 70a, 10v | 4V @ 250 µA | 285 NC @ 10 V | ± 25V | 7900 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC548 CAR | 0.0200 | ![]() | 5539 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 1.521 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 420 @ 2mA, 5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bc32716ta | 0.0300 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45 V | 800 Ma | 100na | PNP | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 100 @ 100 maja, 1v | 100MHz |
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