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Transistores (1315)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Figura de Ruido (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Apt10m07jvr | - |  | 3254 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | Power Mos V® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | Mosfet (Óxido de metal) | ISOTOP® | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 100 V | 225a (TC) | 10V | 4V @ 5MA | 1050 NC @ 10 V | ± 30V | 21600 pf @ 25 V | - | 700W (TC) | ||||||||||||||||
 | Aptm100skm90g | - | | 5021 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Sp6 | Mosfet (Óxido de metal) | Sp6 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 1000 V | 78a (TC) | 10V | 105mohm @ 39a, 10v | 5V @ 10mA | 744 NC @ 10 V | ± 30V | 20700 pf @ 25 V | - | 1250W (TC) | ||||||||||||||
| Apt60m75jvfr | - | | 7592 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | Power Mos V® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | Mosfet (Óxido de metal) | ISOTOP® | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 V | 62a (TC) | 10V | 75mohm @ 31a, 10v | 4V @ 5MA | 1050 NC @ 10 V | ± 30V | 19800 pf @ 25 V | - | 700W (TC) | |||||||||||||||
| Aptm50dhm65tg | - | | 1696 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Sp4 | Aptm50 | Mosfet (Óxido de metal) | 390W | Sp4 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 Asimétrico del canal (dual) | 500V | 51a | 78mohm @ 25.5a, 10V | 5V @ 2.5MA | 140nc @ 10V | 7000PF @ 25V | - | |||||||||||||||
 | Apt36n90bc3g | - | | 8346 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247 [b] | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 900 V | 36A (TC) | 10V | 120mohm @ 18a, 10v | 3.5V @ 2.9mA | 252 NC @ 10 V | ± 20V | 7463 pf @ 25 V | - | 390W (TC) | |||||||||||||
 | Jansr2n7389 | - | | 9075 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | Militar, MIL-PRF-19500/630 | Banda | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | To-205Af Metal CAN | Mosfet (Óxido de metal) | TO-205AF (TO-39) | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal P | 100 V | 6.5a (TC) | 12V | 350mohm @ 6.5a, 12V | 4V @ 1MA | 45 NC @ 12 V | ± 20V | - | 25W (TC) | ||||||||||||||||
 | Apt15f60s | - | | 5041 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | Power MOS 8 ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Apt15f60 | Mosfet (Óxido de metal) | D3pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 V | 16a (TC) | 10V | 430mohm @ 7a, 10v | 5V @ 500 µA | 72 NC @ 10 V | ± 30V | 2882 pf @ 25 V | - | 290W (TC) | ||||||||||||
| Jan2n6798 | - | | 7332 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | Militar, MIL-PRF-19500/557 | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To-205Af Metal CAN | Mosfet (Óxido de metal) | To-39 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 200 V | 5.5a (TC) | 10V | 420mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 42.07 NC @ 10 V | ± 20V | - | 800MW (TA), 25W (TC) | ||||||||||||||
| Apt20f50b | - | | 2675 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Apt20f50 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247 [b] | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 500 V | 20A (TC) | 10V | 300mohm @ 10a, 10v | 5V @ 500 µA | 75 NC @ 10 V | ± 30V | 2950 pf @ 25 V | - | 290W (TC) | ||||||||||||
 | Apt50m65b2llg | - | | 6678 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | Power MOS 7® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Variatura a 247-3 | Apt50m65 | Mosfet (Óxido de metal) | T-Max ™ [B2] | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 500 V | 67a (TC) | 10V | 65mohm @ 33.5a, 10V | 5V @ 2.5MA | 141 NC @ 10 V | ± 30V | 7010 pf @ 25 V | - | 694W (TC) | ||||||||||||
| Mds500l | - | | 8520 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 55º | 833W | 55º | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 9.2db | 70V | 24A | NPN | 20 @ 1a, 5v | 1.03GHz ~ 1.09GHz | - | ||||||||||||||||||
| Tan300 | - | | 1741 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 55kt | 1166W | 55kt | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 6.6db | 65V | 20A | NPN | 10 @ 1 mapa, 5v | 960MHz ~ 1.215GHz | - | ||||||||||||||||||
| Aptm50dum38tg | - | | 8709 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Sp4 | Aptm50 | Mosfet (Óxido de metal) | 694W | Sp4 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 Canal N (Dual) | 500V | 90A | 45mohm @ 45a, 10V | 5V @ 5MA | 246nc @ 10V | 11200pf @ 25V | - | |||||||||||||||
| Apt10035b2llg | - | | 6679 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | Power MOS 7® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Variatura a 247-3 | Apt10035 | Mosfet (Óxido de metal) | T-Max ™ [B2] | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 1000 V | 28a (TC) | 10V | 350mohm @ 14a, 10v | 5V @ 2.5MA | 186 NC @ 10 V | ± 30V | 5185 pf @ 25 V | - | 690W (TC) | ||||||||||||
| Aptc60dam35t1g | - | | 9065 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SP1 | Mosfet (Óxido de metal) | SP1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 V | 72a (TC) | 10V | 35mohm @ 72a, 10v | 3.9V @ 5.4MA | 518 NC @ 10 V | ± 20V | 14000 pf @ 25 V | - | 416W (TC) | ||||||||||||||
| APTC60DAM24CT1G | - | | 7265 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | Coolmos ™ | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Sp4 | Mosfet (Óxido de metal) | Sp4 | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 V | 95A (TC) | 10V | 24mohm @ 47.5a, 10v | 3.9V @ 5MA | 300 NC @ 10 V | ± 20V | 14400 pf @ 25 V | - | 462W (TC) | |||||||||||||||
| MS2206 | - | | 6584 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Monte del Chasis | M115 | 7.5w | M115 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 10dB | 20V | 1A | NPN | 20 @ 100 mapa, 5V | 1.025GHz ~ 1.15 GHz | - | ||||||||||||||||||
| Aptc60dskm45t1g | - | | 4431 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | Coolmos ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SP1 | APTC60 | Mosfet (Óxido de metal) | 250W | SP1 | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 N Canal (Pechugador de Doble Dólar) | 600V | 49A | 45mohm @ 24.5a, 10v | 3.9V @ 3MA | 150nc @ 10V | 7200pf @ 25V | Súper unión | |||||||||||||||
| MS1019 | - | | 6146 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 44022h | - | | 4286 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | - | No Aplicable | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Jan2n1016c | - | | 1659 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | Militar, MIL-PRF-19500/102 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 2N1016 | 150 W | To-82 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 V | 7.5 A | 1mera | NPN | 2.5V @ 1a, 5a | 10 @ 5a, 4V | - | ||||||||||||||||||
 | MS1649 | - | | 1134 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 7.8w | To-39 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 9.5db | 16 V | 1A | NPN | 20 @ 100 mapa, 5V | 470MHz | - | ||||||||||||||||||
 | Apt5sm170b | - | | 8248 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | TO-247-3 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 1700 V | 5A (TC) | 20V | 1.25ohm @ 2.5a, 20V | 3.2V @ 500 µA | 21 NC @ 20 V | +25V, -10V | 249 pf @ 1000 V | - | 65W (TC) | |||||||||||||||
| Jantx2n3019/tr | - | | 4323 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | Militar, MIL-PRF-19500/391 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 2N3019 | 800 MW | A-5 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 100 | 80 V | 1 A | 10 µA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 50 @ 500 mA, 10V | - | |||||||||||||||||
| 70060A | - | | 6539 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | - | No Aplicable | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MSC1450m | - | | 2065 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | 250 ° C (TJ) | Monte del Chasis | M216 | 910W | M216 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 7db | 65V | 28A | NPN | 15 @ 1a, 5v | 1.09 GHz | - | ||||||||||||||||||
| MDS800 | - | | 4655 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 55ST-1 | 1458W | 55ST-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 8.6db | 65V | 60A | NPN | 20 @ 1a, 5v | 1.09 GHz | - | ||||||||||||||||||
| Apt28f60b | - | | 7534 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Apt28f60 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247 [b] | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 V | 30A (TC) | 10V | 250mohm @ 14a, 10v | 5V @ 1MA | 140 NC @ 10 V | ± 30V | 5575 pf @ 25 V | - | 520W (TC) | ||||||||||||
| 0910-60M | - | | 7789 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 55aw | 180W | 55aw | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 8dB ~ 8.5dB | 65V | 8A | NPN | - | 890MHz ~ 1 GHz | - | ||||||||||||||||||
| MSC1450A | - | | 9635 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | 250 ° C | Monte del Chasis | M216 | 910W | M216 | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 7db | 65V | 28A | - | 15 @ 1a, 5v | - | - |
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