SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Resistencia - RDS (ON) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
SS9015BTA Fairchild Semiconductor SS9015BTA 0.0200
RFQ
ECAD 2898 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 450 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 12,384 45 V 100 mA 50NA (ICBO) PNP 700mv @ 5 ma, 100 ma 100 @ 1 mapa, 5v 190MHz
KSA1201YTF Fairchild Semiconductor Ksa1201ytf -
RFQ
ECAD 8558 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 1 W SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 4.000 120 V 800 Ma 100NA (ICBO) PNP 1V @ 50 Ma, 500 Ma 120 @ 100 mapa, 5V 120MHz
SS9013GTA Fairchild Semiconductor SS9013GTA 0.0200
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 15,000 20 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 600mv @ 50 mA, 500 mA 112 @ 50mA, 1V -
HUFA76504DK8T Fairchild Semiconductor HUFA76504DK8T 0.4300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) HUFA76504 Mosfet (Óxido de metal) 2.5w 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 80V - 200mohm @ 2.5a, 10v 3V @ 250 µA 10nc @ 10V 270pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
FDD24AN06LA0 Fairchild Semiconductor Fdd24an06la0 1.1300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 7.1a (TA), 40a (TC) 5V, 10V 19mohm @ 40a, 10v 2V @ 250 µA 21 NC @ 5 V ± 20V 1850 pf @ 25 V - 75W (TC)
FJY4008R Fairchild Semiconductor FJY4008R 0.0200
RFQ
ECAD 8624 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto Montaje en superficie SC-89, SOT-490 FJY400 200 MW SOT-523F descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5MA, 5V 200 MHz 47 kohms 22 kohms
FMG2G300US60 Fairchild Semiconductor FMG2G300US60 -
RFQ
ECAD 5459 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis 7 PM-IA 892 W Estándar 7 PM-IA descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 10 Medio puente - 600 V 300 A 2.7V @ 15V, 300A 250 µA No
FQB20N06TM Fairchild Semiconductor FQB20N06TM 0.3700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 20A (TC) 10V 60mohm @ 10a, 10v 4V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 25V 590 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 53W (TC)
FSB660 Fairchild Semiconductor FSB660 0.0900
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 500 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 3.000 60 V 2 A 100NA (ICBO) PNP 350mv @ 200MA, 2a 100 @ 500mA, 2V 75MHz
FDS7066ASN3 Fairchild Semiconductor Fds7066Asn3 1.1900
RFQ
ECAD 623 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 19a (TA) 4.5V, 10V 4.8mohm @ 19a, 10v 3V @ 1MA 62 NC @ 10 V ± 20V 2460 pf @ 15 V - 3W (TA)
HUF75333P3 Fairchild Semiconductor HUF75333P3 0.8200
RFQ
ECAD 139 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar Rohs no conforme EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 55 V 66a (TC) 10V 16mohm @ 66a, 10V 4V @ 250 µA 85 NC @ 20 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 150W (TC)
MPS6518 Fairchild Semiconductor MPS6518 -
RFQ
ECAD 6828 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 3,365 40 V 200 MA 500NA (ICBO) PNP 500mV @ 5 mm, 50 Ma 150 @ 2mA, 10V -
FDS7088SN3 Fairchild Semiconductor FDS7088SN3 1.4100
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 21a (TA) 4.5V, 10V 4mohm @ 21a, 10v 3V @ 1MA 80 NC @ 10 V ± 20V 3230 pf @ 15 V - 3W (TA)
FMG1G100US60H Fairchild Semiconductor FMG1G100US60H 41.1600
RFQ
ECAD 60 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis 7 pm-ga 400 W Estándar 7 pm-ga descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 15 Soltero - 600 V 100 A 2.8V @ 15V, 100A 250 µA No 10.84 nf @ 30 V
NDP7061 Fairchild Semiconductor NDP7061 2.3200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 64a (TC) 10V 16mohm @ 35a, 10v 4V @ 250 µA 100 NC @ 10 V ± 20V 1930 pf @ 25 V - 130W (TC)
TN3440A Fairchild Semiconductor TN3440A 0.0700
RFQ
ECAD 1238 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 1 W Un 226-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 833 250 V 100 mA 50 µA NPN 500mv @ 4mA, 50 mA 40 @ 20MA, 10V 15MHz
PN4093 Fairchild Semiconductor PN4093 0.3200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 16pf @ 20V 40 V 8 Ma @ 20 V 1 v @ 1 na 80 ohmios
PN200RM Fairchild Semiconductor PN200RM -
RFQ
ECAD 1823 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 45 V 500 mA 50NA PNP 400mv @ 20 mm, 200 mA 100 @ 150mA, 1V 250MHz
RFD16N05SM Fairchild Semiconductor RFD16N05SM 0.6600
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 50 V 16a (TC) 10V 47mohm @ 16a, 10v 4V @ 250 µA 80 NC @ 20 V ± 20V 900 pf @ 25 V - 72W (TC)
FQA35N40 Fairchild Semiconductor FQA35N40 4.4800
RFQ
ECAD 197 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 450 N-canal 400 V 35A (TC) 10V 105mohm @ 17.5a, 10V 5V @ 250 µA 140 NC @ 10 V ± 30V 5600 pf @ 25 V - 310W (TC)
SFW9Z34TM Fairchild Semiconductor SFW9Z34TM 0.6400
RFQ
ECAD 36 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 Canal P 60 V 18a (TC) 10V 140mohm @ 9a, 10v 4V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 30V 1155 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 82W (TC)
KSC3123OMTF Fairchild Semiconductor Ksc3123omtf 0.0200
RFQ
ECAD 8269 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 150MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,409 20dB ~ 23dB 20V 50mera NPN 90 @ 5MA, 10V 1.4GHz 3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz
FDS8947A Fairchild Semiconductor FDS8947A 1.9100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS89 Mosfet (Óxido de metal) 900MW 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 30V 4A 52mohm @ 4a, 10v 3V @ 250 µA 27nc @ 10V 730pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
TN2907A Fairchild Semiconductor TN2907A 0.2700
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 226-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 1.500 60 V 800 Ma 10NA (ICBO) PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V -
FGH20N6S2 Fairchild Semiconductor FGH20N6S2 1.0000
RFQ
ECAD 2465 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 125 W To-247 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 150 390v, 7a, 25ohm, 15V - 600 V 28 A 40 A 2.7V @ 15V, 7a 25 µJ (Encendido), 58 µJ (apaguado) 30 NC 7.7ns/87ns
FQP5N40 Fairchild Semiconductor FQP5N40 -
RFQ
ECAD 5148 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 400 V 4.5A (TC) 10V 1.6ohm @ 2.25a, 10v 5V @ 250 µA 13 NC @ 10 V ± 30V 460 pf @ 25 V - 70W (TC)
FQI2N90TU Fairchild Semiconductor Fqi2n90tu 0.5100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 900 V 2.2a (TC) 10V 7.2ohm @ 1.1a, 10v 5V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 30V 500 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 85W (TC)
FQH140N10 Fairchild Semiconductor Fqh140n10 -
RFQ
ECAD 7619 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 450 N-canal 100 V 140A (TC) 10V 10mohm @ 70a, 10v 4V @ 250 µA 285 NC @ 10 V ± 25V 7900 pf @ 25 V - 375W (TC)
BC548CTAR Fairchild Semiconductor BC548 CAR 0.0200
RFQ
ECAD 5539 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1.521 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 420 @ 2mA, 5V 300MHz
BC32716TA Fairchild Semiconductor Bc32716ta 0.0300
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 45 V 800 Ma 100na PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock